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[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其制备方法-CN202010344750.6有效
发明人：胡晓斌;徐铉植;葛世民 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、显示面板及其制备方法，所述阵列基板包括透明基板和设置于所述透明基板上的像素结构；所述像素结构包括：彼此交叉的扫描线和数据线；由扫描线和数据线彼此交叉限定的像素区；在所述扫描线和所述数据线交叉处形成的薄膜晶体管区；在所述像素区中，所述透明基板的一侧依次层叠设置有第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层、第二绝缘层、像素电极；所述有源层下方与所述有源层对应设置有一透光部，所述透光部供光透过照射至所述有源层。所述像素结构使得像素开口率相较于现有技术中有源层被完全遮蔽的像素结构提高3％至8％，同时避免了像素结构改变所带来的电容结构变化问题。
一种阵列显示面板及其制备方法

[发明专利]显示面板及电子设备-CN202111190798.7有效
发明人：张良芬;徐铉植 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及电子设备。所述显示面板包括基板、钝化层、第一辅助电极、以及阴极；所述钝化层设置在所述基板上，所述钝化层中开设有第一通孔；所述第一辅助电极设置在所述钝化层远离所述基板的一侧，所述第一辅助电极与所述钝化层靠近所述第一通孔的接触处形成底切结构；所述阴极设置在所述第一辅助电极远离所述钝化层的一侧，所述阴极自所述底切结构远离所述基板的一端向靠近所述基板的一端延伸，并与所述第一辅助电极的侧面相连。本申请改善了阴极的IR Drop效应，提高了显示面板的亮度均匀性。
显示面板电子设备

[发明专利]一种显示面板及其制作方法、移动终端-CN202210679415.0在审
发明人：刘兆松;徐铉植;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制作方法、移动终端；显示面板包括衬底、设置于衬底上的驱动电路层、设置于驱动电路层上的发光功能层，驱动电路层包括同层设置的栅极层、源极层和漏极层，发光功能层包括设置于驱动电路层上的阳极层，阳极层包括多个分离设置的阳极，其中，阳极的截面形状为正梯形，以及阳极靠近衬底一侧的表面的面积大于远离衬底一侧的表面的面积；本申请通过将阳极的截面形状设置为正梯形，阳极的上表面的面积小于阳极的下表面的面积，由于阳极的侧壁在垂直于衬底的方向上未被遮挡，在制作发光层的过程中，发光层可以整层连续地成膜，省略了像素定义层，节省了一张掩模板。
一种显示面板及其制作方法移动终端

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN202011120722.2有效
发明人：张良芬;徐铉植 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制作方法，通过在显示面板的平坦层中设置镂空区，对应镂空区设置辅助电极，并对应所述镂空区设置第一悬空部、第二悬空部、第一挡墙、第三悬空部以及第四悬空部以对所述辅助电极进行局部遮挡，使得阴极被隔断并延伸至所述镂空区与所述辅助电极搭接，相比于现有技术，本申请实现了单独控制阴极的目的，并改善了压降问题，使得显示面板显示均匀。
显示面板及其制作方法

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置-CN202111098876.0在审
发明人：刘兆松;徐铉植 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置，阵列基板包括衬底；开关器件层，设置于衬底上，开关器件层包括阵列设置的多个开关器件；钝化层，设置于开关器件层上；阳极，设置于钝化层上，阳极的边沿形成有坡度角，坡度角为钝角；有机发光层，设置于阳极上。本申请通过将设置于钝化层上的阳极的边沿形成坡度角，坡度角为钝角，从而可以使得有机发光层覆盖于阳极上的坡度角时，可以增大有机发光层和阳极边沿的接触面积，减小有机发光层所受的压强，从而即使取消像素定义层或像素堤坝的设置，有机发光层也不会由于坡度角为锐角或者直角而发生断裂，可以在保证正常的发光功能的同时简化结构，节省制作工序，有利于降低制作成本。
阵列制作方法以及显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202110836299.4在审
发明人：李恭檀;李珊;徐铉植 -专利权人：惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，在阵列基板的主动层之上形成有金属膜层，金属膜层在后续源/漏极图案化处理时保护所述主动层免受刻蚀液或干刻制程的损害，后续金属膜层对应在主动层沟道处的部分被氧化处理形成氧化层，保持主动层的功能特性；在阵列基板的整个制程中，主动层没有受到后续制程的损害，器件稳定性得以保持。
阵列及其制备方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202110650642.6在审
发明人：李恭檀;李珊;徐铉植 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底、第一金属层、缓冲层和半导体层，第一金属层包括源极、漏极和遮光部，缓冲层覆盖第一金属层，半导体层设于缓冲层上，半导体层通过贯穿缓冲层的第一过孔与源极电连接，半导体通过贯穿缓冲层的第二过孔与漏极电连接。本发明通过将源极、漏极与遮光部同层设置于衬底上，源极、漏极与遮光部可采用同一道黄光制程形成，减少了光罩数量和制程步骤，有利于降低成本。
阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]薄膜晶体管结构、GOA电路及显示装置-CN201911060470.6有效
发明人：李恭檀;徐铉植 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管结构、GOA电路及显示装置。所述薄膜晶体管结构通过图案化有源层来定义多个薄膜晶体管。因此，当多个薄膜晶体管中之一者的栅极绝缘层中发生缺陷并且形成漏电路径时，不会影响到其他的薄膜晶体管，故可避免全部的薄膜晶体管结构的功能失效的问题。
薄膜晶体管结构 goa 电路显示装置

[发明专利]一种TFT驱动背板及Micro-LED显示器-CN201910671388.0在审
发明人：李恭檀;徐铉植 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明揭露一种TFT驱动背板及Micro‑LED显示器，通过采用高迁移率氧化物薄膜晶体管驱动背板结构，可以实现满足大尺寸Micro‑LED显示需求；采用在衬底基板的下方制备背面金属层，背面金属层包括用于连接驱动芯片的金属走线层，以及用于阻挡环境光的金属光阻挡层，减少了大尺寸的Micro‑LED应用中面板拼接时的边框，且在制备薄膜晶体管的时候可以节省原有的金属遮光层的沉积和图形化步骤，减少了制备TFT驱动背板时的工艺步骤，节约制备成本。
驱动背板制备背面金属层氧化物薄膜晶体管边框薄膜晶体管金属遮光层金属走线层图形化步骤衬底基板高迁移率工艺步骤光阻挡层驱动芯片环境光原有的中面板沉积拼接显示器阻挡金属节约应用

[发明专利]TFT驱动背板及Micro-LED显示器-CN201910671374.9在审
发明人：李恭檀;徐铉植 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明揭露一种TFT驱动背板及Micro‑LED显示器，通过在衬底基板的侧面以及下方制备用于连接驱动芯片的金属走线层，减少了大尺寸的Micro‑LED应用中面板拼接时的边框；通过在制备金属走线层的同时，在衬底基板的下表面并相对于所述有源层的位置制备用于阻挡环境光的金属光阻挡层，可以在制备薄膜晶体管的时候节省原有的金属遮光层的沉积和图形化步骤，减少了制备TFT驱动背板时的工艺步骤，节约制备成本。
制备驱动背板金属走线层衬底基板边框薄膜晶体管金属遮光层图形化步骤工艺步骤光阻挡层驱动芯片环境光下表面原有的中面板沉积拼接源层显示器金属阻挡侧面节约应用

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN201810595318.7在审
发明人：周依芳;徐铉植 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括：衬底基板、设于衬底基板上的第一金属层、设于第一金属层及衬底基板的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的第二金属层、覆盖第一绝缘层及第二金属层的钝化层以及设于钝化层上的第三金属层；衬底基板包括显示区以及位于显示区外围的GOA区；在GOA区内，第一金属层包括第一栅极，第二金属层包括间隔设置的第一源极和第一漏极，第三金属层包括辅助电极，第一栅极与第一漏极至少部分重叠，辅助电极与第一漏极至少部分重叠，辅助电极通过贯穿钝化层和第一绝缘层的第一过孔与第一栅极电性连接，通过第一栅极、第一漏极及辅助电极共同形成一夹层电容来作为GOA电路的升压电容，能够减少GOA电路的升压电容的面积。
绝缘层衬底基板辅助电极漏极第二金属层第一金属层阵列基板钝化层升压电容金属层显示区夹层电容间隔设置栅极电性源极制作外围贯穿覆盖

[发明专利]阵列基板和制造该阵列基板的方法-CN201410648693.5有效
发明人： 徐铉植;徐景韩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：阵列基板和制造该阵列基板的方法。一种阵列基板包括：基板；薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间；所述薄膜晶体管上的钝化层；所述像素区域中的所述钝化层上的第一电极；以及第一氢吸收层，该第一氢吸收层在所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上，该第一氢吸收层包括多个微粒，所述多个微粒彼此间隔开并且包括镍、钯和铂中的一种。
阵列制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN201310714300.1有效
发明人： 徐铉植;金种宇;李政澔 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管列基板（TFT）及其制造方法，所述TFT包括形成在基板上的栅线、从栅线分支出的第一栅极、栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的有源层；形成为包括具有第一金属层和由铜形成的第二金属层的多个金属层的数据线；形成在栅绝缘膜上、包括在所述多个金属层中除了第二金属层以外的剩余金属层的源极；和形成在栅绝缘膜上、包括在所述多个金属层中除了第二金属层以外的剩余金属层的漏极。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201410234660.6有效
发明人： 徐铉植;金锺宇;徐景韩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：根据各实施方式的有机发光显示装置可包括单元阵列，所述单元阵列包括在基板上彼此交叉以界定多个像素区域的栅极线和数据线、形成在所述栅极线与所述数据线之间的交叉部分处以对应于所述多个像素区域的多个薄膜晶体管、和均匀形成在所述基板之上以覆盖所述薄膜晶体管的保护膜；多个第一电极，所述多个第一电极形成为使得与各个像素区域的发光区域对应的氧化物半导体层部分被形成为导电的，所述金属氧化物层均匀设置在所述保护膜上；堤部，所述堤部构成所述金属氧化物层中没有形成所述第一电极的其余部分并形成为具有绝缘特性；形成在所述金属氧化物层之上的发光层；和形成在所述发光层上从而面对所述第一电极的第二电极。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法-CN201410818442.7在审
发明人：沈锺植;徐铉植;徐景韩;崔容豪;朴孝镇 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备包括开关薄膜晶体管(TFT)，该开关TFT包括：在基板上并在同一层形成的下栅极、源极和漏极；覆盖下栅极、源极和漏极而形成的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成的有源层；接触源极和漏极而形成的导电线；在有源层上形成的第二栅极绝缘层；以及在第二栅极绝缘层上形成的上栅极。开关TFT的下栅极是阻挡光照射到有源层上的光屏蔽元件。
有机发光显示设备及其制造方法

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