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[发明专利]太赫兹超材料传感器及肉桂酰甘氨酸特异性检测方法-CN202311007071.X在审
发明人： 时彦朋;张珊;史胜男;陈晓伟 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹超材料传感器及肉桂酰甘氨酸特异性检测方法，属于特异性检测技术领域。包括基体和设置于基体的具有电磁诱导透明现象的超材料结构，所述超材料结构包括设置于基体的金属结构单元，所述金属结构单元为周期性排列；所述金属结构单元包括条形谐振器和多个拱桥型谐振器组，所述拱桥型谐振器组间距设置，所述条形谐振器设置于所述拱桥型谐振器组之间，所述条形谐振器的中心与所述拱桥型谐振器组的中心处于同一水平线；其中，所述拱桥型谐振器组包括开口相对设置的拱桥谐振器。能够精确、快速的检测肉桂酰甘氨酸含量，对肉桂酰甘氨酸进行特异性检测；解决了现有技术中存在“无法查询到肉桂酰甘氨酸的吸收峰”的问题。
赫兹材料传感器肉桂甘氨酸特异性检测方法

[发明专利]一种基于腔模共振的太赫兹传感器及其制备方法-CN201911253341.9有效
发明人： 时彦朋;刘自正;刘笑宇 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于腔模共振的太赫兹传感器及其制备方法，太赫兹传感器，包括：基体和平行排列的若干线性传感器单元，每个传感器单元包括反射腔和填充于反射腔内的填充物，所述反射腔的端部设置有开口槽，反射腔的侧壁上附着金属反射层，所述所述填充物的折射率为1‑10。该传感器可以增强太赫兹波与物质之间的耦合，提高传感器的品质因数与灵敏度。
一种基于共振赫兹传感器及其制备方法

[发明专利]一种吸波器及电子设备-CN202110551795.5有效
发明人： 时彦朋;孙渊博;刘笑宇;李美坪;宋金梅 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹超材料吸波器领域，提供了一种吸波器及电子设备。其中，吸波器包括金模层和至少一个硅金结构，所述硅金结构设置在金模层上，所述金模层用于阻挡电磁波的透射，所述硅金结构由从下到上的硅层和金层构成，所述硅金结构为圆柱体，所述圆柱体的半径大小用来决定所述吸波器的吸收峰波段。其具有对入射波的入射角和极化角不敏感的优点。
一种吸波器电子设备

[发明专利]一种用于聚焦太赫兹波的混合牛眼天线及其工作方法-CN202210311304.4在审
发明人： 时彦朋;孙明琪;宋金梅;李美坪;史胜男;张珊;刘笑宇 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01Q1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于聚焦太赫兹波的混合牛眼天线及其工作方法，包括基底、金属薄膜以及中心孔；所述基底上布设有一层金属薄膜，所述金属薄膜中心位置上开设有中心孔；所述中心孔内固定有硅柱，所述硅柱上还固定有金属半球；入射光源位于所述金属半球的一侧；本发明引入半球粒子的混合牛眼天线，具有高增益、体积小、高信噪比、对入射光的偏振方向不敏感的优点。
一种用于聚焦赫兹混合天线及其工作方法

[发明专利]一种太赫兹器件及其制备方法-CN202111462225.5在审
发明人： 时彦朋;宋金梅;史胜男;李美坪;刘笑宇 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹器件及其制备方法，具体为Mie共振耦合增强亚波长孔光学透射的太赫兹器件及其制备方法。本发明通过在亚波长金属孔阵列两侧放置同样大小的硅块，相当于接收以及传输的天线谐振耦合器，硅块与金属孔之间以及谐振器与谐振器之间的相互作用可以更有效的捕获太赫兹能量，提高内部电磁场来进一步增强光电转换效率。
一种赫兹器件及其制备方法

[发明专利]基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件及其制备方法-CN202110523291.2有效
发明人： 时彦朋;李美坪;刘笑宇;宋金梅 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹亚波长结构传感技术领域，提供了一种基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件及其制备方法。其中，基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件包括衬底和波导传感单元，波导传感单元设置在衬底上，波导传感单元包括波导、矩形谐振腔及金属墙，所述矩形谐振腔以垂直于波导的方向直接连接在波导一侧，所述金属墙设置在矩形谐振腔一侧设定距离处的波导介质中，所述金属墙的中心设有孔径；所述矩形谐振腔的方向与电场偏振方向保持平行，波导的输入端用于接收太赫兹波，以使得太赫兹波在传输过程中满足共振条件时，产生Fano共振。其采用金属‑介质‑金属波导耦合谐振腔结构实现了尖锐的Fano共振、高Q因子、高灵敏度的折射率传感应用。
基于 fano 共振耦合谐振腔赫兹波导传感器件及其制备方法

[发明专利]基于增强异常光学透射的太赫兹器件及其制备方法-CN202110281353.3有效
发明人： 时彦朋;宋金梅;李美坪;刘笑宇 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于增强异常光学透射的太赫兹器件及其制备方法，太赫兹器件包括基体，所述基体上设置有多个超材料结构，所述超材料结构包括设置于基体上的金属薄板，金属薄板中心处有孔洞，所述孔洞内设置有一硅柱，硅柱上方设置有一外露于所述金属薄板的金属半球。本发明将表面等离子体与局域表面等离子体共振之间的相互作用可进一步增强异常光学透射现象应用于超材料太赫兹器件中，将太赫兹波俘获并收集到较细的波导中去，得到了宽带的太赫兹透射响应，相比于其他器件具有更高的有效透射率和透射带宽。
基于增强异常光学透射赫兹器件及其制备方法

[发明专利]一种太赫兹电磁诱导透明超材料及其制备方法和应用-CN202110400475.X有效
发明人： 时彦朋;花明;刘笑宇;宋金梅;李美坪 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹电磁诱导透明超材料及其制备方法和应用。包括基底和硅基底上的周期性排布机构，每个周期性结构包括一个圆盘凸起结构和一个金属条状结构，金属条状结构位于圆盘结构的一侧，金属条状结构与圆盘凸起结构的直径平行。利用金属和介质进行相耦合，金属和介质分别产生明暗模式，并且在太赫兹波段内发生破坏性干扰，最终在太赫兹频率范围内处实现了电磁诱导透明现象，于1.6‑1.9太赫兹处发现了电磁诱导透明窗口，实现了在材料选取上的创新。
一种赫兹电磁诱导透明材料及其制备方法应用

[发明专利]基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料与应用-CN202110103835.X在审
发明人： 时彦朋;王陆尧;刘笑宇;宋金梅 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本公开提供一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料与应用，所述超材料包括硅环、硅矩形棒和石墨烯条，硅环外边缘与硅矩形棒之间留有间隙，石墨烯条置于硅环或硅矩形棒底部。通过将石墨烯集成到谐振器，对全介质的电磁诱导透明现象进行主动调谐，很好的实现了对透明窗口的开关效应。
基于石墨主动调谐赫兹电磁诱导透明材料应用

[发明专利]基于anapole模式的可动态调控的石墨烯超材料太赫兹器件及其制备方法与应用-CN202010163345.4有效
发明人： 时彦朋;刘笑宇;刘自正;花明;王陆尧 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹超材料功能器件技术领域，尤其涉及基于anapole模式的可动态调控的石墨烯超材料太赫兹器件及其制备方法与应用。所述太赫兹器件包括以下部分：周期结构的单层超材料；所述周期结构的单元结构为圆环结构，其由两个对称设置的金属材质的半圆形分裂环组成，每个分裂环均由环体和延伸臂组成，所述延伸臂从环体开始向环体的圆心方向延伸；两个分裂环之间设置有一条开口，所述开口贯穿两个半圆形分裂环组成的圆环结构的直径，且延伸臂垂直开口；所述环体和延伸臂处的开口中填充有石墨烯。本发明通过静电掺杂调节石墨烯的费米能，从而调谐石墨烯的电导率，实现对太赫兹anapole响应动态调谐。
基于 anapole 模式动态调控石墨材料赫兹器件及其制备方法应用

[发明专利]将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法-CN201510094684.0无效
发明人：马静;刘雯;杨添舒;时彦朋;杨富华;王晓东 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法，该方法包括：步骤1：清洗薄膜太阳电池器件和外加转移衬底；步骤2：在外加转移衬底上蒸镀一层金属；步骤3：在薄膜太阳电池器件上蒸镀背电极；步骤4：采用热压键合的方法将外加转移衬底和薄膜太阳电池器件键合在一起，使薄膜太阳电池器件上的背电极与外加转移衬底上的金属发生接触，形成基片；步骤5：将基片放入腐蚀液中，将薄膜太阳电池器件本身的衬底进行剥离，完成制备。本发明可以解决外延剥离技术中传统的粘结剂体积大、重量大、易碎、易分解的问题。
薄膜太阳电池器件粘附其他衬底方法

[发明专利]一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法-CN201410270111.4无效
发明人：杨添舒;刘雯;时彦朋;马静;张端;郑婉华;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法。该光波导芯片包括：衬底；二氧化硅下包层；二氧化硅芯区光波导，其包括输入直波导部分、两个圆弧型弯曲波导部分、阿基米德螺线型弯曲波导部分和输出直波导部分；二氧化硅上包层，其中，输入直波导与阿基米德螺线型弯曲波导的螺线环垂直交叉，以减小X交叉点损耗；两个圆弧型弯曲波导反向相接，平滑地将输入直波导末端与阿基米德螺线型弯曲波导起始端连接起来，并在波导连接处的端面引入最佳的错位偏移量，使得弯曲损耗较小。本发明能够提高陀螺仪的灵敏度，降低陀螺仪的噪声。
一种微光陀螺 sagnac 效应波导芯片及其制备方法

[发明专利]半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法-CN201410052421.9无效
发明人： 时彦朋;王晓东;刘雯;杨添舒;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅薄膜太阳能电池的上表面生长一层介质膜；步骤2：在介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在硅薄膜太阳能电池下表面刻蚀出二维纳米柱硅光栅结构；步骤4：在二维纳米柱硅光栅结构上生长一层背电极；步骤5：在背电极上生长一层背反射器层，完成制备。本发明是利用前表面金属颗粒和背面光栅结构对入射光不同的作用范围，展宽对入射光的作用范围，本发明降低了光的反射率，提高了薄膜太阳能电池对入射光的吸收。
半导体薄膜太阳能电池前后表面混合结构制备方法

[发明专利]半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法-CN201410052413.4无效
发明人： 时彦朋;王晓东;刘雯;杨添舒;马静;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在玻璃衬底上通过溅射生长一层反射镜；步骤2：在反射镜上沉积一层第一金属纳米颗粒；步骤3：在第一金属纳米颗粒上生长第一背电极；步骤4：在第一背电极上再沉积一层第二金属纳米颗粒；步骤5：在第二金属纳米颗粒上再沉积一层第二背电极；步骤6：在第二背电极上生长一层薄膜太阳能电池材料；步骤7：在薄膜太阳能电池材料的上表面上刻蚀出二维光栅结构；步骤8：在二维光栅结构上生长一层前电极，完成制备。本发明是利用前表面光栅和背面双层金属纳米结构对入射光形成多次散射作用，增强对入射光及透射光的作用效果。
半导体薄膜太阳能电池前后表面结构制备方法

[发明专利]具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法-CN201410031339.8有效
发明人：杨添舒;刘雯;时彦朋;马静;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al₂O₃减反射膜(AAO薄膜)。本发明采用AAO薄膜作为减反射膜，该AAO薄膜的折射率可以在一定范围内调节，以适应多层减反射膜的设计需求。
具有减反射膜太阳能电池元件及其制备方法

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