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[发明专利]一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用-CN202111097705.6有效
发明人：符亚军;杨镜鑫;王进;曹林洪;黄亚文 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用，属于材料制备技术领域。上述方法包括：采用直流磁控溅射方式于基底表面沉积钨薄膜，冷却以使钨薄膜与基底分离。磁控溅射条件包括：溅射气压为＞0且≤1Pa，溅射功率为50‑90W，溅射时间为1‑4h，氩气流量为20‑40sccm，靶基距为5.5‑6.5cm，基底的转速为1‑10r/min，基底的温度为200‑600℃。该方法简单便捷、成本低廉、无化学污染，能够制备得到在无衬底支撑的条件下可独立存在的金属钨薄膜。该自支撑金属钨薄膜表面具有微孔结构以及较高的硬度，可用于制备光电子器件等。
一种支撑金属薄膜及其制备方法应用

[发明专利]泡沫铜及其制备方法和应用-CN202011366828.0在审
发明人：王进;吕雪玲;曹林洪;黄亚文;符亚军 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C22C1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种泡沫铜及其制备方法和应用，涉及泡沫铜制备技术领域，上述泡沫铜的制备方法首先以聚氨酯泡沫为基体依次进行预处理、化学沉积、电沉积将金属铜沉积于聚氨酯泡沫上；随后进行热还原处理去除聚氨酯泡沫，得到泡沫铜；其中，所述热还原处理的热还原气体为氢气占体积含量10％的H2/Ar2混合气体，因而本发明热还原过程中氢气的使用量较低，进而有效降低了泡沫铜制备的成本和能源消耗，同时上述制备方法还具有制备工艺简单，易于操作的优势。此外，本发明制得的泡沫铜为一个整体形状，相对于现有常规的粉末状泡沫铜，具有更利于后期应用的优势。
泡沫及其制备方法应用

[发明专利]一种压电极化装置-CN201710419134.0在审
发明人：李延波;曹林洪;周晓慧;王军霞;吴浪;刘桂香;温建武 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L41/257 文献下载
摘要：本发明提供一种压电极化装置，包括高压电源、多通道电流测量装置、极化夹具、加热装置、控温装置、安全防护装置；所述高压电源与极化夹具连接用于极化夹具上固定的试样；所述多通道电流测量装置与极化夹具连接用于测量极化夹具中各个极化支路的电流；所述加热装置用于为极化夹具加热；所述安全防护装置与高压电源串联，用于控制高压电源的通断。本申请提供的压电极化装置，由于将，门控开关与高压电源连接，从而使得该装置使用更安全，而且该装置便于搭建、使用方便；另外，本申请通过将多通道电流测量装置与极化夹具连接，从而可以便于发现极化时被击穿的陶瓷片。
一种压电极化装置

[发明专利]钇铝石榴石纳米粉体的制备方法-CN201210395067.0无效
发明人： 曹林洪;马飞 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：钇铝石榴石纳米粉体的制备方法，涉及材料技术。本发明包括下述步骤：1）配置Al(NO3)3·9H2O水溶液、Y(NO3)3·6H2O水溶液和NH4HCO3水溶液；2）分别量取等体积钇和铝的硝酸盐溶液混合均匀；3）量取与步骤2）中铝的硝酸盐溶液等体积的NH4HCO3溶液，并加入占总原料质量比0.1~1.0wt%的十二烷基苯磺酸做分散剂，搅拌均匀后待用；4）将步骤3）获得的混合沉淀剂溶液一次性注入步骤2）的混合原料溶液中，在注入的同时伴以剧烈搅拌；5)将步骤4）获得的反应溶液继续剧烈搅拌2~6h，陈化形成乳白色胶状沉淀溶液；6）超声处理；7）真空抽滤，冲洗；8）干燥，研磨过筛；9）煅烧。本发明减少了工艺控制参量，从而简化了工艺操作流程，提高了效率。
石榴石纳米制备方法

[发明专利]一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法-CN201010281144.0无效
发明人： 曹林洪;智顺华;王宁会 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C04B35/04 文献下载
摘要：一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，涉及电子材料。本发明包括下述步骤：A、以纳米级的片状高纯度的碱式碳酸镁为原料，700～1000℃高温煅烧得到纳米氧化镁粉体；B、将煅烧得到的纳米氧化镁粉体加压成型，得到氧化镁陶瓷素坯；C、氧化镁陶瓷素坯经过1℃/min～30℃/min的速率升温到设定的烧结温度；其中烧结温度为1300℃，保温烧结时间为180分钟。本发明采用合适的成型压力(800MPa)和合适的升温速率(10℃/min)，通过无压烧结的方法制备出相对密度高达98.2％的致密氧化镁陶瓷。
一种致密氧化镁陶瓷烧结制备方法

[发明专利]氢氧化镁六方晶体制备方法-CN201010284921.7无效
发明人： 曹林洪;智顺华;王宁会 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C01F5/22 文献下载
摘要：氢氧化镁六方晶体制备方法，涉及化工技术。本发明包括下述步骤：1)将硝酸镁置于氢氧化钠和氢氧化钾混合物中，氢氧化钠和氢氧化钾的质量比为25％∶75％～48.5％∶51.5％，硝酸镁与氢氧根的摩尔比为1∶262～2∶262；2)升温至160～200℃，使氢氧化钠和氢氧化钾成为熔融的液态，保持温度，在此条件下制备氢氧化镁晶体，生长时间为12～24小时；3)将生长好的晶体及其生长介质溶解、过滤、干燥，获得了形状规则的氢氧化镁六方晶体。本发明是以硝酸镁为原料，熔融的强碱为生长介质，通过一定的温度条件和时间生长出形状规则的氢氧化镁六方晶体，避开了传统方法需要加入络合剂或者表面活性剂的辅助，该晶体直径为4～10um，呈六方片状结构，粒径均匀，具有良好的分散性。
氢氧化镁晶体制备方法