专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于表面等离子体激元效应的SERS基底的设计方法-CN202010883583.2有效
  • 苏巍;罗寅龙;易恬安;陈秉岩 - 河海大学常州校区
  • 2020-08-28 - 2023-03-31 - G01N21/65
  • 本发明公开了一种基于表面等离子体激元效应的SERS基底的设计方法,包括如下步骤:采用时域有限差分算法,设置SERS基底的结构,包括SiO2基底层、Au金属薄膜层、SiO2介质层;确定仿真的初始条件;依次改变Au金属薄膜层的厚度、SiO2介质层的厚度、Au顶层金属层的厚度、以及双圆孔结构的缝距大小,利用FDTD solution软件计算SERS基底的电场强度分布,根据电场强度分布计算SERS基底的增强因子,筛选出增强因子较大的结构作为优化之后的SERS基底。本发明设计的结构可以有效的将入射光能量转换为表面等离子体波能量,并利用刻蚀纳米双孔有序阵列的复合膜SERS基底,产生LSPR和PSPR的有效耦合,从而最大限度的增强SERS信号。
  • 一种基于表面等离子体效应sers基底设计方法
  • [发明专利]一种硅片表面研磨装置-CN201911199415.5在审
  • 蒋永锋;易恬安;包晔峰;陈秉岩 - 河海大学常州校区
  • 2019-11-29 - 2020-03-24 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种硅片表面研磨装置,属于表面处理技术领域,包括等离子体喷枪、伺服电机和激光测距组件;所述伺服电机与等离子体喷枪连接;所述等离子体喷枪包括喷嘴和位于等离子体喷枪内的等离子体喷枪控制系统、等离子体发生器和等离子体通道;所述等离子体喷枪控制系统与等离子体发生器和伺服电机通信连接;所述等离子体发生器依次与等离子通道和喷嘴连接;所述激光测距组件与等离子体喷枪连接;所述喷嘴与等离子体通道的连接处,设置有等离子体通道出口。本发明可对硅片进行自动化表面研磨,同时减少对环境的污染。
  • 一种硅片表面研磨装置

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