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[发明专利]半导体存储装置及方法-CN202210811455.6在审
发明人：村山昭之;杉前纪久子;西山胜哉;新屋敷悠介;藤松基彦;佐野京佑;柴田昇 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够不损害数据的可靠性，尽可能地削减需要预先保持在存储控制器的数据的量的半导体存储装置及方法。实施方式的半导体存储装置的电路以在2N个区间中最低电压侧的第1区间内，形成2个第1分布的方式，设定多个存储单元的阈值电压。之后，电路以依每2个为单位分开形成2(1+M)个第2分布的方式，设定多个存储单元的阈值电压。之后，电路将2N个第3分布设定在2N个区间。
半导体存储装置方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201810895143.1有效
发明人：村上畅介;新屋敷悠介;山本和彦 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够调整存储单元的单元电流的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；信号线，在与基板垂直的第1方向上延伸；导电层(52)，在与第1方向交叉且与基板平行的第2方向上延伸，且具有第1面(52_a)、及在与第1及第2方向交叉的第3方向上远离信号线的第2面(52_b)；存储层(53C)，设置在信号线与导电层(52)之间；及绝缘层(56)，设置在第2面(52_b)与存储层(53C)之间。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110929397.2在审
发明人： 新屋敷悠介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1导电层、第2导电层、第3导电层、第1半导体层、第2半导体层、第1绝缘层以及第2绝缘层。将多个第1半导体层中的两个设为第3以及第4半导体层。将第3半导体层的宽度设为第1宽度，将第3半导体层与第1绝缘层之间的距离设为第1距离，将第3半导体层与第2绝缘层之间的距离设为第2距离。将第4半导体层的宽度设为第2宽度，将第4半导体层与第1绝缘层之间的距离设为第3距离，将第4半导体层与第2绝缘层之间的距离设为第4距离。第1距离以及第2距离中的某个较小的距离小于第3距离以及第4距离中的某个较小的距离，第1宽度大于第2宽度。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110731686.1在审
发明人：村上畅介;永岛贤史;百百信幸;石川贵之;新屋敷悠介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够实现读出时间的缩短的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有基板、第一布线、第二布线、第三布线、第四布线以及电荷保持部。所述第一布线在沿着所述基板的表面的第一方向上延伸。所述第二布线在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一布线并列，并在所述第一方向上延伸。所述第三布线与所述第一布线和所述第二布线相接，且包含半导体。所述第四布线位于所述第一布线与所述第二布线之间，在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸，至少在所述第一方向上与所述第三布线并列。所述电荷保持部位于所述第三布线与所述第四布线之间。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110115154.5在审
发明人：韩业飞;新屋敷悠介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现电特性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体柱，具有半导体层，沿第一方向延伸；第一布线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及第一电极，配置于所述半导体柱与所述第一布线之间。而且，实施方式的半导体存储装置具备：第一绝缘膜，在所述第一电极与所述第一布线之间配置为与所述第一电极相邻；以及第二绝缘膜，在所述第一绝缘膜与所述第一布线之间配置为与所述第一绝缘膜相邻，且介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数高。所述第二绝缘膜与所述半导体层的最短距离比所述第一电极与所述半导体柱的最短距离长。
半导体存储装置

[发明专利]电阻随机存取存储器装置及其制造方法-CN201510553440.4有效
发明人：川嶋智仁;野中隆广;新屋敷悠介;石川贵之 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请案一般来说涉及一种电阻随机存取存储器装置及其制造方法。根据一个实施例，电阻随机存取存储器装置包含第一电极及第二电极。所述电阻随机存取存储器装置还包含连接于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻改变层。所述电阻随机存取存储器装置还包含在所述第一电极与所述第二电极之间串联地连接至所述电阻改变层的导电层。所述电阻随机存取存储器装置，其中所述导电层包含：包含第一材料的多个第一材料层，及包含不同于所述第一材料的第二材料的多个第二材料层。
电阻随机存取存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储装置-CN201710117112.9有效
发明人：杉前纪久子;新屋敷悠介 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：实施方式的存储装置具备：第1配线、第2配线、第1电阻变化构件、第3配线、第2电阻变化构件、第4配线、第5配线及第3电阻变化构件。所述第1配线、所述第3配线及所述第4配线在第1方向上延伸。所述第2配线及所述第5配线在相对于所述第1方向交叉的第2方向上延伸。所述第1电阻变化构件连接于所述第1配线与所述第2配线之间。所述第2电阻变化构件连接于所述第2配线与所述第3配线之间。所述第3电阻变化构件连接于所述第4配线与所述第5配线之间。所述第4配线与所述第3配线绝缘。
存储装置

[发明专利]电阻变化型存储装置及其驱动方法-CN201710099136.6在审
发明人： 新屋敷悠介;杉前纪久子;市原玲华 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻变化型存储装置及其驱动方法。实施方式的电阻变化型存储装置具备第1配线层、第2配线层、电阻变化部件以及控制电路。所述第1配线层具有在第1方向延伸且沿着相对于所述第1方向交叉的第2方向排列的多条第1配线。所述第2配线层具有在所述第2方向延伸且沿着所述第1方向排列的多条第2配线。所述第2配线层相对于所述第1配线层，配置在相对于所述第1方向及所述第2方向两者正交的第3方向。所述电阻变化部件连接于各所述第1配线与各所述第2配线之间。所述控制电路在将所述电阻变化部件的电阻状态从第1状态切换为第2状态时，向1条所述第1配线与所述多条第2配线之间施加第1时间的第1电压，且在施加所述第1电压后，与所述1条第1配线连接的多个所述电阻变化部件中的1个以上的所述电阻变化部件的电阻状态为第1状态时，向所述1条第1配线与所述多条第2配线之间施加第2时间的第2电压，所述第2时间比所述第1时间长，所述第2电压为与所述第1电压相同极性且低于所述第1电压。
电阻变化存储装置及其驱动方法

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