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[发明专利]读出电路及读取方法、图像传感器-CN202211027523.6有效
发明人：蔡化;陈正;陈飞;夏天;王勇 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H04N25/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种读出电路及读取方法、图像传感器，所述读出电路，包括：采样模块、信号比较模块以及计数模块；所述采样模块包括第一采样单元和第二采样单元；所述第一采样单元的一端以及所述第二采样单元的一端分别连接像素单元；所述第一采样单元的另一端以及所述第二采样单元的另一端分别连接所述信号比较模块；所述计数模块连接所述信号比较模块，所述计数模块获取所述信号比较模块输出的比较结果。本发明所提供的读出电路的转换周期的是在所述斜坡信号小于所述复位信号时开始、到所述斜坡信号小于所述积分信号时结束，相比于现有技术，节省了约两倍VR阶段所对应的时长，即有效缩短了读出电路的转换周期。
读出电路读取方法图像传感器

[发明专利]校正电路、像素单元的读出电路及CMOS图像传感器-CN202111371652.2有效
发明人：高菊;蔡化;陈飞;芮松鹏;陈正;夏天 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种校正电路、像素单元的读出电路及CMOS图像传感器，该校正电路包括第一源跟随器、第二源跟随器和电容；该第一源跟随器的输入端连接斜坡发生器以获得初始斜坡电压，该第一源跟随器用于将该初始斜坡电压转换为斜坡电压；该电容的第二端连接像素电路以获得噪声电压，该电容用于耦合该第一源跟随器输出端所输出的斜坡电压和该像素电路输出的噪声电压，形成第一耦合电压；该第二源跟随器用于将第一耦合电压转换为第二耦合电压。本发明通过该校正电路，使读出电路的比较器两个输入端可以接收到同样的噪声电压，并彼此抵消，从而降低像素单元的噪声电压。
校正电路像素单元读出 cmos 图像传感器

[发明专利]积分器电路及其工作时序控制方法和电子装置-CN202010203092.9有效
发明人：何学红;陈西昌;张正威;王福;刘路 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种积分器电路及其工作时序控制方法和电子装置，所述积分器电路包括：第一电流源、第一开关、积分电容、运算放大器、第二电流源和第二开关；其中，第一电流源的一端连接第一电源，第一电流源的另一端连接运算放大器的一输入端、积分电容的一端和第一开关的一端，运算放大器的输出端连接积分电容的另一端、第一开关的另一端和第二开关的一端并作为积分器电路的输出端，第二开关的另一端连接第二电流源的一端。本发明的技术方案使得运算放大器在复位阶段和积分阶段的工作状态一致，加快了积分器电路的输出建立速度，提升了积分器电路输出电压信号的线性度和有效信号幅度，也大幅度节省面积和功耗，利于芯片的低功耗和小型化设计。
积分器电路及其工作时序控制方法电子装置

[发明专利]一种图像传感器读出方法和图像传感器-CN202211228193.7有效
发明人：蔡化;王勇;陈正;夏天;陈飞 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H04N25/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器的读出方法和图像传感器，用以实现偏置信号的快速建立。该图像传感器包括n组像素单元组成的像素阵列用于产生图像信号；包括n个尾电流源管的尾电流源模块产生尾电流；基准源生成基准信号、第一基准电流和第二基准电流。第一偏置源将第一基准电流转换成第一偏置电压，并将第一偏置电压输出至模数转换单元，第二偏置源将第二基准电流转换成第二偏置电压并将第二偏置电压输出至模数转换单元，第一偏置源和第二偏置源共同驱动像素阵列的每一组配置的尾电流源；像素阵列输出每一组的像素单元输出信号。模数转换单元基于基准信号将每一组的像素单元输出信号进行量化，量化后的数字量输出到输出信号处理系统作后续数据处理。
一种图像传感器读出方法

[发明专利]图像传感器结构-CN202010107639.5有效
发明人：范春晖 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器结构，包括：衬底，设于所述衬底上的浅槽隔离区，依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区，以及设于靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区表面上的导电层；其中，在粒子照射下，所述导电层中产生负电荷，用于与所述浅槽隔离区的填充材料中产生的正电荷相互抵消，从而可避免靠近浅槽隔离区的硅衬底表面产生暗电流。
图像传感器结构

[发明专利]一种CMOS图像传感器像素单元结构和形成方法-CN201911334323.3有效
发明人：顾学强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器像素单元结构，设于上下堆叠的上层硅衬底和下层硅衬底上；所述上层硅衬底上设有上层光电二极管，所述下层硅衬底上设有下层光电二极管，所述上层光电二极管与所述下层光电二极管上下对应，且其之间设有光通道；其中，任意一对所述上层光电二极管和所述下层光电二极管分别接收的光信号，在进行光电转换后通过同一像素单元进行信号输出。本发明通过两片CMOS图像传感器芯片的混合键合，实现了上下像素单元之间的互连，从而可以利用位于下层的光电二极管对近红外入射光线的收集，提高像素单元的量子效率。
一种 cmos 图像传感器像素单元结构形成方法

[发明专利]一种基于背照式图像传感器芯片的封装方法-CN201911081319.0有效
发明人：蔡小虎;温建新;叶红波;史海军;宋汉城 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于背照式图像传感器芯片的封装方法，包括：提供一背照式图像传感器芯片，芯片的正面上形成有多个焊盘；在芯片的正面上覆盖绝缘层，在绝缘层中形成新的焊盘的阵列，使每个焊盘与一个新的焊盘相连；在每个新的焊盘上植球；提供一管壳，管壳的底面上形成有与新的焊盘的阵列对应的引脚的阵列；使新的焊盘的阵列与引脚的阵列对准，将芯片贴装在管壳的底面上，并对新的焊盘与引脚进行焊接，实现芯片与管壳之间的电性连接；将盖板盖在管壳上，使芯片封装在管壳内。本发明能够提高工业用陶瓷封装图像传感器的可靠性，减小封装尺寸以及减少封装工序。
一种基于背照式图像传感器芯片封装方法

[发明专利]自检测的电流型温度传感器及温度检测设备-CN202111199254.7有效
发明人：夏天;蔡化;陈飞;芮松鹏;陈正;高菊 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种自检测的电流型温度传感器，包括自检模块、电流源提供单元、积分器、量化器和滤波器，自检模块包括自检电流源和自检开关，自检电流源的正极接地，自检电流源的负极通过自检开关连接电流源提供单元，自检电流源用于使电流型温度传感器输出第一量化输出值，第一量化输出值用于检测电流型温度传感器是否失效，通过自检电流源使电流型温度传感器输出第一量化输出值，第一量化值用于检测电流型温度传感器是否失效，从而完成对电流型温度传感器的自检测，实现了电流型温度传感器的自检测功能。结构简单，占用芯片面积小，成本低，自检测准确度高，稳定性高。本发明还提供了一种温度检测设备，包括电流型温度传感器。
检测电流温度传感器温度设备

[发明专利]温度传感器及测温设备-CN202111197789.0有效
发明人：夏天;蔡化;陈飞;芮松鹏;陈正;高菊 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种温度传感器，包括自检测单元、电流源单元和模数转换单元，所述电流源单元连接所述模数转换单元；自检测单元与电流源单元通过自检开关连接，自检测单元包括第一自检电流源和第二自检电流源，第一自检电流源和第二自检电流源用于使模数转换单元输出第二量化输出值，第二量化输出值用于检测温度传感器是否失效。设置了自检测单元，实现了电流型温度传感器的自检测功能，自检测单元结构简单，占用芯片面积小，成本低，自检测准确度高，稳定性高。自检测单元对温度传感器的自检测精确且稳定，提高了温度传感器的自检测的准确率。本发明还提供了一种包括温度传感器的测温设备。
温度传感器测温设备

[发明专利]二级放大电路、比较电路、读出电路及图像传感器电路-CN202111295629.X有效
发明人：蔡化;陈正;高菊;陈飞;芮松鹏;夏天 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种二级放大电路，包括二级放大单元和漏电补偿单元，所述二级放大单元包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电容，所述漏电补偿单元与所述第一电容连接，用于与所述第一电容共享电荷，以补偿所述第一电容因漏电流流失的电荷，能够有效的降低漏电流对电路的影响。本发明还提供了一种比较电路、读出电路及图像传感器电路。
二级放大电路比较读出图像传感器

[发明专利]一种减小噪声的图像传感器结构及制造方法-CN201911173724.5有效
发明人：顾学强;王玮;周阳 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小噪声的图像传感器结构及制造方法，图像传感器结构包括：设于所述半导体衬底上像素单元区域的厚栅氧层；设于所述厚栅氧层上的源极跟随管栅极；其中，所述厚栅氧层上具有凹槽，所述凹槽底面处残余的所述厚栅氧层厚度大于等于薄栅氧层的厚度要求，所述凹槽具有向下渐缩的侧壁轮廓，所述源极跟随管栅极同时覆盖于所述凹槽的底面和所述凹槽以外的所述厚栅氧层表面上。本发明能够有效降低图像传感器像素单元的读出噪声，并可以有效降低源极跟随管工作时在复合栅氧结构台阶处的电场强度，同时还能够降低源极跟随管栅氧劣化的概率。
一种减小噪声图像传感器结构制造方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器结构及制造方法-CN201911334363.8有效
发明人：顾学强;王玮;李梦 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器结构及制造方法，CMOS图像传感器结构包括位于硅衬底上的像素单元阵列区域和位于像素单元阵列区域周围的外围电路区域，像素单元阵列区域的硅衬底中设有第一埋氧层，外围电路区域的硅衬底中设有第二埋氧层，第一埋氧层距离硅衬底正面的深度大于第二埋氧层距离硅衬底正面的深度，第一埋氧层与硅衬底正面表面之间的硅衬底中设有硅外延层，硅外延层中设有像素单元阵列的多个感光部，第二埋氧层与硅衬底正面表面之间的硅衬底上设有外围电路。本发明可在外围电路使用低功耗SOI器件的同时，实现背照式图像传感器像素单元的制造，并可避免常规背照式工艺容易造成杂质自掺杂和减薄后厚度均匀性较差的问题。
一种 cmos 图像传感器结构制造方法

[发明专利]一种内透镜的制作方法-CN201911354107.5有效
发明人：姚嫦娲;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种内透镜的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层和光刻胶图形，采用各向异性刻蚀牺牲层形成第一个凹槽；采用各向同性刻蚀在第一个凹槽下方形成宽度大于第一个凹槽的第二个凹槽；重复前述步骤，在牺牲层中形成多个凹槽，使其中偶数位上的各凹槽的宽度依次递增，形成空腔；采用各向同性刻蚀，对空腔的侧壁进行修剪，形成具有台阶状侧壁的空腔；在空腔中填充底层内透镜材料，然后去除牺牲层，形成具有台阶状表面形貌的底层内透镜材料层；在底层内透镜材料层上覆盖形成顶层内透镜材料层，形成内透镜结构。本发明工艺窗口较大，可采用常规半导体工艺方法实现，易于开发和管控。
一种透镜制作方法

[发明专利]一种改善传输迟滞的像元结构-CN202110062018.4有效
发明人：范春晖;葛星晨 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种改善传输迟滞的像元结构，包括一个用于收集入射光线并进行光电转换产生载流子的光电二极管、包括传输晶体管的多个场效应晶体管以及一个浮置扩散区；其中，在光电二极管的上方介质层中，设置多个金属块，并在金属块上施加不同的电压，或在光电二极管侧边浅槽隔离区，设置单个金属块，并在金属块上施加电压，或两种方式的结合，使得在光电二极管中形成具有方向性的电场分布。因此，本发明通过这种方式，可以实现在较短的传输晶体管开启时间内，将光电二极管中的所有载流子全部传输到浮置扩散区，从而提高了光电二极管中载流子的传输效率，改善了传输迟滞问题。
一种改善传输迟滞结构

[发明专利]电荷泵电路、电荷泵系统及集成电路芯片-CN202111045869.4有效
发明人：段杰斌;李琛;郭令仪;杨何勇;王修翠 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明的电荷泵电路包括：电容单元，其包括四个电容器；开关单元，其具有四个控制端，四个控制端分别接入电容单元之四个不同的电容器；开关单元具有两种不同的开启特性；时钟单元，其用于向开关单元发送电平信号，以驱动开关单元于第一时钟周期内转换至一种开启特性，于第二时钟周期内转换至另一种开启特性；电荷泵电路被配置为，基于开关单元在两种不同的开启特性之间转换，使不同的控制端连接的电容器充电或放电，进而使电荷泵电路的输出电压为输入电压与时钟发生器的时钟幅值之和。如上配置，可使开关单元具有两种不同的开启特性以控制不同的电容器充电或者放电，并基于时钟发生器的时钟幅值，实现升压处理。
电荷电路系统集成电路芯片

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