专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于不平衡电路的单元内开路缺陷测试电路及其测试方法-CN202310887089.7在审
  • 梁华国;胡杰文;王斯禹;鲁迎春;易茂祥;黄正峰 - 合肥工业大学
  • 2023-07-19 - 2023-10-13 - G01R31/28
  • 本发明公开了一种基于不平衡电路的单元内开路缺陷测缺陷测试电路及其测试方法,该电路包括:RO环,其与待测电路的输入端相连接,用于提供测试信号;对待测电路进行分析并进行配置;不平衡电路由并联的两条电路支路组成,其中一条电路支路包括高阈值电平反相器,另一电路支路包括低阈值电平反相器;脉冲检测电路,由普通反相器和施密特触发器反相器并联组成,都连接到异或门的另一个输入端,分别与高阈值电平反相器和低阈值电平反相器的输出端相连接,分别产生不同的响应;脉冲下降沿检测电路,对脉冲下降沿进行检测并计数,确定单元内是否存在开路缺陷。本发明能够有效地识别难以检测出的弱阻性开路缺陷,从而能提高测试精度和效率。
  • 基于不平衡电路单元开路缺陷测试及其方法
  • [发明专利]一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法-CN202310381472.5在审
  • 梁华国;汪月;鲁迎春;肖远;章宏;易茂祥;黄正峰 - 合肥工业大学
  • 2023-04-11 - 2023-07-14 - G06F30/30
  • 本发明公开了一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法,是用于表征纳米器件的自热效应,其步骤包括:1、设定不同温度对FinFET进行特性仿真,输出I‑V特性曲线,并计算不同温度T下I‑V特性曲线所对应的FinFET器件参数gm;2、根据步骤1的结果建立温度T与输出跨导gm相对于环境温度27℃下的跨导变化量△gm、栅极电压VGS的关系模型;3、根据关系模型中的温度T得到FinFET纳米器件的自热效应温升值。本发明采用FinFET纳米器件自身特性参数输出跨导gm与温度T间关系进行自热效应的温升计算,能对FinFET器件的自热效应进行表征,从而解决先进工艺下纳米器件自热效应表征难问题。
  • 一种finfet纳米器件热效应计算方法

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