“易美芯光(北京)科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]量子点LED封装器件-CN201920748793.3有效
发明人：申崇渝;申艳强;刘国旭 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种量子点LED封装器件，包括：带碗杯的支架，设置于支架内的LED芯片，设置于LED芯片出光面上方的量子点玻璃封装层，量子点玻璃封装层包括第一玻璃片，第一玻璃片上表面具有若干个凹槽，各个凹槽内设置有量子点材料，第二玻璃片粘接在第一玻璃片上表面及量子点材料上；设置于支架内空档区域的用于隔绝水氧的填充物，填充物上表面一侧与量子点玻璃封装层上沿区域相接。通过本实用新型的技术方案，可保证LED封装器件的稳定性及可靠性，提高量子点LED封装器件的发光效率，节约量子点材料的使用量，提高量子点材料的利用率，降低量子点LED封装器件的制造成本。
量子点量子点材料玻璃封装层支架玻璃片上表面本实用新型填充物玻璃片发光效率制造成本出光面上表面空档水氧碗杯粘接节约保证

[发明专利]一种新型垂直结构芯片及其制备方法-CN201610077685.9有效
发明人：曲晓东;朱浩 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型垂直结构芯片，该垂直结构芯片由中心区域、边缘区域以及沟槽区域构成，其中，中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极；沟槽区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层；绝缘层位于边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁；N电极位于N型GaN层的表面、以及位于N型GaN层的侧壁。其在N型GaN层的侧壁，该区域的N电极能够增强电流扩展，使电流能够更加均匀地从芯片四周注入，提高了发光效率。
一种新型垂直结构芯片及其制备方法

[发明专利]一种垂直结构芯片及其制备方法-CN201610078326.5有效
发明人：曲晓东;朱浩 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构芯片及其制备方法，该垂直结构芯片由中心区域及位于中心区域四周的边缘区域构成。其中，中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极。绝缘层位于边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁。由于将P‑GaN和活性层的侧壁绝缘后隐藏于芯片内部，而不裸露于芯片侧面，因此，有效降低了LED芯片侧面上载流子的复合。
一种垂直结构芯片及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光器件的制备方法-CN201510126775.8有效
发明人：朱浩;曲晓东 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件的制备方法，该方法采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法完成对管芯去边的工艺，先使用干法刻蚀刻蚀掉外延层表面的多晶以及杂质等，在外延层的表面形成一个新的湿法腐蚀界面来实现对外延层的刻蚀。该种方法在避免了干法刻蚀时对底部金属材料的损伤，同时又能有效的控制了湿法腐蚀对外延层的侧钻现象的发生，最终提高了产品的良率和性能。
一种半导体发光器件制备方法

[实用新型]一种垂直结构芯片-CN201620112038.2有效
发明人：曲晓东;朱浩 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直结构芯片，该垂直结构芯片由中心区域及位于中心区域四周的边缘区域构成。其中，中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极。绝缘层位于边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁。由于将P‑GaN和活性层的侧壁绝缘后隐藏于芯片内部，而不裸露于芯片侧面，因此，有效降低了LED芯片侧面上载流子的复合。
一种垂直结构芯片

[实用新型]一种新型垂直结构芯片-CN201620111946.X有效
发明人：曲晓东;朱浩 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型垂直结构芯片，该垂直结构芯片由中心区域、边缘区域以及沟槽区域构成，其中，中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极；沟槽区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层；绝缘层位于边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁；N电极位于N型GaN层的表面、以及位于N型GaN层的侧壁。其在N型GaN层的侧壁，该区域的N电极能够增强电流扩展，使电流能够更加均匀地从芯片四周注入，提高了发光效率。
一种新型垂直结构芯片

[发明专利]一种垂直结构的LED芯片的制备方法-CN201410183515.X在审
发明人：朱浩;邹灵威;曲晓东 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直结构的LED芯片的制备方法，包括将外延层邦定在高阻硅基板上，去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GaN层，刻蚀所述暴露的GaN层的部分区域至暴露出金属层，该方法还包括在金属层上蒸镀P电极金属形成P电极，在N型GaN层上蒸镀N电极金属形成N电极。本发明通过将外延层邦定在高阻硅基板上，使得芯片的P电极与芯片的底部绝缘。采用本发明的方法制备的LED芯片既保留了垂直结构芯片的光电特点，又能解决一般垂直芯片在封装打线进行串联连接困难的问题。
一种垂直结构 led 芯片制备方法

[发明专利]一种基于激光剥离的半导体发光器件的制备方法-CN201310017195.6无效
发明人：朱浩;范振灿 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种在激光剥离蓝宝石衬底过程中，对LED管芯进行保护的方法。本发明提出在刻蚀外延层形成分立的管芯时，在管芯之间保留了部分外延层作为隔离带，解决了激光剥离过程中管芯边缘破裂的问题，提高了成品率。本发明应用于GaN基半导体发光器件的制备。
一种基于激光剥离半导体发光器件制备方法

[发明专利]一种应用于背光领域的折反射透镜-CN201210475844.2无效
发明人：朱贺玲 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： F21V5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于背光领域的折反射透镜，设于LED基板上，并整体覆盖在LED光源上方，包括定位柱、入光面、至少一个反射面和至少两个出光面；所述定位柱设于折反射透镜的底端，用于将折反射透镜固定在LED的基板上，并支撑折反射透镜；所述入光面设于定位柱之间正对光源的位置，用于收集LED发出的光束，对光束进行汇聚；所述反射面设于至少两个出光面之间，用于对入射光束进行反射；所述出光面设于与入光面相对的定位柱之间。本发明降低了单一自由曲面对控光精准度要求；提供显示背光模组的均匀性；降低了大角度透镜设计难度，降低了背光模组的混光距离；降低混光距离的同时，减少了入射到侧边的光，提高背光模组亮度。
一种应用于背光领域反射透镜

[发明专利]一种白光LED集成光源-CN201210447854.5无效
发明人：张海兵;孙国喜;杨人毅;范振灿;刘国旭 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： F21S4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种白光LED集成光源，包括至少两组LED串；所述每组LED串两极分别与电源相连接，所述LED串用于发出光。本发明可使用普通DC LED芯片或封装体串联成集成模块，光源结构简单，制作工艺成熟，成本较低，适合用作普通照明光源；本发明的LED光源实际上是通过脉冲电流驱动，其中有一段时间LED光源是不工作的，即这段时间是LED光源冷却过程，这种工作方式可降低LED光源对灯具散热性能的要求；本发明配套的电源转换器体积小，元件少，对灯具的结构设计非常有利；本发明配套的电源转换器的转换效率达到90%以上，极大提升整个灯具的系统效率，得到更节能的效果；本发明配套的电源转换器不含电解电容，可极大延长整个灯具的使用寿命。
一种白光 led 集成光源

[发明专利]一种新型LED集成光源封装结构-CN201210447312.8无效
发明人：杨人毅;霍文旭;范振灿 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型LED集成光源封装结构，包括一个或一个以上LED芯片、基板、位于线路板上的电极、透明硅胶、围坝胶，所述一个或一个以上的LED芯片粘贴在所述基板上，所述LED芯片与所述位于线路板上的电极通过金属线连接，所述透明硅胶将所述一个或一个以上的LED芯片包覆于内，所述围坝胶位于基板四周，所述围坝胶为透明围坝胶。本发明的特点是可以降低光能的损失，提高LED集成出光的光通量。采用透明围坝胶结构，和基板平行行走的光碰到围坝胶时候，可以直接穿过围坝胶到空气中，使得整体的发光角度增大，可以使得远场发光角度大于120度。从而使得这种结构的LED集成光源在大的发光角度下可以被应用。
一种新型 led 集成光源封装结构

[发明专利]一种高色域背光LED光源-CN201210350820.4无效
发明人：王涛;孙国喜;刘国旭 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高色域背光LED光源，包括支架、荧光胶涂层、至少一个蓝光芯片和至少一个红光芯片；所述支架设于至少一个蓝光芯片和至少一个红光芯片下方，用于在支架上设置至少一个蓝光芯片和至少一个红光芯片；所述荧光胶涂层均匀涂覆于支架的一侧，用于封装芯片并在芯片激发下发光；所述至少一个蓝光芯片和至少一个红光芯片封装于支架一侧涂覆的荧光胶涂层内。本发明所述高色域背光LED光源采用红光芯片代替红色荧光粉，提高了产品光谱中红色成分的色纯度，可以得到高色域的产品；采用芯片加荧光粉的方式，更容易控制产品的目标性能；采用当前成熟的封装工艺，以及常用的封装材料，去掉了RGB封装中成本最高的绿色芯片，有效降低了成本。
一种高色域背光 led 光源

[发明专利]一种LED封装结构及实现其表面粗化的方法-CN201110150756.0有效
发明人：刘国旭 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED封装结构，包括LED封装体和设置在LED封装体内的LED芯片，所述LED封装体表面设有周期的凹凸结构。本发明还涉及一种实现LED封装结构表面粗化的方法。本发明的有益效果是：通过在LED封装结构表面形成凹凸结构，有效且简单的实现了LED封装体表面的粗化，从而提升了高效率LED的发光效率。
一种 led 封装结构实现表面方法

[发明专利]基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法-CN201110132454.0有效
发明人：朱浩;曲晓东;赵汉民;闫占彪;刘硕;陈栋 -专利权人： 易美芯光(北京)科技有限公司;晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致的外延薄膜破裂的问题。该制造方法包括以下步骤：刻蚀蓝宝石衬底上的外延层；在刻蚀的外延层上制备反射层材料，并进行合金；与永久支撑基板键合；在永久支撑基板的另一侧采用树脂与第二基板进行固化；激光剥离蓝宝石衬底；剥离后去除第二基板和树脂，第二基板也可在激光剥离前去掉。本发明可以使GaN薄膜芯片的成品率提高。
基于蓝宝石剥离薄膜 gan 芯片制造方法

[发明专利]GaN基薄膜芯片的制备方法-CN201110132402.3有效
发明人：闫占彪;赵汉民;朱浩;周印华;熊传兵;陈栋 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司;易美芯光(北京)科技有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基薄膜芯片的制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时发生的外延薄膜破裂的问题。该制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成半导体多层结构；对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理；在半导体多层结构和导电反射复合金属层上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；将蓝宝石衬底进行激光剥离，在剥离面涂第二胶，并固化到第二临时基板；将第一临时基板和第一胶去掉；采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合；去掉第二临时基板和第二胶。本发明可以降低对氮化镓膜的损伤，可以大大提高通过这种工艺得到的GaN基薄膜芯片的良率。
gan 薄膜芯片制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 17 条