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[发明专利]一种外延反应室的导流装置及外延设备-CN202310932768.1在审
发明人：张南;仇礼钦;彭定强;戴科峰;刘自然;罗骞;伍三忠 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本申请涉及外延生长技术领域，具体而言，涉及一种外延反应室的导流装置及外延设备，其中外延反应室的导流装置包括导流组件；导流组件设置在外延反应室内部，位于衬底托盘正上方且与供气口连接；导流组件包括与供气口连接且朝向衬底托盘设置的导流管和位于导流管中部的导流件；导流件包括低于导流管末端的扩散板。本申请的外延反应室的导流装置能解决在衬底上进行外延生长时竖直方向通气产生的气体逆向流动情况导致的外延生长不均匀的问题，达到在各个衬底上进行均匀生长的效果。
一种外延反应导流装置设备

[发明专利]一种传片漏气检测装置及方法、传片装置及方法-CN202310635028.1在审
发明人：王鑫;盛飞龙;高桑田;仇礼钦;戴科峰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01M3/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种传片漏气检测装置及方法、传片装置及方法，其中传片漏气检测装置，应用在外延设备中，外延设备包括传送腔和反应腔，传片漏气检测装置包括过渡腔和用于向过渡腔和传送腔充入惰性气体的充气装置，传送腔通过过渡腔与反应腔连通，传送腔与过渡腔之间设置有第一插板阀，过渡腔和反应腔之间设置有第二插板阀，传送腔内有第一真空计，过渡腔内有氧气传感器和第二真空计，通过该方式可实时检测传送腔内是否存在漏气点，从而防止空气进入反应腔中与反应腔中的氢气结合产生爆炸。
一种漏气检测装置方法

[发明专利]外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210686166.8有效
发明人： 戴科峰;高桑田;仇礼钦;唐卓睿;黄吉裕 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
外延设备镀膜厚度监控方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质-CN202210815561.1有效
发明人：仇礼钦;高桑田;戴科峰;郭嘉杰;王鑫 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，外延片的冷却系统用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，包括旋转装置、监测装置、吹扫装置和控制器，控制器用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域，通过本方案可实时监测外延片表面的温度及应力分布情况，从而消除已发生翘曲的区域，且能预防外延片发生翘曲。
一种外延冷却系统方法电子设备存储介质

[发明专利]一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质-CN202111665014.1有效
发明人：王鑫;高桑田;钟新华;仇礼钦;盛飞龙;唐卓睿;戴科峰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
一种外延氢气吸收系统方法电子设备存储介质

[发明专利]一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备-CN202310111885.1在审
发明人：高桑田;毛朝斌;梁启恒;王鑫;仇礼钦;戴科峰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，其包括：反应室，其室内设有反应腔和位于反应腔上的旋转片盒放置槽，旋转片盒放置槽的底部设有与反应腔连通的第一开口；设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口，多个出气口沿第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在旋转片盒放置槽内，旋转片盒底面设有正对于第一开口的第二开口，旋转片盒底面设有位于出气口上方的圆槽和圆周阵列在圆槽外周并与圆槽连通的多个倾斜槽；该装置能够避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
一种用于反应倒置式气浮装置外延设备

[发明专利]外延设备的气浮传输系统、方法及外延设备-CN202211399678.2在审
发明人：高桑田;梁启恒;毛朝斌;戴科峰;王鑫;仇礼钦 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的气浮传输系统、方法及外延设备，其中，系统包括：传输底座，具有朝上设置的气浮通道，气浮通道具有阵列设置多个气浮管组；托盘，用于承托衬底，放置在传输底座上；传输底座包括固定在外延设备的反应腔中的第一气浮底座及固定在反应腔外的第二气浮底座；位置检测组件，用于获取托盘的位置信息；多个进出气组件，分别与每个气浮管组连接，用于朝向气浮管组送气或吸气；控制器，与位置检测组件及进出气组件电性连接；控制器用于根据位置信息控制不同进出气组件进气或吸气以驱动托盘在气浮通道上位移；该系统解决了反应腔高温环境影响传输机械臂及其上夹具的使用寿命的问题。
外延设备传输系统方法

[发明专利]甩干机的烘干系统、方法、设备、存储介质及甩干机-CN202210146404.6有效
发明人：盛飞龙;吴彩庭;戴科峰;伍三忠;吴帆;徐俊 -专利权人：季华恒一（佛山）半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： F26B11/08 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种甩干机的烘干系统、方法、设备、存储介质及甩干机，甩干机的烘干系统包括甩干桶，还包括：吹扫机构，用于送入吹扫气体；加热机构，用于加热吹扫气体和甩干桶；气体流量调节机构，用于调节吹扫气体的流量；温度湿度传感器，用于测量甩干桶内的温度信息和湿度信息；控制器，用于获取温度信息和湿度信息；在湿度信息大于预设湿度阈值，且温度信息小于或等于预设温度阈值时，减小吹扫机构中吹扫气体的流量；在湿度信息大于预设湿度阈值，且温度信息大于预设温度阈值时，增大吹扫机构中吹扫气体的流量，本申请提出的烘干系统可自动调节吹扫气体流量，实现了甩干机自动化烘干，并提高能源利用率。
甩干机烘干系统方法设备存储介质

[发明专利]一种用于反应室的气浮驱动装置、系统及方法-CN202211286779.9在审
发明人：盛飞龙;郭嘉杰;王鑫;吴帆;戴科峰;梁启恒 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的气浮驱动装置、系统及方法，该装置包括：气浮气体供应组件，用于供应包括氢气和惰性气体的气浮气体；第一气浮气路，通过第一质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；第二气浮气路，通过第二质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；压差测量组件，与所述第一气浮气路和所述第二气浮气路连接，用于生成所述第一气浮气路和所述第二气浮气路之间的压差信息；该装置能够有效地延长底座的使用寿命和降低更换底座的频率。
一种用于反应驱动装置系统方法

[发明专利]外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质-CN202111348403.1有效
发明人：仇礼钦;戴科峰;黄吉裕;高桑田;唐卓睿;罗骞 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
外延设备系统权限控制方法装置存储介质

[发明专利]外延设备反应腔排气结构的寿命预测方法、设备及介质-CN202211173620.6在审
发明人：高桑田;戴科峰;毛朝斌;王鑫;仇礼钦 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种外延设备反应腔排气结构的寿命预测方法、设备及介质；该方法用于预测外延设备排气结构中的蝶阀的橡胶圈剩余使用寿命以获取排气结构可使用时间，方法包括以下步骤：获取反应腔内排出的气体流量信息、气体组分信息；根据气体流量信息、气体组分信息、排气结构管路半径获取反应气体的气体常数信息；根据气体常数信息、反应类型信息、反应温度信息获取老化反应速率常数信息；根据老化反应速率常数信息及橡胶圈老化常数获取橡胶圈疲劳变化参数关于时间的疲劳模型；基于疲劳模型根据橡胶圈使用时长、预设的疲劳极限信息计算橡胶圈的剩余使用寿命，该方法能有效预测蝶阀的橡胶圈剩余使用寿命。
外延设备反应排气结构寿命预测方法介质

[发明专利]PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质-CN202210687606.1在审
发明人： 戴科峰;刘自然;何嵩;唐卓睿;吴国发 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
pecvd 设备清洗时间预测方法装置介质

[发明专利]一种反应腔的温度补偿装置、系统及方法-CN202210748988.4在审
发明人：高桑田;仇礼钦;王鑫;戴科峰;毛朝斌;谢利华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种反应腔的温度补偿装置、系统及方法，所述外延设备包括所述反应腔和感应线圈，所述感应线圈螺旋设置在所述反应腔外，所述反应腔的外形为圆柱形，所述反应腔的温度补偿装置包括：温度补偿线圈，设置在所述反应腔外；水平驱动组件，与所述温度补偿线圈连接，用于驱动所述温度补偿线圈沿平行于所述反应腔的轴心线的方向位移；旋转组件，与所述水平驱动组件连接，用于驱动所述水平驱动组件旋转；该装置能够对温场分布不均匀对应的局部位置进行补偿加热，以使反应腔内的温场分布均匀。
一种反应温度补偿装置系统方法

[发明专利]一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法-CN202210749237.4在审
发明人：唐卓睿;孔倩茵;戴科峰;仇礼钦;王鑫;毛朝斌;谢利华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H05B6/40 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供了一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法，其中，装置包括：距离调节组件，具有两个调节臂，所述调节臂用于调节每匝所述感应线圈之间的螺距；第一水平驱动组件，与所述距离调节组件连接，用于驱动所述距离调节组件沿平行于所述感应线圈的螺旋轴心线的方向位移；竖直驱动组件，与所述第一水平驱动组件连接，用于驱动所述第一水平驱动组件沿所述感应线圈的径向的方向位移，以使所述距离调节组件朝向或背离所述感应线圈的螺旋轴心线位移；该装置无需通过手工测量试错的方式对螺距进行调节并有效地降低调节感应线圈的螺距的人力成本。
一种感应线圈螺距调节装置系统方法

[发明专利]一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法-CN202110938495.2有效
发明人：盛飞龙;钟新华;胡承;吴帆;戴科峰;唐卓睿 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及温度测量技术领域，具体公开了一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法，系统用于测量反应室内高温工况下的温度分布情况，包括：反应室，其外壁设有一测温口；测温器，用于测量反应室内温度情况，与测温口摆动连接；摆动驱动器，用于驱动测温器在测温口内摆动；控制器，用于控制摆动驱动器运行使测温器在测温口中摆动以获取反应室内不同位置的温度信息，控制器根据不同位置的温度信息绘制热场曲线。该系统仅需在反应室外壁设置一测温口安装测温器便可进行区域化测温，避免反应室开设过多测温孔导致反应室中热量散失，并能基于温度信息绘制热场曲线，为反应室内温度工况分析、调节提供数据基础。
一种反应温度测量系统方法装置调节

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