“徐联”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果30个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种500kV换流变阀侧套管法兰盘根部开裂缺陷现场修复方法-CN201910064502.3有效
发明人：李青;张新波;伍衡;徐德增;李士杰;曹田波;徐联 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B23P6/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种500kV换流变阀侧套管法兰盘根部开裂缺陷现场修复方法，先利为套管释放应力，然后确认套管需焊接加强筋位置，之后经过焊前处理后利用冷金属过渡焊进行焊接加强筋，最后静置24小时，开展焊缝检测，并在套管根部补漆、裂纹处打防水胶或结构胶。本方法免去了传统中需要返厂维修的时间以及运维成本，修复性能好，发热少，温度低，有效避免了焊接过热损伤套管内部电容芯子的设备风险，需要的设备工装小巧轻便，易于在变压器安装现场等较为闭塞的空间操作实施，攻克了套管在安装状态下的应力释放问题，可以确保焊接修复质量和效果，并对其修复效果进行验证，时效性、电气性能均能充分满足验收要求。
一种 500 kv 流变套管法兰盘根部开裂缺陷现场修复方法

[实用新型]通用型变压器绕组支撑架-CN201921668643.8有效
发明人：李青;徐德增;张新波;韦清化;徐联;李士杰 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H02B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种通用型变压器绕组支撑架，包括支撑体；支撑体的一侧面开设贯穿的通道，支撑体的顶部设置第一电木板，支撑体的底部设置第二电木板，支撑体的四周侧边固定安装移动组件。本实用新型在工作的时候无需另行组装，使用简单，单台承重强度高；当支撑体承载重物后，由底座受力固定于地面，变压器绕组的重量非直接作用于移动组件；本支撑架具有承重大、安全可靠、使用便捷等优势。
通用型变压器绕组支撑架

[发明专利]一种穿墙套管外护套水平对中装配装置及装配方法-CN201911311205.0在审
发明人：徐联;陈吉丰;韦清化;张新波;李青;李士杰 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： B23P19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿墙套管外护套水平对中装配装置，包括轨道以及两台用于承托穿墙套管外护套的外护套装配轨道车，外护套装配轨道车包括车架、两组设置在车架底部的轨道轮以及设置在车架上的外护套安放台，外护套安放台包括底板以及设置在底板上的滚轮架，底板与车架之间设置有用于调节底板高度位置和横向位置的位置调节组件，车架上设置有用于驱动轨道轮的驱动组件，车架上还设置有电控箱，电控箱上设置有用于同步控制驱动组件和位置调节组件同时运动的同步接线端子。本装配装置通过遥控控制外护套与穿墙套管电容芯子对中，大量减少安装过程中的保护人员，减少工作成本，同时相比于吊装安装方式极大减小了操作难度，降低了套管的安装破损风险。
一种穿墙套管护套水平装配装置方法

[实用新型]一种500kV换流变阀侧套管焊接模拟试验工装-CN201821338943.5有效
发明人：李青;伍衡;张新波;徐德增;曹田波;徐联 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种500kV换流变阀侧套管焊接模拟试验工装，包括套管以及工装，所述套管上装设有法兰盘，法兰盘将套管分为较短的充油侧和较长侧，工装包括底座、支撑杆和连接座，所述支撑杆两端分别与底座和连接座固定连接并设置有多根，所述连接座上开设有供套管穿过的通孔，所述套管与连接座可拆卸连接。本实用新型的试验工装在使用的时候无需先在地面上安装地脚，安装拆卸简单，具有实现套管水平情况和倾斜30°情况下的焊接模拟试验，能广泛适应国内西门子技术路线500kV换变阀侧套管法兰根部开裂焊接模拟试验的需要。
套管焊接模拟连接座试验工装本实用新型法兰盘流变阀支撑杆工装底座地脚可拆卸连接阀侧套管法兰根部技术路线套管水平充油试验通孔拆卸穿过

[实用新型]一种便于移动的园林生态绿化装置-CN201820075408.9有效
发明人：喻松;徐联;刘丽娜;庞慧婷;刘永超 -专利权人：喻松
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： B65H75/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种便于移动的园林生态绿化装置，涉及园林绿化领域。该便于移动的园林生态绿化装置，包括底座，所述底座的底部固定连接有万向轮，所述底座的顶部固定连接推动手柄，所述底座的顶部固定连接有支撑架，所述支撑架的后方设置有收卷桶，所述收卷桶的内部固定连接有转轴，所述转轴的外表面固定套接有第一轴承，所述第一轴承的外圈与支撑架固定连接，所述转轴的外表面并位于第一轴承的前方固定套接有传动飞轮。该便于移动的园林生态绿化装置，第二轴承的内圈通过连接轴与压紧辊轴连接，可使输水软管在收放过程中对管内部的水份进行及时排出，有效防止了输水软管内部水份未及时排出影响水管正常收卷的问题。
生态绿化装置便于移动底座轴承收卷转轴园林输水软管固定套支撑架排出水份本实用新型支撑架固定传动飞轮内部固定推动手柄压紧辊轴影响水管园林绿化连接轴万向轮对管内圈收放

[发明专利]软支撑悬臂梁式硅微压电传声器芯片及其制备方法-CN200910078946.9无效
发明人：李俊红;汪承灏;刘梦伟;徐联 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种软支撑悬臂梁式硅微压电传声器芯片包括：中心设上小下大方锥形孔的硅基片，其正面覆有由热氧化膜层、第一氮化硅膜层、二氧化硅膜层和第二氮化硅膜层构成的方形复合振动膜，背面依次覆有中心处设方形孔的第一氮化硅掩膜层和第二氮化硅掩膜层；方形复合振动膜四条边中的三条边分别刻蚀贯穿方形复合振动膜的垂向狭缝，垂向狭缝垂向投影位于硅基片正面方形孔边缘内侧；依次沉积于方形复合振动膜上的下电极、压电薄膜和上电极；上电极一边与方形振动膜无狭缝边重合或靠近；和沉积于位于硅基片正面的各部件之上的经图形化的聚酰亚胺膜。本发明的悬臂梁结构可防止声漏现象，具有灵敏度高，防声漏等优点。
支撑悬臂梁式硅微压电传声器芯片及其制备方法

[发明专利]具有微蜂窝结构振动膜的硅微电容传声器芯片及制备方法-CN200910081303.X无效
发明人：李剑成;汪承灏;徐联 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2009-04-01 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明涉及的采用微蜂窝结构振动膜的硅微电容传声器芯片及制备方法，包括：硅基片中心有上小下大的方锥形孔，基片反面淀积氮化硅掩膜层，掩膜层中心有与硅基片反面方孔相同尺寸的方孔；基片正面上表面有由硅化合物构成的振动膜，振动膜具有蜂窝状沟槽形状结构；振动膜上表面有下电极；下电极上表面有通过牺牲层工艺形成的气隙；气隙上方为上电极；上电极上表面为作为电容传声器背极板的聚酰亚胺膜层。其优点在于：首次把蜂窝结构应用到硅微电容传声器的振动膜中，微蜂窝结构可提高振动膜强度，在降低振动膜等效质量的同时又保持振动膜刚度，进而提高传声器的谐振频率，使传声器获得更宽的工作频率；振动膜强度的提高也有利于传声器制作的成品率的提高。
具有蜂窝结构振动电容传声器芯片制备方法

[发明专利]软支撑桥式硅微压电传声器芯片及其制备方法-CN200910078947.3无效
发明人：李俊红;汪承灏;刘梦伟;徐联 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H04R17/02 文献下载
摘要：一种软支撑桥式硅微压电传声器芯片包括：中心设由上小下大方锥形孔的硅基片，其正面覆有由第一氮化硅膜层、二氧化硅膜层和第二氮化硅膜层构成的方形复合振动膜，硅基片背面依次覆有第三和第四氮化硅膜层；第三和第四氮化硅膜层有中心方孔；振动膜一对对边分别刻蚀一条贯穿振动膜的垂向狭缝，狭缝的垂向投影位于硅基片正面方孔边缘内侧；依次沉积于振动膜上的下电极、压电薄膜和上电极；沉积于硅基片正面各部件上的聚酰亚胺膜；刻蚀有垂向狭缝的复合振动膜和聚酰亚胺膜共同构成软支撑防声漏桥式振动膜；该振动膜两边被固支，振动过程中会产生应变；为防止传声器存在的通过狭缝产生漏声，在狭缝上面沉积软性的聚酰亚胺膜，可有效防止声漏现象。
支撑桥式硅微压电传声器芯片及其制备方法

[发明专利]软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片及其制备方法-CN200910078945.4无效
发明人：李俊红;汪承灏;刘梦伟;徐联 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片，其包括：中心设上小下大方锥形孔的硅基片；其正面依次覆有硅层和第一氧化层，背面覆有第二氧化层；硅基片正面方孔之上对应的硅层和第一氧化层构成为方形振动膜，方形振动膜的一对对边分别刻蚀一条贯穿方形振动膜的垂向狭缝，狭缝的垂向投影位于硅基片正面上方孔边缘内侧；依次沉积于方形振动膜上的下电极、压电膜和上电极；沉积于硅基片正面上各部件之上的聚酰亚胺膜；刻蚀有垂向狭缝的方形振动膜和聚酰亚胺膜共同构成软支撑防声漏桥式振动膜；本发明将防声漏桥式结构用于换能器的振动膜中，为避免通过狭缝发生漏声，在狭缝上面沉积软质聚酰亚胺膜，对振动膜振动影响不大，还能保持高的灵敏度。
支撑桥式硅微压电超声换能器芯片及其制备方法

[发明专利]一种防粘连的硅微电容传声器芯片及其制备方法-CN200610089250.2无效
发明人：潘昕;汪承灏;徐联 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H04R19/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种防粘连硅微电容传声器芯片及其制备方法，包括硅基片，穿孔背板，振动膜，电极，其特征在于，所述穿孔背板位于硅基片的空心区域上方，所述振动膜位于穿孔背板上方，由一环形的隔离支撑层支撑，振动膜与穿孔背板之间形成空气隙；所述穿孔背板上表面制有凸起结构。制备方法由掺杂、制备凸起结构、淀积牺牲层和支撑层、腐蚀、制备振动膜及电极等步骤组成。本发明由于具有防粘微突出的结构，避免了在牺牲层释放时升华干燥工艺过程中以及工作过程中可能发生的粘连，大大提高了器件的合格率。同时本发明制备在下背板上的凸起结构方案能够制备得到较厚的背板，有效的避免了以往上背板结构中制备防粘微突出方案中“软”背板的问题。
一种粘连电容传声器芯片及其制备方法

[实用新型]一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片-CN200520114868.0无效
发明人：乔东海;胡维;田静;徐联;汪承灏 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2005-07-26 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片。该硅微电容传声器芯片包括多晶硅振动膜、保护层、隔离层、空气间隙、硅基片及其上的穿孔背板，该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔，该声学孔是刻蚀一连续的掺杂层形成。该硅微电容传声器芯片的制备方法包括：在所述硅基片的上表面形成一连续的掺杂层，该掺杂层形成硅微电容传声器芯片的至少一部分穿孔背板，从该连续的掺杂层的上表面向下刻蚀出由多个声学孔组成的声学孔图案。本实用新型采用多晶硅作为振动膜，制作工艺与平面半导体工艺完全兼容；还克服了深度选择性浓硼扩散制作背板及背板穿孔所带来的问题和困难，为工业化生产传声器芯片提供一套简便易行的工艺。
一种采用成熟工艺制作新型电容传声器芯片

[发明专利]一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法-CN200510068006.3无效
发明人：乔东海;胡维;田静;徐联;汪承灏 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法。该硅微电容传声器芯片包括多晶硅振动膜、保护层、隔离层、空气间隙、硅基片及其上的穿孔背板，该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔，该声学孔是刻蚀一连续的掺杂层形成。在该硅微电容传声器芯片的制备方法中，在所述硅基片的上表面形成一连续的掺杂层，该掺杂层形成硅微电容传声器芯片的至少一部分穿孔背板，从该连续的掺杂层的上表面向下刻蚀出由多个声学孔组成的声学孔图案。本发明采用多晶硅作为振动膜，制作工艺与平面半导体工艺完全兼容；本发明还克服了深度选择性浓硼扩散制作背板及背板穿孔所带来的问题和困难，为工业化生产传声器芯片提供一套简便易行的工艺。
一种多晶振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法

[发明专利]一种硅微电容传声器芯片及其制备方法-CN200510005384.7无效
发明人：徐联;汪承灏;魏建辉;黄歆;李俊红;田静 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅微电容传声器芯片及制备方法。该传声器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极，隔离层位于穿孔背板和振动膜之间以便在它们之间形成空气隙，该空气隙具有无尖角的边界。在该制备方法中，在硅基片的上表面之上形成一第一牺牲层，该第一牺牲层具有无尖角的边界；在第一隔离层之上形成一第二牺牲层，该第一牺牲层的被腐蚀速度大于第二牺牲层的被腐蚀速度，从所述硅基片的下表面开始对所述硅基片进行体刻蚀，去除第一牺牲层和一部分第二牺牲层以形成空气隙。本发明用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法，减小了振动膜的应力，大大提高了振动膜的灵敏度，避免了时效破裂。
一种电容传声器芯片及其制备方法

[发明专利]一种硅微电容传声器芯片及其制备方法-CN200510005385.1无效
发明人：徐联;田静;汪承灏;黄歆;魏建辉;李俊红 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅微电容传声器芯片以及制备方法。该传声器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极，隔离层位于穿孔背板和振动膜之间以便在其间形成空气隙，该空气隙具有无尖角的边界，且振动膜具有一凸环。本发明的制备方法包括在硅基片的上表面之上形成一隔离层，该隔离层环绕限定了一空心区域；在硅基片的上表面之上形成一比隔离层更易于被刻蚀的牺牲层，至少一部分牺牲层填充在该空心区域内；从硅基片的下表面开始对所述硅基片进行体刻蚀，并刻蚀去除牺牲层，在牺牲层所在位置形成空气隙。本发明中的空气隙形状由易腐蚀的牺牲层形状来限定，可通过设计牺牲层的形状来获得所需要的空气隙形状，从而使得空气隙的形状是可控的。
一种电容传声器芯片及其制备方法

[发明专利]一种硅微压电式传感器芯片及其制备方法-CN200410098844.0无效
发明人：杨楚威;黄歆;李俊红;汪承灏;解述;徐联 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及的硅微压电传感器芯片，包括：n型硅基片中心有上小下大的方锥形孔，基片正、反面分别淀积氮化硅基膜层和掩膜层，基膜层中心设制圆孔，直径大于等于或小于硅基片正面方孔的对角线，掩膜层中心有与硅基片反面方孔相同尺寸的方孔；基膜层上表面有氮化硅振动膜，振动膜上表面有下电极；下电极上表面有压电膜；和光刻腐蚀在压电膜上表面的低温氧化硅膜保护层；以及保护层上表面的上电极；压电膜、护层层和上电极的形状均为圆形；氮化硅氮化硅或多晶硅振动膜与压电膜形成圆形压电膜/氮化硅或多晶硅复合弯曲振动膜。优点在于：该圆形压电膜/氮化硅或多晶硅复合弯曲振动膜可减小振动膜应力的不均匀性，避免应力过大引起的振动膜破裂，提高成品率，并明显提高传感器灵敏度。
一种压电传感器芯片及其制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 30 条