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[发明专利]填充微电子器件中的孔的方法-CN201280015158.5有效
发明人：托马斯·B·理查德森;约瑟夫·A·阿比斯;邵文博;王晨;文森特·小·派纳卡西奥;王才;林宣;希欧多尔·安东内利斯 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C25D3/18 文献下载
摘要：一种用于金属化半导体集成电路装置中的硅通孔结构的方法，所述方法包括在填充周期期间，使电路的极性反向一时间间隔以在所述金属化衬底上产生阳极电势以及使整平剂从所述孔内的铜表面脱附，然后通过将所述孔内的铜表面重建为电路中的阴极来恢复铜沉积，从而产生铜填充的孔结构。
填充微电子器件中的方法

[发明专利]用于在介电基板上沉积导电聚合物的组合物和方法-CN201180063797.4有效
发明人：克里斯坦·黎特曼;汉纳·拉斯姆森;让·拉斯姆森 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在介电基板上沉积导电聚合物的组合物和方法。尤其，本发明涉及一种在介电基板的表面上形成导电聚合物的组合物，所述组合物包含至少一种可形成导电聚合物的可聚合单体、乳化剂和酸，其特征在于所述组合物包含至少一种选自锂离子、钠离子、铝离子、铍离子、铋离子、硼离子、铟离子和烷基咪唑离子的金属离子。
用于介电基板上沉积导电聚合物组合方法

[发明专利]银与含氟聚合物纳米粒子的电沉积-CN201480026664.3在审
发明人：李敬业;约瑟夫·A·阿贝斯;小爱德华·库德拉克 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：提供了电镀组合物和用于使银或银合金与含氟聚合物纳米粒子共沉积的电镀方法。含有含氟聚合物纳米粒子的银或银合金复合涂层具有增强的功能特性，例如减小的摩擦系数。该电镀组合物包括：(a)包括甲烷磺酸银(Ag-MSA)的银离子源；(b)包括具有含氮杂环的化合物的络合剂；(c)包括含氟聚合物纳米粒子颗粒和表面活性剂的预混合分散系，所述含氟聚合物纳米粒子颗粒具有从约10nm至约500nm的平均粒径；和(d)包括阳离子含氟表面活性剂的助表面活性剂，其中，所述组合物具有从约8至约14的pH值。
聚合物纳米粒子沉积

[发明专利]用于塑料表面的无铬酸洗液-CN201410489310.4在审
发明人：马克·皮特·舒尔德曼;乌尔里希·普林茨;克里斯托弗·沃尔纳 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C23C18/24 文献下载
摘要：一种在金属喷镀准备阶段用于塑料表面预处理的酸洗溶液，该溶液包含一种锰(VII)离子源和一种无机酸；其中该酸洗溶液完全不含铬（VI）离子、碱金属离子及碱土金属离子。
用于塑料表面酸洗

[发明专利]用于在激光直接成型基底上无电铜沉积的水性活化剂溶液和方法-CN201280060646.8有效
发明人：爱德温·W·巴斯滕贝克;哈拉尔德·奥尔斯切尔;乌利齐·普林茨 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在激光直接成型基底表面上无电沉积铜的水性活化剂溶液和方法。通过本发明，提出包含强还原剂的水性活化剂溶液，以增强LDS基底的受辐照的表面区域的催化活性。
用于激光直接成型基底上无电铜沉积水性活化剂溶液方法

[发明专利]用于形成钝化层的水溶液和方法-CN201280019989.X无效
发明人：雷内·凡谢克;凯斯·理查德·佐内 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C23C22/53 文献下载
摘要：本发明总体涉及一种用于在锌层或锌合金层上形成钝化层的水溶液。更具体地，本发明涉及在锌层或锌合金层上形成黑色钝化层，该钝化层基本上不含有六价铬。此外，本发明涉及在锌层或锌合金层上形成钝化层的方法以及在锌层或锌合金层上的钝化层本身。所使用的溶液包含三价铬离子、硝酸根离子、有机酸和二硫代二甘醇酸盐。
用于形成钝化水溶液方法

[发明专利]用于电子产品制造中的锡银浸镀法-CN201080059776.0有效
发明人：邱勇亨;王兴平;王才;罗伯特·法雷尔;叶萍萍;小爱德华·J·库德拉克;卡尔·F·温根罗思;约瑟夫·A·阿比斯 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C23C18/48 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在铜基板的表面上沉积基于锡的抗晶须涂层的方法。该方法可用于制备包含具有表面的铜基板及在基板表面上基于锡的涂层的物品，其中基于锡的涂层具有介于0.5微米与1.5微米之间的厚度及具有抗铜-锡金属间化合物形成性，其中该抗铜-锡金属间化合物形成性的特征在于，所述物品暴露于至少7次加热与冷却循环时仍维持至少0.25微米厚的不含铜的锡涂层区域，其中每次循环包含使所述物品经受至少217℃的温度及接着冷却至介于约20℃与约28℃之间的温度。
用于电子产品制造中的锡银浸镀法

[发明专利]用于不导电基底的直接金属化的方法-CN201180023414.0有效
发明人：安德里亚斯·柯尼斯霍芬;丹妮卡·埃尔比克;赫尔穆特·斯塔克 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于不导电基底的直接金属化的方法和一种在这样的方法中使用的导体溶液。根据本发明，提出了在用含有贵金属胶体的活化剂溶液活化之后，将不导电基底的表面与导体溶液接触，该导体溶液包括可通过活化剂溶液的金属还原的金属、络合剂和还原剂。
用于导电基底直接金属化方法

[发明专利]包括β-氨基酸的电解质以及用于沉积金属层的方法-CN201080037528.6有效
发明人：弗朗茨-约瑟夫·斯塔克;克里斯托夫·沃纳 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C23C18/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在基板上无电沉积金属层的电解质，其中，所述电解质不含重金属稳定剂、氰化物、硒化合物和硫的氧化态在-2价和+5价之间的硫化合物，而是β-氨基酸用作稳定剂。具体地，发明性的电解质可包括3-氨基丙酸、3-氨基丁酸、3-氨基-4-甲基戊酸以及2-氨基乙磺酸。而且，总之本发明针对一种用于利用发明性的电解质来无电沉积金属层的方法以及β-氨基酸在用于无电沉积金属层的电解质中用作稳定剂的用途。
包括氨基酸电解质以及用于沉积金属方法

[发明专利]用基于联吡啶的整平剂在微电子装置中电沉积铜-CN200980155521.1有效
发明人：文森特·帕尼卡西奥;林璇;理查德·赫图贝斯;陈青云 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：一种使半导体集成电路装置基板中的通孔特征金属化的方法，其中所述半导体集成电路装置基板包含前表面、后表面和通孔特征，且其中所述通孔特征包含在基板前表面的开口、从基板前表面向内延伸的侧壁、以及底部。该方法包括将半导体集成电路装置基板与电解铜沉积化学物质接触，该电解铜沉积化学物质包含(a)铜离子源和(b)整平剂化合物，其中该整平剂化合物是联吡啶基化合物与烷基化剂的反应产物；以及将电流供应至所述电解沉积化学物质，以使铜金属沉积到通孔特征的底部和侧壁上，从而得到铜填充的通孔特征。
基于吡啶整平剂微电子装置沉积

[发明专利]金属层的后处理方法-CN200980154659.X有效
发明人：丹尼卡·艾尔贝克;乌尔里奇·普林茨;安德里亚斯·科尼格绍芬;马库斯·达尔豪斯 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：一种处理金属基材表面的方法，所述金属基材包含的构成金属选自Cr、Cu、Mn、Mo、Ag、Au、Pt、Pd、Rh、Pb、Sn、Ni、Zn，在一些情形中包括Fe，以及这些金属的合金。在电解回路中向所述金属表面施加阳极电势，所述电解回路包括金属表面、阴极、和与所述金属表面接触且与所述阴极导电连通的电解溶液。该电解溶液可以含有包含阴离子的电解质，所述阴离子选自磷酸根、膦酸根、亚磷酸根、亚膦酸根、硝酸根、硼酸根、硅酸根、钼酸根、钨酸根、羧酸根、草酸根，以及它们的组合。所述阴离子可以包含具有侧基部分的聚合物，所述侧基部分选自磷酸根、膦酸根、亚磷酸根、亚膦酸根、硫酸根、磺酸根、羧酸根，以及它们的组合。施加到所述回路的电势使得所述基材被阳极氧化并且与所述阴离子反应形成赋予所述表面增强的性能的组合物。优选地，所述电解溶液的pH小于约6.0，所施加的电势为约0.5-约20伏，电流密度为约0.01-约2.0amps/dm2与所述电解溶液接触的金属几何表面积，并且对其进行控制使得通过所述构成金属的阳极氧化产生的所述构成金属的新生态阳离子与所述阴离子在金属表面反应，而不明显形成所述构成金属的任何氧化物或氢氧化物。
金属处理方法

[发明专利]硬铬层的电沉积方法-CN200980151479.6有效
发明人：赫尔穆特·霍舍姆克 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2009-10-22 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及以高的沉积速率在基材表面上电沉积硬铬层的方法。根据本发明，在相对于环境压力降低的压力下使进行涂覆的基材表面与适合于电沉积的含铬电解液接触，并且在基材表面上沉积铬层期间在基材表面和电解液之间产生相对移动。
硬铬层沉积方法

[发明专利]用于电沉积铜层的无氰电解液组合物-CN200980136225.7有效
发明人：斯蒂芬·沙菲尔 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：用于在基材表面上电沉积铜层的无氰电解液组合物和用于沉积这类层的方法。该电解液组合物至少包含铜(II)离子，乙内酰脲和/或乙内酰脲衍生物，二羧酸和/或三羧酸或它们的盐，以及选自钼、钨和钒的元素的金属酸盐和/或铈化合物。
用于沉积电解液组合

[发明专利]电解质和无光泽金属层的淀积方法-CN200980134646.6有效
发明人：安德里斯·寇宁邵芬;丹尼卡·埃尔比克;赫尔姆特·斯达克 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C25D3/02 文献下载
摘要：本发明涉及电解质以及在基材表面上淀积无光泽金属层的方法，其中该无光泽金属层是V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ru，Rh，Pd，Ag，In，Sn，Sb，Te，Re，Pt，Au，TI，Bi或其合金，而且具有含有钠、钾、铝、镁或硼元素的卤化物、硫酸盐或磺酸盐，用以便于以低得多的淀积金属淀积一个光滑平坦的层。
电解质无光泽金属方法

[发明专利]包含纳米颗粒的金属基复合涂层的电解沉积-CN200880126587.3有效
发明人：约瑟夫·A·阿贝斯;小爱德华·J·库德拉克;李敬业;徐晨;范崇伦 -专利权人： 恩索恩公司
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C25D9/02 文献下载
摘要：提供一种在基材表面上产生抗腐蚀性的方法。该方法包括将基材表面与包含以下的电解镀覆溶液接触：(a)选自锌、钯、银、镍、铜、金、铂、铑、钌、铬以及它们合金的沉积金属的沉积金属离子源，(b)非金属纳米颗粒的预混分散体，其中所述非金属纳米颗粒在其上具有表面活性剂分子预混涂层；以及向所述电解镀覆溶液施加外部电子来源，从而使包含沉积金属和非金属纳米颗粒的金属基复合涂层电解沉积到所述表面上。
包含纳米颗粒金属复合涂层电解沉积

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