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[发明专利]继电器熔接检测装置、包括该继电器熔接检测装置的电源控制装置以及熔接检测方法-CN201880031563.3在审
发明人：松川耕治;中泽隆史;政井茂雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： B60L3/00 文献下载
摘要：继电器熔接检测装置具有电压发生部、第一电阻串、第二电阻串以及继电器熔接检测部。第一继电器设置在连接车辆的直流电源的第一端子和负载的第一布线上，第二继电器设置在连接该直流电源的第二端子和负载的第二布线上。第一电阻串被连接于直流电源的第一端子与电压发生部之间，第二电阻串被连接于直流电源的第二端子与电压发生部之间。继电器熔接检测部检测第一电阻串和第二电阻串各自之中的两个电阻的连接点处的电位，来检测第一继电器和第二继电器是否发生了熔接。
继电器电阻串直流电源电压发生部熔接检测布线熔接检测装置电位连接点处电阻

[发明专利]放大装置、传感器模块-CN200980157526.8无效
发明人：犬饲文人;小林仁;政井茂雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种放大装置、传感器模块。低通滤波器电路(11)具有：第一输入端子，其被提供传感器信号(SIN)；第二输入端子；和输出端子，其用于输出输出信号(SOUTP)。低通滤波器电路(12)具有：输入端子，其与低通滤波器电路(11)的第二输入端子连接；和输出端子。低通滤波器电路(13)具有：输入端子，其与低通滤波器电路(12)的输出端子连接；和输出端子，其用于输出输出信号(SOUTN)。
放大装置传感器模块

[发明专利]平衡信号输出型传感器-CN200980152398.8无效
发明人：木村教夫;政井茂雄;中野西保弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：提供具有高质量的平衡信号输出的平衡信号输出型传感器。该平衡信号输出型传感器具备：电容部，其具备作为可动电极的第1电极(101)以及与第1电极(101)对置配置的第2电极(102)；第1放大器(201)，其连接到第1电极(101)，放大来自第1电极(101)的信号；以及第2放大器(202)，其连接到第2电极(102)，放大来自第2电极(102)的信号。
平衡信号输出传感器

[发明专利]MOS晶体管电阻器、滤波器及集成电路-CN200980126904.6无效
发明人：小屉正之;政井茂雄;小林仁;山崎秀哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：MOS晶体管电阻器具备：作为电阻器而使用的第一MOS晶体管(M1)；与所述第一MOS晶体管的源极连接，施加输入电压(Vin)的输入电压源(1)；和与所述第一MOS晶体管的栅极连接，施加栅极电压(Vg)的栅极电压源(6)。栅极电压(Vg)及输入电压(Vin)被设定到第一MOS晶体管的栅-源间电压及源-漏间电压使第一MOS晶体管在非饱和区域动作的范围，同时，栅极电压(Vg)及输入电压(Vin)被设定为满足第一MOS晶体管的电阻值的温度特性为一定的条件的关系。能够降低由制造上的参差不齐引起的漏电流的变化导致的电阻值的变动，并且能够得到良好的温度特性。
mos 晶体管电阻器滤波器集成电路

[发明专利]放大设备-CN200780040735.5无效
发明人：藤田典之;政井茂雄;佐藤政晴 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：提供了一种放大设备，其中，输入阻抗被设置为几GΩ至几十GΩ，并且提高了ESD电阻。ECM连接到输入端(21)。通过CMOS放大器(20)的高输入阻抗，使得频率特性直到语音频带都变得平坦，并且输入阻抗被设置为几GΩ至几十GΩ，以便通过增大在对ECM供电之后和在大的声音检测之后的响应速度来实现期望的电特性。通过连接P沟道MOS晶体管(27)和N沟道MOS晶体管(28)作为ESD保护元件，可以构成用于将在组装期间在IC外部产生并且来自输入端(21)的浪涌电压释放到电源端子或接地端子而不影响来自输入端(21)的声音频带的信号(20Hz至20kHz)的路径。
放大设备

[发明专利]磁场检测装置-CN200810131137.5无效
发明人：富田卓哉;畑中忠太;政井茂雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：磁场检测装置被提供有：磁场检测单元，响应于输入信号的电位电平而被通电，输出响应于外围磁场而具有彼此不同的电位电平的两个信号中的任一个；通电控制单元，其产生周期性的通电控制信号，该通电控制信号指示通过采用时钟信号及通过对时钟信号进行分频或频率倍增而获得的另一个信号来通电该磁场检测单元的定时，并将通电控制信号提供给磁场检测单元；第一反相单元，将该磁场检测单元的输出信号的电位电平反相；以及通电时间周期控制单元，向该通电控制单元提供时间周期控制信号，时间周期控制信号响应于磁场检测单元的输出信号的电位电平及通过由第一反相单元将该输出信号的电位电平反相而获得的信号的电位电平，来控制该通电控制信号的时间周期。
磁场检测装置

[发明专利]金属氧化物半导体变容器及使用其的压控振荡器-CN200610054962.0无效
发明人： 政井茂雄;立山雄一;大塚崇;竹内久人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：提供了一种MOS变容器，其中振荡频率变化较小，且电容改变电压的变化较小，并且提供了使用所述MOS变容器的压控振荡器，连接了可变静电电容器，作为包括反馈电阻器(1)、放大器(2)和晶体振动器(3)的振荡电路的负载电容器，所述可变静电电容器是在MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的漏极/源极端子和栅极端子之间产生的，所述MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的源极和漏极端子短路。MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电阻器(19)的一个端子，电压被施加到电阻器(19)的另一端子，MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电容器(20)的一个端子，并且电容器(20)的另一个端子接地。
金属氧化物半导体容器使用压控振荡器