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[发明专利]成膜系统、成膜方法和计算机存储介质-CN201880009405.8有效
发明人： 志村悟;榎本正志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜系统，在表面形成有图案的基片上形成有机膜，包括：对基片进行有机膜形成处理来在基片上形成有机膜的有机膜形成部；测量基片上的有机膜的膜厚的膜厚测量部；和对基片上的有机膜进行紫外线照射处理来除去该有机膜的表面的紫外线处理部。在成膜系统中，有机膜形成部、膜厚测量部和紫外线处理部是沿基片的输送方向依次排列地设置。
系统方法计算机存储介质

[发明专利]基片处理方法和基片处理系统-CN201980053577.X在审
发明人： 志村悟;冈田聪一郎;榎本正志;八重樫英民 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的对处理对象基片进行处理的基片处理方法，包括如下所述的工序：在形成于上述处理对象基片的基片表面的基底膜上涂敷用于形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液之前，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性高的情况下，进行使上述基底膜的极性降低的处理，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性低的情况下，进行使上述基底膜的极性升高的处理。
处理方法系统

[发明专利]基板清洗装置以及基板清洗方法-CN201610862566.4有效
发明人：金子都;折居武彦;志村悟;山下刚秀;菅野至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
清洗装置以及方法

[发明专利]成膜方法和成膜系统-CN201480009698.1有效
发明人： 志村悟;岩尾文子;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜。
方法计算机存储介质系统

[发明专利]基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法-CN201310334657.7有效
发明人：金子都;折居武彦;志村悟;山下刚秀;菅野至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B08B3/00 文献下载
摘要：本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
清洗装置系统以及方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统-CN200910119113.2有效
发明人：岩尾文子;志村悟;川崎哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种不产生图案走样而使抗蚀剂图案细化的半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统，半导体装置的制造方法包括：在底层上(1)形成抗蚀剂层(3)的工序；在抗蚀剂层(3)上得到由可溶层(3a)和不溶层(3b)的图案构成的曝光图案的工序；从形成有曝光图案的抗蚀剂层(3)上除去可溶层(3a)而形成抗蚀剂图案(3c)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去中间曝光区域(3d)的工序；将产生可溶化抗蚀剂图案(3c)的可溶化物质的反应物质导入到除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)上，在除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)表面上形成新的可溶层(3e)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去新的可溶层(3e)的工序。
半导体装置制造方法抗蚀剂涂敷显影处理系统

[发明专利]图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置-CN200910006951.9无效
发明人：八重樫英民;志村悟;早川崇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置，不需要第2次曝光工序，就能高精度地形成比曝光边界更细的微细图案，与现有技术相比简化了工序和降低了半导体装置的制造成本。该图案形成方法是形成成为掩膜的图案的方法，包括：形成第1图案(105)的工序；修整第1图案(105)的宽度的工序；在第1图案(105)的表面上形成边界层(106)的工序；在边界层(106)的表面上形成第2掩膜材料层(107)的工序；为了使边界层(106)的顶部露出而除去第2掩膜材料层(107)的一部分的工序；蚀刻边界层(106)而露出第1图案(105)，并且形成在上部具有第2掩膜材料层(107)的第2图案的工序。
图案形成方法半导体装置制造以及

[发明专利]图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置-CN200910006955.7无效
发明人：八重樫英民;志村悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置，不需要第2次曝光工序，就能高精度地形成微细的图案，与现有技术相比简化了工序和降低了半导体装置的制造成本。该图案形成方法用于形成成为蚀刻掩膜的图案，包括：形成由光致抗蚀剂构成的第1图案(105)的工序；在第1图案(105)的侧壁部以及顶部形成边界层(106)的工序；覆盖边界层(106)的表面地形成第2掩膜材料层(107)的工序；为了使边界层(106)的顶部露出而除去第2掩膜材料层(107)的一部分的工序；蚀刻边界层(106)并将边界层(106)除去，形成由第2掩膜材料层(107)构成的第2图案的工序；减小第1图案和第2图案的宽度而形成规定宽度的修整工序。
图案形成方法半导体装置制造以及

[发明专利]图案形成方法、半导体装置的制造方法及制造装置-CN200910005640.0无效
发明人： 志村悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-02 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法及制造装置，其不需要硬掩模就能够以高精度形成微细图案，并可以比以往简化工序和降低制造半导体装置的成本。本发明为形成成为蚀刻掩模的规定形状的图案的方法，其具备以下工序：使含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行图案化而形成第1图案(106)的工序；使碱性溶液或碱性气体与前述第1图案(106)接触而形成具有溶剂耐性和显影液耐性的第1图案(107)的工序；使含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行图案化而形成第2图案(108)的工序。
图案形成方法半导体装置制造

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200580022386.5无效
发明人： 志村悟;久保田和宏;浅子龙一;高山星一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，在被处理体上配设的被蚀刻膜(74)上，形成具有规定开口图案的蚀刻掩模(75b)。然后，在第一处理室内，通过蚀刻掩模(75b)的开口图案，对被蚀刻膜(74)实施蚀刻处理，在被蚀刻膜上形成槽或孔(78a)。然后，将蚀刻处理后的被处理体在真空气氛下，从第一处理室搬送至第二处理室。然后，在第二处理室内，对作为被蚀刻膜(74)的露出部的槽或孔(78a)的侧面部实施硅烷化处理。
半导体器件制造方法

[发明专利]基板清洗装置和基板清洗方法-CN200610126007.3有效
发明人：山本太郎;京田秀治;川崎哲;志村悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：在对基板表面进行旋转清洗时，减少在基板上残留的水滴，抑制例如曝光后的加热处理时的水滴或水印引起的加热斑。使来自清洗液喷嘴的清洗液的供给位置从基板的中央部向周边移动，同时，相对于比供给位置位于基板旋转方向下游侧的区域，向基板的外侧喷出气体。由此，在清洗液在基板的表面上稍微流动并成为液膜状态下，利用气流对其作用向外侧的力，所以在圆周方向流动的液流向外侧移动。利用在高度与喷出口相同或比其低的位置上形成的液体挤压面部来约束从清洗液喷嘴喷出的清洗液，因为形成液体块，所以即使低速旋转，离心力也变大，使该液体块向外的作用变大。
清洗装置方法

[发明专利]抗蚀膜的剥离法和再造法-CN200580006516.6无效
发明人：芦垣繁雄;加藤良裕;广田良浩;村木雄介;川崎哲;志村悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-03-01 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供基板的加工方法，包括：在已经在基板上形成的待蚀刻的目标膜上依次形成Si－C基膜和抗蚀膜的步骤；利用抗蚀膜作为掩模蚀刻Si－C基膜的第一蚀刻步骤；和利用抗蚀膜和Si－C基膜作为掩模蚀刻待蚀刻的目标膜的第二蚀刻步骤。该加工方法进一步包括在所需时机剥离抗蚀膜的剥离步骤。剥离步骤包括制备作为脱模剂的有机溶剂的制备步骤，和在抗蚀膜上涂敷有机溶剂的涂敷步骤。
抗蚀膜剥离再造

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