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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁传感器装置-CN202010391769.6有效
发明人：蔡永福;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：磁传感器具备：磁场转换部，其接受沿第一方向输入的输入磁场，并沿与第一方向正交的第二方向输出输出磁场；磁场检测部，其设置于能够施加有输出磁场的位置；以及磁屏蔽，其遮蔽沿第二方向的外部磁场，当沿第一方向观察时，磁场转换部具有正交于第一方向和第二方向的两者的第三方向上的长度比第二方向上的长度长的形状，当沿第一方向观察时，磁屏蔽设置于与磁场转换部和磁场检测部重叠的位置。
传感器装置

[发明专利]磁传感器-CN202010092230.0有效
发明人：高野研一;斋藤祐太;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：磁传感器(1)具有相互连接的多个MR元件(11A～14A)。多个MR元件(11A～14A)属于在各自由层(26)的磁化方向沿同一方向旋转规定角度时电阻增加的组(G1)和电阻减少的组(G2)中的任一组。一组的电阻元件的电阻的增加所引起的磁传感器(1)的输出的变动和另一组的电阻元件的电阻的减少所引起的磁传感器(1)的输出的变动相抵消。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN201911016372.2有效
发明人：高野研一;斋藤祐太;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种其输出特性对环境温度较不敏感的磁传感器。磁传感器(1)具有：自由层(24)，其磁化方向响应于外部磁场而改变；钉扎层(22)，其磁化方向相对于所述外部磁场固定；间隔层(23)，其位于所述钉扎层(22)与所述自由层(24)之间并表现出磁阻效应；以及至少一个磁性膜(25)，其设置在自由层(24)的侧边并向自由层(24)施加偏置磁场。满足关系0.7≤TC_HM/TC_FL≤1.05，其中TC_HM是所述磁性膜的居里温度并且TC_FL是所述自由层的居里温度。
传感器

[发明专利]磁传感器装置、变换器装置和电池装置-CN202210227333.2在审
发明人： 斋藤祐太;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及磁传感器装置、变换器装置和电池装置。磁传感器装置包括：第1检测电路，生成第1检测信号；线圈，通过流过反馈电流而产生消除磁场；第2检测电路，生成与反馈电流的值具有对应关系的第2检测信号；和控制电路，控制反馈电流。在闭环动作中，控制电路控制反馈电流，以使第1检测信号成为一定值。在开环动作中，控制电路将反馈电流维持为一定值。
传感器装置变换器电池

[发明专利]磁检测装置-CN201910480815.7有效
发明人：高野研一;平林启;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的磁检测装置具备：第一磁检测元件，具有第一电阻值，第一电阻值因施加第一方向的第一磁场而增大且因施加第二方向的第二磁场而减小；以及第二磁检测元件，具有第二电阻值，第二电阻值因施加第一磁场而减小且因施加第二磁场而增大。第一磁检测元件和第二磁检测元件均包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜，第一磁阻效应膜具有第一长轴方向，第一长轴方向相对于第一方向以第一倾斜角度倾斜；第二磁阻效应膜与第一磁阻效应膜串联且具有第二长轴方向，第二长轴方向相对于第一方向以第二倾斜角度倾斜。而且，该磁检测装置满足条件表达式(1)和条件表达式(2)。
检测装置

[发明专利]磁传感器、以及使用磁传感器的位置检测装置及电流传感器-CN202110240071.9在审
发明人：高野研一;梅原刚;斋藤祐太;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器，其具备：磁阻效应元件，其包含在第一方向上相互相对的第一侧面及第二侧面、以及在实质上与第一方向正交的第二方向上相互相对的第一端面及第二端面，该磁阻效应元件在第一方向上具有灵敏度轴；第一轭部，其与磁阻效应元件的第一侧面相邻地设置；以及第一偏置磁场产生部，其与磁阻效应元件的第一端面相邻地设置，第一偏置磁场产生部设置为可对磁阻效应元件及第一轭部施加偏置磁场。
传感器以及使用位置检测装置电流传感器

[发明专利]磁传感器系统以及透镜位置检测装置-CN202110891138.5在审
发明人：蔡永福;宫下勇人;梅原刚;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01V3/08 文献下载
摘要：本发明的磁传感器系统具备：磁场发生器和磁传感器。磁传感器包括多个MR元件。多个MR元件的各自构成为使得与第1方向正交的第2方向的偏置磁场施加于自由层上，并且电阻值根据磁场分量的强度变化。施加于多个MR元件的各自的磁场分量的最大强度是偏置磁场强度的1.2倍以上。
传感器系统以及透镜位置检测装置

[发明专利]电流传感器、磁传感器和电路-CN202110125131.2在审
发明人： 斋藤祐太;工藤良弘;宫内大助;阿部聪 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：本发明提供电流传感器、磁传感器和电路。电流传感器包括：设置在导体附近的磁检测装置，其被施加由流过该导体的电流感应产生的被测定磁场，且电阻随被测定磁场的变化而变化；设置在磁检测装置附近的两个线圈，其产生消除被测定磁场的消除磁场；串联连接在两个线圈之间的分流电阻器，其用于检测流过线圈的电流；第一差动放大器，其放大磁检测装置的输出信号，将感应产生消除磁场的电流供给至线圈；和第二差动放大器，其放大分流电阻器的两端电压，输出与流过导体的电流成比例的测定电压。
电流传感器传感器电路

[发明专利]偏差推定装置及方法、磁传感器的修正装置以及电流传感器-CN201810843960.2有效
发明人：高野研一;斋藤祐太;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种偏差推定装置及方法、磁传感器的修正装置以及电流传感器。该偏差推定装置的偏差推定部求出磁传感器的检测值的偏差的推定值。偏差推定部包含初始函数保持部、函数确定部、推定值决定部。初始函数保持部保持初始函数，所述初始函数用于以基准温度时的偏差即基准偏差为第一变量，以温度为第二变量，来确定与第一及第二变量相对应的推定值。函数确定部通过基准偏差，确定初始函数的第一变量的值，将初始函数变成用于决定与第二变量的值相对应的推定值的推定值决定函数。推定值决定部通过温度信息，确定推定值决定函数的第二变量的值，由此决定推定值。
偏差推定装置方法传感器修正以及电流传感器

[发明专利]磁传感器-CN202010972764.2在审
发明人： 斋藤祐太;平林启;工藤良弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁传感器，其包括：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将磁传感器芯片一体地密封的密封部，磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层。密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，在从第1面侧的俯视图中的密封部的形状是大致四边形，该大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与第1边和第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，在从密封部的第1面侧的俯视图中，在未对磁阻效应元件施加外部磁场的状态下的钉扎层的磁化方向相对于通过使用在第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。
传感器

[发明专利]磁传感器装置及电流传感器-CN201811074434.0有效
发明人：高野研一;斋藤祐太;渡边克 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01R33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种电流传感器，其包含磁传感器装置。磁传感器装置包含磁传感器、第一磁性层、以及不与第一磁性层接触的第二磁性层。磁传感器、第一磁性层以及第二磁性层以与假想的直线交叉且在与假想的直线平行的方向上依次排列的方式配置。在磁传感器、第一磁性层和第二磁性层中，通过检测对象电流产生的磁通中的相互不同的一部分通过。
传感器装置电流传感器

[发明专利]电流传感器-CN201810608716.8有效
发明人： 斋藤祐太;高野研一;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：电流传感器具有：磁阻效应元件，配置在电流线路附近且被施加由在电流线路中流动的电流感应的信号磁场且根据信号磁场的变化而产生磁阻变化；抵消磁场产生单元，设置在磁阻效应元件附近并产生抵消信号磁场的抵消磁场；第一软磁性体，设置在磁阻效应元件与电流线路之间；以及一对第二软磁性体，相对于磁阻效应元件的磁化检测方向而设置在磁阻效应元件的两侧。
电流传感器

[发明专利]磁传感器-CN201910977680.5在审
发明人：高野研一;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁传感器(1)，其具有根据外部磁场改变磁化方向的自由层(26)；参考层(24)，其磁化方向相对于外部磁场固定；位于自由层(26)和参考层(24)之间且具有磁阻效应的间隔层(25)；钉扎层(22)，其与间隔层(25)一起夹住参考层(24)，并与参考层(24)反铁磁性耦合。满足关系‑2.5≤λP/λR≤0.5(不包括0)，其中λR是参考层的磁致伸缩系数，λP是钉扎层的磁致伸缩系数。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN201811284589.7在审
发明人：内田圭祐;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁传感器，其具有：元件部，其具有磁阻效应和指向预定方向的磁敏轴；以及软磁性体，其配置在所述元件部附近，并且从所述磁敏轴的方向来看，其沿着除其两个端部以外的部分中的至少一部分面向所述元件部。所述软磁性体具有在所述两个端部向所述元件部突出的突出面。
元件部磁传感器软磁性体磁敏磁阻效应预定方向突出面指向配置

[发明专利]凹凸结构体及其制造方法-CN201480024162.7在审
发明人：伊藤晃寿;薮浩;斋藤祐太 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C08J9/26 文献下载
摘要：本发明提供微粒不会脱离、凹凸结构难以崩塌的凹凸结构体及其制造方法。凹凸结构体(10，90，95，100，105，120)在表面形成有凹凸。凹凸结构体(10，90，95，100，105，120)由多个微粒(14)和具有邻苯二酚基的两亲性的高分子化合物(15)形成。高分子化合物(15)将微粒(14)的表面的至少一部分覆盖，并将微粒之间粘合。凹凸的凹部的直径比微粒(14)的直径大。由含有微粒(14)和具有邻苯二酚基的高分子化合物(15)的液体形成流延膜(44)，使该流延膜(44)上凝结，使有机溶剂和因凝结产生的水滴(408)蒸发而制造凹凸结构体(10，90，95，100，105，120)。
凹凸结构及其制造方法

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