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- [实用新型]晶圆制样装置-CN202121153051.X有效
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蒲以松;惠聪
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2021-05-27
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2021-07-06
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G01N1/28
- 本实施例涉及一种晶圆制样装置，包括：底座；定位轴，设置于底座上；承载结构，包括一穿设于定位轴内的转轴，以及设置于转轴上的载台；圆心定位结构，包括均匀的围设于定位轴的外围的多个伸缩抓手，用于控制多个伸缩抓手同步进行伸缩运动的第一控制单元，以及用于感应多个伸缩抓手是否与晶圆接触的传感器；待切割位置确定结构，包括用于控制载台转动的第二控制单元，以及位于载台的一侧的寻边器，寻边器用于在载台带动其上的晶圆转动的过程中，确定晶圆上的缺口的位置，第二控制单元还用于根据缺口的位置控制载台转动，以使得待切割位置位于预设位置；切割裂片结构，用于对晶圆的待切割位置进行切割裂片。
- 晶圆制样装置
- [实用新型]测量晶圆直径的装置-CN202022013645.2有效
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蒲以松;惠聪
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2020-09-15
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2021-03-02
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G01B11/08
- 本实用新型公开了一种测量晶圆直径的装置；该装置可以包括：底座、支撑架部件、承载台、环形发光部件、CCD相机以及数据处理部分；其中，支撑架部件设置于底座上表面，用于固定CCD相机以及环形发光部件；承载台设置于底座上表面，且承载台的台面用于承载待测晶圆；环形发光部件由竖直方向照射至待测晶圆；CCD相机的镜头在竖直方向上设置于环形发光部件的上侧，由竖直方向采集待测晶圆处于照射状态下的原始轮廓图像；数据处理部分，经配置为基于CCD相机采集到的原始轮廓图像获取待测晶圆的边缘数据；以及，根据待测晶圆的边缘数据拟合待测晶圆的轮廓数据；以及根据待测晶圆的轮廓数据获取待测晶圆的直径。
- 测量直径装置
- [实用新型]晶圆切割裂片装置-CN202020498218.5有效
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蒲以松;惠聪
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2020-04-08
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2021-01-29
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B28D5/04
- 本实用新型涉及一种晶圆切割裂片装置，包括：底座；设置于底座上的载物台，具有用于承载待裂片晶圆的承载面；限位结构，设置于承载面上、用于限定待裂片晶圆的裂片位置；切割组件，包括对称设置于载物台相对的两侧的两个支架，两个支架之间设置有悬置于载物台上方的滑杆，具有第一滑槽的滑块，滑块通过第一滑槽套设在滑杆上、并可沿着滑杆滑动，滑块面向载物台的一侧设置有对待裂片晶圆的裂片位置进行划痕、以形成预设裂纹的切割刀，以及对待裂片晶圆上预设裂纹的两侧施压的下压部；顶板组件，位于承载面边缘的固定槽内，包括对待裂片晶圆的预设裂纹施压、以与下压部相配合以对待裂片晶圆裂片的上压部。
- 切割裂片装置
- [实用新型]测量晶圆直径的装置-CN202022025454.8有效
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蒲以松;惠聪
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2020-09-16
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2020-10-27
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G01B21/10
- 本实用新型公开了一种测量晶圆直径的装置；该装置可以包括：底座；支撑组件，设置于所述底座上表面；均匀设置于所述支撑组件的多个凸台，其中，每个所述凸台至少包括两级台阶，所有凸台的较低台阶表面处于同一水平面且用于承载待测晶圆；与所述凸台一一对应设置的传感器，其中，每个所述传感器设置于对应凸台的较低台阶表面上，每个传感器的感应信号发射端均指向所述待测晶圆的圆心，且所述待测晶圆的径向位于所述传感器之间；与所述传感器相连接的数据处理部分，经配置为采集所述传感器的感应数据并基于所述感应数据获取所述待测晶圆的直径。
- 测量直径装置
- [实用新型]一种石英坩埚检测装置-CN201922092213.2有效
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蒲以松;惠聪;王腾;杨帅军
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2019-11-28
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2020-08-18
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G01N21/896
- 本实用新型公开了一种石英坩埚检测装置，包括可转动底板组件、图像采集单元、伸缩旋转机构和图像处理单元，其中，所述可转动底板组件用于放置待测的石英坩埚，以使所述石英坩埚能够绕其中心轴转动；所述图像采集单元通过所述伸缩旋转机构安装在所述可转动底板组件上，以使所述伸缩旋转机构带动所述图像采集单元进行平移和旋转运动，进而采集所述石英坩埚的表面图像；所述图像处理单元电连接所述图像采集单元，用于根据所述表面图像判断所述石英坩埚是否存在缺陷。本实用新型的装置通过图像采集单元对石英坩埚表面进行图像采集，并通过图像处理单元对缺陷进行提取记录，能够自动全方位地检测石英坩埚上是否存在缺陷。
- 一种石英坩埚检测装置
- [实用新型]一种半导体切割装置-CN201922103837.X有效
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惠聪;阴俊沛;蒲以松
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2019-11-29
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2020-08-14
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B28D5/04
- 本实用新型提供一种半导体切割装置，包括基座；载物台，固定于所述基座上，用于承载待切割半导体；第一支撑架，与所述基座转动连接，且能够绕所述载物台的中轴线转动；第二支撑架，设置于所述第一支撑架上，且能够在所述第一支撑架上沿垂直于所述载物台的中轴线的方向滑动；导轨，固定于所述第二支撑架上；刀具夹具，用于夹持刀具，所述刀具夹具可滑动地设置于所述导轨上。这样，本实用新型实施例可以通过第一支撑架和第二支撑架相配合，能够调节夹持于刀具夹具上的刀具与承载于载物台上的待切割半导体之间的角度，并进一步通过在导轨上滑动刀具实现对于半导体的切割，切割位置较为准确，不易发生偏差，有助于提高对于半导体切割准确程度。
- 一种半导体切割装置
- [实用新型]一种晶圆的定位寻边装置-CN202021040932.6有效
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蒲以松;惠聪
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2020-06-09
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2020-07-14
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H01L21/68
- 本实用新型公开了一种晶圆的定位寻边装置，属于半导体技术领域，解决的技术问题为目前的定位寻边装置不能同时实现晶圆的圆心定位、寻边、缺口旋转至指定位置等多种功能的需求，定位寻边装置包括底座；检测单元，检测单元包括设置于底座上的第一驱动机构和可围绕底座的中心轴线旋转并沿底座的径向方向可伸缩的检测机构；定心单元，定心单元包括设置于第一驱动机构上且可进行转动的转动轴和间隔设置于转动轴的侧壁上的若干可进行伸缩的定位结构；真空吸盘装置，真空吸盘装置设置于转动轴上，且真空吸盘装置可转动并可沿底座的轴向进行移动。本实用新型的定位寻边装置能够同时实现晶圆的定位、寻边、缺口位置旋转至指定位置等多个功能的需求。
- 一种定位装置
- [发明专利]单晶炉及单晶硅制备方法-CN201911335647.9在审
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蒲以松;惠聪
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2019-12-23
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2020-04-10
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C30B15/14
- 本发明提供了一种单晶炉及单晶硅制备方法，属于半导体技术领域。单晶炉，包括：炉体；位于所述炉体内的石墨坩埚；位于所述石墨坩埚内的石英坩埚，所述石英坩埚用于盛装待熔化的多硅晶料；与所述炉体同轴、圆筒状的侧石墨加热器，套设在所述石墨坩埚外侧；设置在所述石墨坩埚底部的下石墨加热器；位于所述石英坩埚上方的导流筒；位于所述石英坩埚和所述导流筒之间的上加热器；位于所述导流筒的上端外侧、且位于所述侧石墨加热器上方的上保温罩；设置在所述上保温罩上方的保温盖；设置在所述保温盖与所述炉体的内壁接触位置处的圆形环状石墨件。本发明能够提供均匀可控的热环境，加快传热效率，提高单晶硅棒的产率，保证所拉制单晶硅棒的质量。
- 单晶炉单晶硅制备方法
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