“新南方创新有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于硅太阳能电池的透明导体-CN200680020350.8无效
发明人：斯因尔特·罗斯·韦纳姆;布迪·贾约诺;利·梅 -专利权人： 新南方创新有限公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供其中形成接触结构体的光电池器件，所述接触结构体具有在被接触的区域的表面上形成的多条重掺杂半导体沟道。所述重掺杂半导体沟道具有与所述被接触的区域相同的掺杂剂极性，并且形成跨过所述被接触的区域的表面的横向导电通道。在所述被接触的区域的表面上形成包含导电指的接触敷金属，并且每一根导电指跨过所述重掺杂沟道的至少一些以与其进行电接触。通过在所述被接触的表面上形成掺杂剂源材料的层并且激光掺杂在所述被接触的表面中的重掺杂沟道形成所述接触结构体。然后将所述接触敷金属形成为在所述被接触的表面上形成的导电指，并且可以丝网印刷，金属电镀或者可以形成为埋入式接触。
用于太阳能电池透明导体

[发明专利]用于接通薄膜半导体结构的光刻方法-CN200680008516.4无效
发明人：阿明·杰哈德·阿伯利;蒂莫西·迈克尔·沃尔什;丹尼尔·A·因斯 -专利权人： 新南方创新有限公司
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：公开了一种用于接通在透明的支撑材料上的薄膜半导体结构的一个或多个接触区域的光刻方法开。所述方法包括步骤：在半导体结构(2、3、4)中形成一个或多个口(6a)以使得支撑材料(5)的各个表面部分(5a)和各个接触区域(4a)基本上暴露出来；以正光敏抗蚀剂(7)覆盖半导体结构的表面；以曝光光线通过支撑材料照射半导体结构，以使得用于分别覆盖基本上暴露出的支撑材料的表面部分和接触区域的至少一部分的第一光敏抗蚀剂部分被曝光光线曝光，并使得曝光光线在半导体结构中被吸收，使覆盖半导体结构的一个或多个第二光敏抗蚀剂部分免受曝光。优选地，导电层(9)沉积在保留的第二光敏抗蚀剂部分、支撑材料的表面部分(5a)以及接触区域的至少一部分的上方，以使得所述导电层与支撑材料相接触，并实现与接触区域的电接通。优选地，保留的第二光敏抗蚀剂部分被化学溶解，且设置在第二光敏抗蚀剂部分上的导电层部分被升离，使保留的导电层部分与支撑衬底相接触并实现与接触区域的电接通。
用于接通薄膜半导体结构光刻方法

1
共 2 条