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- [发明专利]一种控制薄膜应力的方法-CN202311072205.6在审
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许磊;宋永辉;沈健;丁威
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-08-24
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2023-10-27
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C23C14/35
- 本申请公开了一种控制薄膜应力的方法，涉及晶圆生产技术领域。其包括：方法基于磁控溅射装置，磁控溅射装置包括工艺腔体、脉冲电源模块、偏压控制模块及气控模块；工艺腔体内设有用于放置晶圆片的承放台，以及用于安装靶材的放置槽体，且晶圆片与靶材相对设置以便于靶材的粒子被溅射到晶圆片的背面；工艺腔体至少开设有一个进气孔及一个背气孔，背气孔位于承放台远离晶圆片的一侧。向工艺腔体内通入预设流量比的氩气与氮气以形成工艺气压，并从背气孔向承放台通入氩气，并以预设功率开启偏压控制模块在晶圆片背面形成负偏压，综合减小了镍钒薄膜的材料应力与热应力，最终大幅减小了镍钒薄膜的应力，从而将镍钒薄膜的应力控制在可控范围内。
- 一种控制薄膜应力方法
- [发明专利]一种承盘装置和磁控溅射设备-CN202311117846.9在审
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宋永辉;沈健;刘超
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-09-01
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2023-10-03
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C23C14/50
- 本申请公开了一种承盘装置和磁控溅射设备，其中，承盘装置包括承载平台、提降机构、传动机构和抽气装置；提降机构包括波纹管和大气侧连接管，二者连通并形成一腔体；承载平台一面固定有载片平台，另一面连接波纹管；传动机构穿过腔体与承载平台连接，传动机构推动承载平台以带动载片平台往复运动，波纹管随承载平台的往复运动进行拉伸或压缩；抽气装置与腔体连通；当波纹管的外部气压小于预设阈值时，抽气装置抽取腔体内的气体直至腔体内与波纹管的外部的气压差到达预设值时停止抽取操作，当波纹管拉伸或压缩时，需承受腔体与波纹管外部的气压差带来的压力，利用抽气装置抽取腔体内的气体，以减小内外气压差，避免高压差对波纹管带来的损害。
- 一种装置磁控溅射设备
- [发明专利]载台及晶圆镀膜装置-CN202310901847.6有效
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许磊;宋永辉;沈健;丁威
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-07-21
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2023-09-22
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H01L21/683
- 本申请公开了一种载台及晶圆镀膜装置，载台包括第一治具和第二治具，第一治具上设有载片腔，载片腔的底部设有第一进气孔、侧壁设有第一出气孔，第二治具设于载片腔的开口处，第二治具上设有作业通道；作业时，第一进气孔进气，气体能够吹起晶圆，第二治具能够阻止晶圆离开载片腔，第二治具既能够对晶圆进行限位、又不会遮挡晶圆的正面，高能粒子能够通过作业通道在晶圆表面聚集成膜；镀膜过程中，晶圆会受到气体的吹拂而远离载片腔的底部，因此，晶圆能够保持背面悬空的状态接受镀膜；吹入载片腔的气体能够通过第一出气孔离开，气体自然流通，既有利于保持晶圆的浮起状态，又不会因为气体的流量变动而使得载片腔内的气压不稳定。
- 镀膜装置
- [发明专利]晶圆夹持装置-CN202310702095.0有效
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田文康;范雄;王兆丰
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-06-14
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2023-09-05
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H01L21/687
- 本申请公开了一种晶圆夹持装置，包括托盘、旋转限位块和至少两组固定限位组件，一组固定限位组件包括两个固定限位块，固定限位块上设有托槽，旋转限位块上设有托台；固定限位块可以作为夹持的基准，以便于晶圆受夹于预设位置；旋转限位块能够通过转动改变其与固定限位组件之间的距离，以便于三个限位块夹持不同规格的晶圆；通过托槽和托台配合支撑晶圆，三个限位块能够抬起晶圆、从而避免晶圆的背面受到损害；通过增设固定限位组件，夹持装置能够夹持更多规格的晶圆；使得不同组的托槽处于不同高度，并使得远离旋转限位块的托槽位置更高，配合对应高度的托台，既能够稳定地支承晶圆、又能够避免被支承的晶圆受到其他组固定限位组件的干涉。
- 夹持装置
- [实用新型]晶圆双面工艺的保护装置-CN202320380285.0有效
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田文康;范雄
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-03-03
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2023-08-15
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H01L21/687
- 本实用新型提供一种晶圆双面工艺的保护装置，包括：载环，所述载环用于承载晶圆的边缘区域并能落座于底座，并使落座后的晶圆下表面与底座之间留有间隙；所述载环设有一缺口；压环，设置于所述载环上方，所述压环用于压住落座后的晶圆的边缘区域；顶托件，围绕所述载环设置，所述顶托件的顶端用于顶托压环，所述顶托件的内侧壁设有侧台阶，用于顶托载环。本实用新型实施例提供的晶圆双面工艺的保护装置能够在晶圆转移时避免损伤晶圆下表面的工艺结构区，以及在对晶圆的上表面进行工艺时，能够固定住晶圆而不损伤晶圆下表面的工艺结构区。
- 双面工艺保护装置
- [实用新型]晶圆传送兼容装置-CN202320717910.6有效
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俞铭熙;田文康;丁洪金
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-04-04
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2023-08-15
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H01L21/677
- 本实用新型提供一种晶圆传送兼容装置，包括：第二片匣，用于置入前开式晶圆传送盒中，所述第二片匣配置为第二晶圆适配尺寸，所述第二晶圆适配尺寸小于前开式晶圆传送盒中第一片匣配置的第一晶圆适配尺寸；滑轨组件，装配在前开式晶圆传送盒的第一壳体内底部两侧，用于供所述第二片匣滑动进出所述前开式晶圆传送盒；定位件，设置在前开式晶圆传送盒的第一壳体内底部后侧，用于第二片匣进入前开式晶圆传送盒到位时的定位；弹性伸缩件，设置在前开式晶圆传送盒的第一壳体内底部前侧；本实用新型提供的晶圆传送兼容装置能够在12寸FOUP装载平台上兼容8寸片匣，使之可以传输8寸晶圆。
- 传送兼容装置
- [实用新型]一种承托机构-CN202320490693.1有效
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范雄;田文康
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-03-15
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2023-08-11
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F04D19/04
- 本实用新型提供一种承托机构，包括：底架；所述底架的一端具有第一安装部，用于安装摆阀，所述底架的另一端具有第二安装部，用于安装分子泵；承载板，设置于底架上的第二安装部；支撑座，设置在所述承载板上，用于承托分子泵；横向滑动机构，设置在所述承载板与底架的第二安装部之间，用于承载板朝向或背离底架的第一安装部移动；高度调整机构，设置在所述支撑座与所述承载板之间，用于调整支撑座相对于承载板的高度。本实用新型提出的承托机构可以使得分子泵与摆阀对接或分离更方便，消除安全隐患，且便于后期维护操作。
- 一种承托机构
- [实用新型]一种自定位机构-CN202320557924.6有效
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范雄;田文康
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-03-21
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2023-07-25
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B66C13/00
- 本实用新型提供种自定位机构，包括：设置于平台底部的至少三个定位窝；设置于支撑架顶部的至少三个万向球，所述万向球的位置与所述定位窝的位置一一对应；以使得各万向球的球体进入平台底部对应的定位窝时，所述平台上的各固定孔与所述支撑架顶部的各固定孔一一对准；升降组件，安装在支撑架顶部，与万向球连接，用于使得初始状态下万向球的球体高于支撑架，并能够带动万向球下降使得万向球承载的平台下降至与支撑架顶部接触。本实用新型提供的自定位机构，能够实现平台与支撑架之间固定孔的自对准，且能够防止支撑架划伤平台。
- 一种定位机构
- [发明专利]刻蚀装置及均匀刻蚀晶圆的方法-CN202310443781.0有效
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王兆丰;范雄
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无锡尚积半导体科技有限公司
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2023-04-24
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2023-07-21
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H01L21/67
- 本申请公开了一种刻蚀装置及均匀刻蚀晶圆的方法，刻蚀装置包括刻蚀腔，刻蚀腔上设有第一进气通道、第二进气通道和出气通道，第一进气通道和第二进气通道的出气端高于晶圆，出气通道低于晶圆，通过第一进气通道输入工艺气体、第二进气通道输入辅助气体，能够提高晶圆刻蚀的均匀性；检测刻蚀均匀度的方法通过在晶圆表面确定九个测试点，检测九个测试点的刻蚀速率后，通过公式(Max‑Min)/2Avg计算晶圆的刻蚀均匀性，由此确认晶圆的刻蚀情况；均匀刻蚀晶圆的方法通过反应气体促进晶圆边缘反应、惰性气体妨碍晶圆边缘反应，从而提高晶圆刻蚀的均匀性。
- 刻蚀装置均匀方法
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