“曹金利”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]辐照缺陷产生过程的模拟方法和系统-CN202210796187.5在审
发明人：吴石;王东杰;曹晗;贺新福;曹金利;贾丽霞;赵永鹏;豆艳坤;王瑾;杨文 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种辐照缺陷产生过程的模拟方法，包括：确定高能粒子辐照在模拟体系中所产生的初级离位原子能谱；获得不同能量初级离位原子的生成概率，基于概率重复进行初级离位原子抽样获得大量初级离位原子；采用高通量计算模拟技术，并发开展大量初级离位原子在材料体系内引发的级联碰撞过程模拟计算；实时监控任务作业，并及时进行错误识别与纠正；采用高通量缺陷分析技术，对产生缺陷数量和团簇类别进行自动分析与统计；在存活的初始损伤缺陷尺寸分布达到连续标准后，停止初级离位原子抽样及级联碰撞模拟，进而统计分析获得缺陷峰值数量、存活率、尺寸分布等初始缺陷信息。该方法能够高效、精准地获得缺陷的离位峰、辐照缺陷的存活状态等信息。
辐照缺陷产生过程模拟方法系统

[发明专利]一种确定VVER型反应堆压力容器的辐照硬化的方法-CN202210002806.9在审
发明人：吴石;贺新福;豆艳坤;王东杰;贾丽霞;曹金利;曹晗;赵永鹏;王瑾;杨文 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种确定VVER型反应堆压力容器的辐照硬化的方法，包括：S1、修正第一弥散强化模型为第二弥散强化模型；其中，第一弥散强化模型表征材料的屈服应力增量与第一参数、缺陷数量以及缺陷尺寸之间的关系，第二弥散强化模型表征材料的屈服应力增量与第二参数以及辐照缺陷结构函数之间的关系；第一参数为缺陷尺寸的函数，第二参数与缺陷尺寸无关；辐照缺陷结构函数为缺陷数量和缺陷尺寸的函数；S2、确定第二弥散强化模型的第二参数；S3、获取辐照缺陷结构函数与中子注量之间的关系；S4、根据辐照缺陷结构函数与中子注量之间的关系以及第二弥散强化模型，确定材料的屈服应力增量与中子注量之间的关系。
一种确定 vver 反应堆压力容器辐照硬化方法

[发明专利]一种辐照导致材料结构演化的模拟方法和系统-CN201811653394.5有效
发明人：贺新福;豆艳坤;王东杰;贾丽霞;杨文;吴石;曹晗;曹金利 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种辐照导致材料结构演化的模拟方法和系统。所述方法包括：获取不同缺陷浓度和元素含量下的团簇的成分、团簇内原子的分布、以及团簇的几何结构；获取所述不同缺陷浓度和元素含量下的团簇中能量最低的团簇的几何结构、团簇成分；通过分子静力学方法计算通过步骤2得到的能量最低的团簇的形成能、结合能、以及扩散势垒；获取能量最低的团簇的团簇形成路径；建立辐照导致材料结构演化的动力学模型。
一种辐照导致材料结构演化模拟方法系统

[发明专利]一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用-CN201310455344.7有效
发明人：何军;曹金利;王振兴 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用，所述一维硒化锡纳米阵列由沿同一方向生长并呈阵列状排列的硒化锡纳米线组成。本发明的一维硒化锡纳米阵列是采用化学气相沉积法、以硒化锡为原料并在催化剂作用下沉积得到的，可用于NTC热敏电阻中，具有优异的负温度系数。本发明制备一维硒化锡纳米阵列的方法具有低成本、合成步骤简单、速度快、结晶性好、形貌可控的优点。
一种一维硒化锡纳米阵列制备方法应用