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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成芯片-CN202210670212.5在审
发明人： 戴羽腾;田希文;廖韦豪;姚欣洁;吕志伟;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开是关于一种集成芯片，包括一第一内连接介电层，排置于一基底上；一第二内连接介电层，排置于第一内连接介电层上；以及一内连接导电结构，排置于第二内连接介电层内。内连接导电结构包括一外部，其包括第一导电材料。再者，内连接导电结构包括一中心部，具有多个最外层侧壁由内连接导电结构的外部所环绕。此中心部包括不同于第一导电材料的一第二导电材料。
集成芯片

[发明专利]集成芯片-CN202210670050.5在审
发明人：姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开关于一种集成芯片，所述集成芯片包括设置在基板上方的第一互连介电层。互连线延伸穿过第一互连介电层，且阻障结构直接设置在互连线上方。集成芯片还包括设置在阻障结构上方且围绕阻障结构的外侧壁的蚀刻停止层。第二互连介电层设置在蚀刻停止层上方，且互连导孔延伸穿过第二互连介电层、蚀刻停止层及阻障结构以接触互连线。
集成芯片

[发明专利]集成芯片-CN202210604092.9在审
发明人：姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾;黄心岩;吴佳典 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种集成芯片，包括：基板。第一导线，在基板上方。第二导线，在基板上方并相邻第一导线。第一介电盖，横向地在第一导线与第二导线之间。第一介电盖将第一导线与第二导线横向地分开。第一介电盖包括第一介电材料。第一空腔，在第一介电盖正下方以及横向地在第一导线与第二导线之间。第一空腔通过第一介电盖的一个或多个表面定义。
集成芯片

[发明专利]集成芯片-CN202210554065.5在审
发明人：田希文;廖韦豪;戴羽腾;姚欣洁;吕志伟;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开关于一种集成芯片，所述集成芯片包括基板。第一导线在位于基板上方的第一介电层内。第一蚀刻停止层在第一介电层上方。第二蚀刻停止层在第一蚀刻停止层上方。导电导孔在位于第二蚀刻停止层上方的第二介电层内。导电导孔延伸穿过第二蚀刻停止层并沿着第一蚀刻停止层至第一导线。第二蚀刻停止层的第一下表面在第一蚀刻停止层的上表面上。第二蚀刻停止层的第二下表面在第一导线的上表面上。
集成芯片

[发明专利]半导体结构-CN202210579597.4在审
发明人：廖韦豪;田希文;吕志伟;戴羽腾;姚欣洁;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一导电线，设置于一基底上。一介电衬层沿第一导电线的侧壁及上表面排列，且由一第一介电层所横向环绕。介电衬层及第一介电层为不同的材料。一导电介层连接窗(via)设置于第一导电线上方的一第二介电层内。导电介层连接窗具有一第一下表面位于第一介电层上及一第二下表面位于第一下表面下方及第一导电线上方。
半导体结构

[发明专利]互连结构-CN202210492116.6在审
发明人：廖韦豪;田希文;戴羽腾;吕志伟;姚欣洁;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提出一种互连结构。互连结构包含导电层的第一部分、邻近导电层的第一部分设置的导电层的第二部分以及在导电层的第一和第二部分之间设置的介电泡沫。介电泡沫包含用二氧化碳气体填充的流体间隙。
互连结构

[发明专利]内连线结构-CN202210430100.2在审
发明人：廖韦豪;田希文;戴羽腾;吕志伟;姚欣洁;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种内连线结构，包括介电层、第一导电部件、第二导电部件、第三导电部件和电介质填充物。第一导电部件，设置于介电层中。第二导电部件，设置于第一导电部件上方。第二导电部件包括设置于第一导电部件上方的第一导电层、设置于第一导电层上的第二导电层以及设置于第二导电层上的第三导电层。第一导电层、第二导电层和第三导电层具有实质上相同的寛度。第三导电部件，设置于介电层上方，第三导电部件包括设置于介电层上方的第四导电层、设置于第四导电层上的第五导电层，以及设置于第五导电层的第六导电层，第四导电层、第五导电层和第六导电层具有实质上相同的寛度。电介质填充物，设置于介电层上方，且介于第二导电部件和第三导电部件之间。
连线结构

[发明专利]集成芯片-CN202210292224.9在审
发明人：姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开是关于包括在基板上的第一互连介电层的集成芯片。互连导线延伸穿过第一互连介电层，且导线结构上介电质直接设置于互连导线上。导线结构上介电质的外壁被第一互连介电层围绕。集成芯片更包括第二互连介电层，设置于第一互连介电层上，以及互连导孔，延伸穿过第二互连介电层及导线结构上介电质，以接触互连导线。
集成芯片

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210087925.9在审
发明人：田希文;廖韦豪;戴羽腾;姚欣洁;吕志伟;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法，形成互连结构的方法使用直接金属蚀刻方式，以形成且填充金属间隙。所述方法可包括直接蚀刻第一金属层以形成多个金属图案。金属图案彼此可被多个凹槽间隔开。可形成介电间隔物，沿着每个凹槽的侧壁延伸。可以导电材料填充所述凹槽，以形成多个第二金属图案。通过直接蚀刻金属膜，此技术允许降低线宽粗糙度。所公开的结构可以具有增加的可靠度、较佳的电阻电容(RC)性能及降低的寄生电容的优点。
半导体装置形成方法

[发明专利]集成芯片-CN202110742695.0在审
发明人：田希文;廖韦豪;戴羽腾;姚欣洁;吕志伟;李忠儒;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开是关于集成芯片。集成芯片包括在基底上的介电层。第一金属部件在介电层上。第二金属部件在介电层上且横向相邻于第一金属部件。第一介电衬层区段沿着介电层的上表面在第一金属部件与第二金属部件之间横向延伸。第一介电衬层区段从介电层的上表面连续延伸至沿着第一金属部件面向第二金属部件的侧壁，且连续延伸至第二金属部件面向第一金属部件的侧壁。第一空腔横向位于第一介电衬层区段的侧壁之间，且在第一介电衬层区段的上表面上。
集成芯片

[发明专利]半导体结构-CN202110630955.5在审
发明人：姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括设置在半导体基板上方的互连结构；下层金属线设置在半导体基板上方的第一高度，并延伸穿过第一层间介电层。第二层间介电层设置在半导体基板上方的第二高度并包括第一介电材料。上层金属线设置在半导体基板上方的第三高度。导孔设置在第二高度。导孔在下层金属线和上层金属线之间延伸。保护性介电结构设置在第二高度。保护性介电结构包括保护性介电材料，并且沿着导孔第一组相对侧壁设置，保护性介电材料不同于第一介电材料。
半导体结构

[发明专利]集成芯片-CN202110652634.5在审
发明人：廖韦豪;田希文;吕志伟;戴羽腾;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种集成芯片，包括位于基板上的一对第一金属线。第一层间介电(interlayer dielectric，ILD)层横向位于该对第一金属线之间。第一ILD层包括第一介电材料。一对间隔物位于第一ILD层的两侧，且通过一对空腔(cavities)与第一ILD层横向分隔。该对间隔物包括第二介电材料。此外，该对空腔是由第一ILD层的相对侧壁以及面向第一ILD层的该对间隔物的多个侧壁所定义。
集成芯片

[发明专利]半导体结构-CN202110539222.0在审
发明人： 戴羽腾;廖韦豪;姚欣洁;田希文;吕志伟;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种半导体结构。半导体结构包含：位于基板上的第一层间电介质层。下导电导孔设置于第一层间电介质层内。多个导电线路位于第一层间电介质层上。第二层间电介质层侧向设置于导电线路之间，其中第二层间电介质层包括第一材料。侧壁间隔物结构设置于第二层间电介质层以及多个导电线路之间。侧壁间隔物结构沿着各导电线路的相对侧壁连续地延伸。侧壁间隔物结构的顶表面在多个导电线路的顶表面的垂直上方，且其中侧壁间隔物结构包括不同于第一材料的第二材料。
半导体结构

[发明专利]集成芯片-CN202011502927.7在审
发明人：田希文;廖韦豪;戴羽腾;姚欣洁;吕志伟;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种集成芯片，集成芯片包含一下导电结构，下导电结构设置于一基板的上方。一蚀刻停止层被设置于下导电结构的上方，且一第一内连接介电层被设置于蚀刻停止层的上方。集成芯片还包含一内连接通孔，内连接通孔延伸通过第一内连接介电层与蚀刻停止层，以与下导电结构直接接触。一保护层围绕内连接通孔的最外侧壁。
集成芯片

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