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[发明专利]高浓度醇的制造方法-CN201880008895.X有效
发明人：山村忠史;日高秀人;垣内博行 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C07C29/76 文献下载
摘要：本发明的课题在于，在使用蒸馏塔、吸附解吸塔的高浓度醇的制造方法中提高醇的生产能力。一种高浓度醇的制造方法，其为将水‑醇混合液脱水而制造高浓度醇的方法，该制造方法具有下述工序：将水‑醇混合液导入蒸馏塔中而得到粗醇的蒸馏工序；以及将该粗醇的一部分导入吸附解吸塔中而得到高浓度醇的吸附解吸工序，将上述粗醇的另一部分导入脱水装置中而得到高浓度醇。
浓度制造方法

[发明专利]车辆用除湿、加湿装置-CN200880010849.X有效
发明人：中畔誉畅;津江本敏浩;垣内博行;日高秀人 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： B60H3/00 文献下载
摘要：车辆用除湿、加湿装置，通过在作为空气流路的壳体中依次容纳第一鼓风机(2a)、第一流路切换装置(4a)、吸附剂组件(3)、第二流路切换装置(4b)、第二鼓风机(2b)构成。吸附剂组件(3)通过将第一吸附元件(31)及第二吸附元件(32)直接配置在珀尔帖元件(30)的各个板面上构成。并且，通过使流过珀尔帖元件(30)的电流反转，利用第一流路切换装置(4a)及第二流路切换装置(4b)进行流路切换，将被除湿(或加湿)的空气连续地从第一吹出口(11)吹出，将加湿(或除湿)的空气连续地从第二吹出口(12)吹出。
车辆除湿加湿装置

[发明专利]车辆用除湿、加湿装置-CN200880010323.1有效
发明人：中畔誉畅;津江本敏浩;垣内博行;日高秀人 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： B60H3/00 文献下载
摘要：车辆用除湿、加湿装置，通过将鼓风机(2)、吸附剂组件(3)容纳到壳体内构成。另外，其它形式，通过将将鼓风机(2)、吸附剂组件(3)、流路切换装置(4)容纳到壳体内构成。吸附剂组件(3)由将吸附剂载置在能够通气的部件上构成的吸附元件(30)和直接配置在该吸附元件上的加热器(31)构成。并且，在切换加热器(31)的通电状态的同时，通过切换送风方向或者流路，从第一吸入、吹出口(或吹出口)吹出被除湿的空气，从第二吸入、吹出口(或者吹出口)吹出被加湿的空气。
车辆除湿加湿装置

[发明专利]车辆用除加湿装置-CN200780039004.9有效
发明人： 日高秀人;垣内博行;津江本敏浩;中畔誉畅 -专利权人：三菱化学株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： B60H3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用吸附材料的车辆用除加湿装置，其供给窗玻璃防模糊用途的除湿空气及用于提高舒适性的加湿空气，并可以简化装置结构且可以将装置小型化。该车辆用除加湿装置是在壳体(1)内收纳鼓风机(2)、吸附材料组件(3)、流路切换装置(4)而构成的。吸附材料组件(3)将第一吸附元件(31)及第二吸附元件(32)直接设置在珀耳帖元件(30)的各面上而构成，流路切换装置(4)的构成为：相对于第一吹出口(11)及第二吹出口(12)，可以使通过了第一吸附元件(31)的空气和通过了第二吸附元件(32)的空气单独流动且可切换流动方向。在吸附材料组件(3)中使珀耳帖元件(30)的电流逆转并切换该珀耳帖元件的吸热部和散热部，并通过流路切换装置(4)切换各空气的流动方向。
车辆加湿装置

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN200710002243.9无效
发明人：谷崎弘晃;辻高晴;村井泰光;日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储装置，其中，对自旋注入型磁性存储器单元(MC)，与字线(WC)平行排列源极线(SL)，以多个位单位来执行数据的写入/读出。写入时，设定成以规定时序使源极线电位变化，在多个选择存储器单元共同连接的源极线上中，在动作时序的各阶段，仅单方向流过电流。作为该数据写入时序，可采取对应于写入数据、依次在存储器单元中流过电流的方法，和如下方式，即在写入前将存储器单元的阻抗状态设定为规定的初始阻抗状态之后，对应于写入数据使初始阻抗状态变化。可实现在磁性存储器中不使存储器单元布局面积增大而高速写入。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]抑制数据读出时的误写入的非易失存储装置-CN200610137391.7无效
发明人：大石司;日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：从钉扎层侧到自由层侧的数据写入电流比从自由层侧到钉扎层侧的数据写入电流大。数据读出电流值比数据写入电流小，在高电阻状态和低电阻状态下数据读出电流之差较小时，读出放大器(SA)连接成：使数据读出电流从钉扎层侧流入自由层侧即从源极线(SL)侧流入位线(BL)侧。
抑制数据读出写入非易失存储装置

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN200610067698.4无效
发明人：谷崎弘晃;日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明使从供给写入电流的写入电流源(4W)到内部数据线(IDL)、位线(BL)、源极线(SL)、基准电位结点(ND)的路径的除存储单元(MC)以外的电阻值一直恒定，并且在该电流路径中将存储单元和可变电流源之间的电阻值和从存储单元到基准电位结点之间的电阻值分别设定为500Ω以内。实现了改善数据写入/读出的可靠性的非易失性半导体存储装置。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]抑制电源配线的磁场噪声影响的薄膜磁性体存储装置-CN200310102838.3无效
发明人： 日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：沿列方向设置主电源配线(PLma)及主接地配线(GLmb)，以从存储区域(55a)及(55b)的一侧(第1方向)供给电源；沿列方向设置主电源配线(PLmb)及主接地配线(GLma)，以从存储区域(55a)及(55b)的另一侧(与第1方向相反的第2方向)供给电源。在一侧配置的位线驱动器从一侧接受电源供给，在另一侧配置的位线驱动器从另一侧接受电源供给。从而，在选择的存储区域上的区域部分的电源供给线中不形成电流通路。
抑制电源磁场噪声影响薄膜磁性存储装置

[发明专利]设有程序元件的薄膜磁性体存储装置-CN200310101563.1无效
发明人： 日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-10-07 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：程序元件(180)设有，在第一与第二节点(190、195)之间电连接的磁性体层(160#)。磁性体层(160#)的至少一部分，构成设计成可通过来自外部的激光照射熔断的接线部(185)。磁性体层(160#)在与MTJ存储单元中的隧道磁电阻元件相同的层上以相同结构设置。磁性体层(160#)和第一与第二节点(190、195)之间的电接触结构，跟与MTJ存储单元中的隧道磁电阻元件和在与第一与第二节点(190、195)的各节点相同的金属布线层上设置的布线之间的电接触结构相同。
设有程序元件薄膜磁性存储装置

[发明专利]磁扰降低的半导体存储装置-CN200310101565.0无效
发明人： 日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-10-08 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：当数据写入时，沿对选择位线的数据写入电流的反方向，使抵消该数据写入电流的感应磁场的抵消电流，在相邻选择位线的位线上流过。从而，在这种磁性半导体存储装置中抑制相邻列的存储单元之间的磁场干扰。
降低半导体存储装置

[发明专利]实现冗长置换且可高速读出的存储装置-CN03158813.1无效
发明人： 日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：进行正规位线BL3、/BL3的选择时，同时进行备用位线SBL2、/SBL2的选择，为了它们与不同的读出数据总线对连接而配置列选择门电路。为了使读出数据总线的负荷容量不产生大的差异，列选择门电路被分散配置。冗长判定结果，通过读出放大器(83)之前的控制信号φ1、φ2的活性化，由读出数据反映。另外，设置2台读出放大器，为了选择该输出之一，也可以使用控制信号φ1、φ2。由此，能够提供实现冗长置换同时可高速读出的存储装置。
实现冗长置换高速读出存储装置

[发明专利]可稳定地进行数据写入的存储装置-CN03178662.6无效
发明人： 日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：包括配置有多个存储单元的存储单元阵列(100及200)，存储单元阵列(100及200)被分割为可分别独立地选择为数据写入对象的多个区域(100，200)；还包括分别对应于多个区域(100，200)而设置的多个电流供给部(10，I1，LE1及20，I2，LE2)。多个电流供给部(10，I1，LE1及20，I2，LE2)分别在多个区域(100，200)中的对应的区域被选择为数据写入对象的情况下被激活，向对应的区域供给数据写入电流；多个区域(100，200)分别包含分别对应于多个存储单元的规定单位而配置的多个写入选择线(L1)。从多个电流供给部(10，I1，LE1及20，I2，LE2)中的对应的1个向多个写入选择线(L1)选择性地供给数据写入电流。
稳定进行数据写入存储装置

[发明专利]含保证读出边限的读出放大器的非易失存储装置-CN03178715.0有效
发明人：谷崎弘晃;日高秀人;大石司 -专利权人：株式会社瑞萨科技;三菱电机工程株式会社
申请日： 2003-07-14 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：在读出放大器中，用晶体管(QV1与QV2)将局部输入输出线(LIO、/LIO)维持在预定电压。并且，构成电流反射镜的晶体管(QP3与QP7)按照通过晶体管(QP1与QP5)的通过电流将工作电流供给读出节点(SA、/SA)。又，构成电流反射镜的晶体管(QN2与QN3)从读出节点(SA、/SA)抽出对应于通过晶体管(QP5与QP1)的通过电流的工作电流。与此相应，在读出节点(SA、/SA)上产生对应于工作电流差的电压差。
保证读出放大器非易失存储装置

[发明专利]有磁隧道结的薄膜磁性体存储装置-CN03133130.0无效
发明人： 日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-07-21 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：将数据写入电流供给写入数位线(WDL)的激励晶体管(35)，配置在其栅长方向与写入数位线(WDL)相同的方向上。再有，在写入数位线(WDL)中，在对应于存储单元的配置区域的正常部分(93)和电源布线(90)之间，设置布线截面积大于正常部分(93)的加强部分(95)。依据这样的配置，能够避免依赖于激励晶体管尺寸的存储单元的配置间距的扩大，实现芯片面积的小型化，同时可避免写入数位线(WDL)上的局部电流密度的增大，改善动作的可靠性。
隧道薄膜磁性存储装置

[发明专利]通过缩短充电时间高速进行数据读出的非易失性存储装置-CN03178659.6无效
发明人： 日高秀人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：分别设置当读出数据时，用于使数据线(DB、/DB)的电压电平变化的电容(Cda、Cdb)。又，设置与电容(Cda、Cdb)电耦合的信号线(φku)。电容(Cda、Cdb)通过电容耦合与信号线(φku)的电压电平相应地对数据线(DB、/DB)进行充电。因此，能够在早期对数据线(DB、/DB)实施充电，从而能够实施高速的数据读出。
通过缩短充电时间高速进行数据读出非易失性存储装置

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