专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]光控驱动电路和固态继电器-CN202222019339.9有效
  • 景苏鹏;黄华清;朱海鹏;刘忠征;黄鼎耿 - 福建省福芯电子科技有限公司;无锡玛盟特微电子有限公司
  • 2022-08-02 - 2022-11-18 - H03K17/785
  • 本实用新型公开了一种光控驱动电路和固态继电器,驱动电路包括第一电路和第二电路;第一电路包括第一发光元件和第二发光元件;第二电路包括第一连接端、第二连接端、第三连接端、第一受光元件、第二受光元件、第一开关元件和第二开关元件。在受光条件下,第一开关元件导通,第二开关元件关断,第一连接端与第二连接端之间双向导通,第二连接端与第三连接端之间断开;在无光条件下,第二开关元件导通,第一开关元件关断,第三连接端与第二连接端之间双向导通,第二连接端与第一连接端之间断开。通过上述方案实现单路双刀开关的功能,且由于是通过光控实现,能够使得控制更方便、抗干扰性更强。
  • 光控驱动电路固态继电器
  • [实用新型]一种欠压锁定电路-CN202220418057.3有效
  • 何巧蓉;陈崴;张荣晶;林志玲 - 福建省福芯电子科技有限公司;无锡玛盟特微电子有限公司
  • 2022-02-28 - 2022-08-09 - H02H3/24
  • 本实用新型公开一种欠压锁定电路,包括电阻R2和稳压二极管D3,电阻R2的一端连接高压供电电源VDD、电阻R1的一端、开关管NM1的漏级和开关管NM2的漏级,电阻R2的另一端与稳压二极管D3的阴极、开关管NM1的栅级和开关管NM2的栅级连接,电阻R1的另一端与稳压二极管D1的阴极连接,开关管NM1的源级与电阻R5的一端连接,开关管NM2的源级与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端与欠压锁定信号VDDON_N、开关管NM10的漏级和开关管NM4的栅级连接。本实用新型所述的欠压锁定电路实现形式简单,工艺局限性小。
  • 一种锁定电路
  • [实用新型]一种MOSFET功率器件-CN202020827723.X有效
  • 孙晓儒;徐栋;张诚阳 - 福建省福芯电子科技有限公司;无锡玛盟特微电子有限公司
  • 2020-05-18 - 2020-12-18 - H01L29/78
  • 本实用新型涉及芯片技术领域,特别涉及一种MOSFET功率器件。所述一种MOSFET功率器件,包括:N+衬底层,所述N+衬底层上设置有N‑外延层,所述N‑外延层上部设置有P‑BODY区,所述P‑BODY区下部设置有高掺杂区,所述P‑BODY区上部设置有Source区,所述P‑BODY区深度值大于等于6um。本技术方案中的P‑BODY区深度值大于等于6um,通过增加P‑BODY区深度,可以有效减小元胞间距,将漏极加偏压后,P‑BODY区和N‑外延层可以迅速连起来类似平面结,则器件的耐压比较理想而且稳定。通过在P‑BODY区下部设置有高掺杂区减小基区电阻,可有效避免寄生三极管误导通。
  • 一种mosfet功率器件

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