“徐玲锋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法-CN202311072814.1在审
发明人：韩秀娟;孙彬;吴锋;徐玲锋;闫家强 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法，通过将多晶硅棒加热‑急冷处理，使硅棒获得晶间应力产生裂缝；再将产生裂缝的硅棒固定在固定座上，通过驱动机构将破碎装置套于硅棒上，借助外部供气组件使第一气囊和第二气囊充气后包围的硅棒区域即为待破碎的区域；气压脉冲设备运行，在极短的时间内向顶罩内鼓入高压洁净供气，形成气压脉冲，灌入硅棒裂缝中，将裂缝冲开，进而将硅棒破碎。本发明采用的破碎装置能够减少硅料与人的接触，进而避免硅料受到污染；且破碎过程不需借助机械破碎，减少了杂质离子的引入；利用高压脉冲冲击，灌入硅棒裂缝，将其冲开，同时将隐裂显现并冲开，节约人力。
一种多晶破碎装置及其方法

[发明专利]电子级六氯乙硅烷及其制备方法和应用-CN202211313645.1有效
发明人：孙江桥;吴鹏;张正阳;马一雷;徐玲锋;吴锋;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级六氯乙硅烷及其制备方法和应用，该制备电子级六氯乙硅烷的方法包括：(1)对电子级多晶硅生产系统的尾气进行分离，以便得到氢气和四氯化硅，对电子级多晶硅生产系统中氢化后的混合气体进行精馏，以便得到三氯氢硅；(2)将四氯化硅、氢气、三氯氢硅和硅混合，反应，以便得到六氯乙硅烷混合气；(3)对六氯乙硅烷混合气进行分离，以便得到电子级六氯乙硅烷。由此，显著提高了六氯乙硅烷的纯度，显著提高了电子级多晶硅生产系统中尾气的利用率，极大降低了生产操作成本。
电子级六氯乙硅烷及其制备方法应用

[发明专利]电子级多晶硅用硅芯清洗设备-CN202210632512.4有效
发明人：吴家印;徐玲锋;赵金波;张海洋 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅用硅芯清洗设备，该设备包括清洗工装和控制装置，清洗工装包括支撑杆、第一限位板、固定板，固定板沿其周向方向设置有多个硅芯固定孔，硅芯固定孔的孔径大于硅芯直径，且在硅芯的径向上，固定板靠近硅芯一侧的截面面积小于其远离硅芯一侧的截面面积，硅芯固定孔在第一限位板上的投影位于第一限位板内，且第一限位板上与硅芯固定孔对应的区域为非镂空设置；控制装置，控制装置与清洗工装相连，并控制清洗工装上下移动和/或转动。该设备不仅结构简单，操作方便，而且对硅芯进行固定后可实现硅芯与清洗液的充分接触，能解决清洗过程中存在局部死角的问题，使清洗更加均匀，去污除杂效果更好。
电子多晶硅用硅芯清洗设备

[发明专利]电子级多晶硅的尾气处理方法-CN202310349188.X在审
发明人：吴锋;徐玲锋;马一雷;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B3/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级多晶硅的尾气处理方法，在淋洗塔中利用淋洗液对尾气进行淋洗，淋洗液包括有机胺，得到分离气体和分离液，分离气体从淋洗塔的顶部排出，分离气体包括氢气，分离液中包括三氯氢硅、四氯化硅、有机胺和氯化胺；将分离液由淋洗塔输入反应器中，使得分离液与通入反应器的高沸物反应，得到待精馏液，待精馏液包括有机胺、三氯氢硅和四氯化硅，高沸物包括Si2Cl6和Si3Cl8中的至少之一；在精馏塔中对待精馏液进行精馏处理，得到精馏气体和精馏后混合液，精馏气体包括三氯氢硅和四氯化硅，精馏后混合液包括有机胺。该方法生产效率高，成本低，可有效去除电子级多晶硅尾气中的杂质。
电子多晶尾气处理方法

[发明专利]三氯氢硅的提纯方法及多晶硅-CN202310190117.X在审
发明人：吴锋;张正阳;吴冬;赵春梅;田新;蒋文武;徐玲锋;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氯氢硅的提纯方法及多晶硅，将三氯氢硅混料通入反应器中，所述三氯氢硅混料包括三氯氢硅和杂质，所述杂质包括二甲基氯硅烷和甲基二氯硅烷中的至少之一，所述反应器中放置有催化剂；将反应器加热至反应温度反应预定时间，使得所述二甲基氯硅烷和/或所述甲基二氯硅烷转化为三甲基氯硅烷，得到反应产物；对所述反应产物进行精馏处理，将所述三甲基氯硅烷去除，得到所述三氯氢硅。该方法不仅生产效率高，成本低，并且可以显著提高三氯氢硅提纯率，最终可得到高纯多晶硅产品。
三氯氢硅提纯方法多晶

[发明专利]对电子级多晶硅进行清洗的方法-CN202210376804.6有效
发明人：闫家强;蒋文武;徐玲锋;吴鹏 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了对电子级多晶硅进行清洗的方法。该方法包括：(1)对硅块进行至少两次水洗；(2)利用混酸溶液对水洗后的硅块进行清洗，混酸溶液包括质量浓度为0.1～1wt％的氢氟酸、质量浓度为1～10wt％的乙酸，以及质量浓度为68～72wt％的硝酸；(3)对酸洗后的硅块依次进行至少三次水洗和至少一次喷淋洗。由此，该方法操作简单、方便，可重复，成本低廉，不仅可以显著提高硅块的稳定清洗效果，降低硅块表面的杂质浓度，使得清洗后的硅块产品的清洁度更高，还可以提高硅块表面形态的均匀性，避免硅块表面斑纹、斑点的产生，提升硅块的整体光泽，使清洗后的硅块产品整体更加圆润，便于下游加工。
电子多晶进行清洗方法

[发明专利]评估袋装多晶硅干燥效果的方法-CN202111197335.3有效
发明人：吴家印;徐玲锋;孙志东 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本发明公开了评估袋装多晶硅干燥效果的方法。该方法包括：提供露点仪；将氮气进气管路连接至露点仪，对露点仪内气氛进行置换；在袋装多晶硅样品上设置进气口和出气口，将氮气进气管路连接至进气口，在出气口设置连接至露点仪的管路；利用氮气进气管路，经过袋装多晶硅样品向露点仪通入氮气，并测定得到氮气的露点值；根据氮气的露点值，评估袋装多晶硅样品的干燥效果。该方法可以准确评估袋装多晶硅干燥效果，并对袋装多晶硅中的水分含量进行定量分析。
评估袋装多晶干燥效果方法

[发明专利]用于切割硅芯的多晶硅棒及其制备方法-CN202211501341.8在审
发明人：高召帅;王锐娟;王海豹;徐玲锋 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了用于切割硅芯的多晶硅棒及其制备方法。该多晶硅棒沿其径向方向由内至外包括：原始硅芯区和至少三层致密沉积区，相邻两层致密沉积区之间形成有一层缓冲沉积区，缓冲沉积区的致密度小于与其相邻的致密沉积区的致密度。通过对该多晶硅棒进行切割得到的硅芯产品质量不仅品质较高且生产成本较低，而且成品率高。
用于切割多晶及其制备方法

[发明专利]多晶硅清洗料篮和多晶硅清洗装置-CN202211370140.9在审
发明人：李明峰;吴家印;徐玲锋 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了多晶硅清洗料篮和多晶硅清洗装置。多晶硅清洗料篮包括：主体部，所述主体部包括底部和第一侧壁，所述底部和所述第一侧壁上均设置有多个第一开孔，所述底部和所述第一侧壁限定出容纳空间；多孔柱，所述多孔柱设置在所述容纳空间内，所述多孔柱包括第二侧壁和顶部，所述多孔柱的第二侧壁远离所述顶部的一端固定在所述主体部的底部上，所述多孔柱的所述第二侧壁上设置有多个第二开孔。由此，该料篮中堆放的多晶硅块或粉状料可以与酸液充分接触，料篮中的酸液也可以快速更新，从而更加彻底的清除多晶硅块或粉状料表面的杂质，使多晶硅块或粉状料表面的金属杂质的浓度满足使用要求。
多晶清洗装置

[发明专利]切割U形硅棒的方法-CN202211475782.5在审
发明人：高召帅;姚旺;王海豹;徐玲锋;王锐娟;张海洋;李祥飞 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种切割U形硅棒的方法，该方法包括：U形硅棒包括第一延伸部、第二延伸部和弯曲部；切割线X设在参照线Y的远离弯曲部的一侧，且切割线X与参照线Y平行，切割线X与参照线Y之间的垂直距离为L，L不小于2D；设切割线X与参照线Y之间的U形硅棒的区域为第一切割区域A，从切割线X开始，沿着远离弯曲部的第一方向延伸形成第二切割区域B；分别在第一切割区域A和第二切割区域B内确定n条切割线，并依次沿着n条切割线进行切割，其中，n不小于2的整数；沿着切割线X对U形硅棒进行切割。由此，显著降低了U形硅棒在切割分离过程中的断裂概率，极大提高了U形硅棒的收率，降低了切割分离过程中的操作风险。
切割形硅棒方法

[发明专利]籽晶夹头、硅芯及其制备方法-CN202210385972.1在审
发明人：吴家印;徐玲锋;张天雨;蒋文武;仝礼 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了籽晶夹头、硅芯及其制备方法，籽晶夹头包括：安装座，所述安装座设有安装腔，且所述安装座具有分别与所述安装腔连通的敞开口和固定孔；卡瓣，所述卡瓣包括安装部和锥形夹持部，所述安装部安装于所述安装腔内且所述锥形夹持部从所述固定孔处伸出；固定件，所述固定件可拆卸地安装于所述敞开口以抵压于所述安装部背离所述锥形夹持部的一侧，其中，形成所述卡瓣的材料的线性热膨胀系数不大于5*10‑6/℃。由此，有利于减少籽晶卡死等问题的发生。
籽晶夹头及其制备方法

[发明专利]电子级多晶硅热破碎装置-CN202210135553.2在审
发明人：闫家强;张天雨;仝礼;田新;徐玲锋 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种电子级多晶硅热破碎装置，包括第一传送单元、加热仓、冷却槽、第二传送单元和冲击破碎槽，电子级多晶硅在加热仓中加热到500～1000℃，然后经过冷却水急速降温，从而使多晶硅获得一个瞬间的晶间应力使其自身瞬间破碎，生产过程中设备与多晶硅棒料接触的表面均为无污染材质，保证多晶硅棒料在整个破碎过程中不会被污染，同时能够避免大量碎屑和粉尘产生。
电子多晶破碎装置

[实用新型]物料分选系统-CN202122615702.9有效
发明人：吴家印;徐玲锋;仝礼 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B07C5/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种物料分选系统，包括：传输设备、多个图像采集分析设备和用于收集物料的收集组件。多个图像采集分析设备沿平行于传输设备的传输方向间隔排布，图像采集分析设备用于采集所述传输设备上的物料图像并分析计算所述物料的尺寸，每个所述图像采集分析设备所采用的尺寸参考范围均不同；收集组件包括动力组件和多个合格料收集盒，合格料收集盒的数量与图像采集分析设备的数量相同且一一对应，在物料处在相应的尺寸参考范围内时，动力组件将物料收集至对应的合格料收集盒内。根据本实用新型实施例的物料分选系统，既能对物料进行分级筛选，又能避免物料在筛选过程中被污染，使物料在筛选收集后依旧能保持较高的纯度。
物料分选系统

[发明专利]一种硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法-CN202110769884.7有效
发明人：吴锋;田新;王付刚;徐玲锋;陈卓 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明涉及破碎装置技术领域，尤其涉及一种硅块破碎装置，包括：容器，提供待破碎硅棒的容纳空间，且在容纳空间内执行破碎动作；两脉冲电极，在容纳空间内悬挂设置，且悬挂高度及两脉冲电极在水平面内的位置均可调节；容器内设置有高纯水，脉冲电极在高纯水内产生脉冲电弧，高纯水的电阻率为ρ，单位为MΩ.cm，16MΩ.cm≤ρ≤20MΩ.cm。本发明中，在脉冲破碎过程中，硅棒接触的介质为高纯水，避免了人工或机械破碎过程中人或金属材料引入的污染，在电极处形成脉冲电弧，电弧进入多晶硅内部，形成等离子体电弧通道，最终将硅棒破碎为大小尺寸不一的硅块。本发明中还请求保护硅块破碎装置的使用方法，以及一种硅块破碎方法及应用方法。
一种破碎装置使用方法方法应用

[发明专利]对多晶硅生产中循环氢进行纯化的方法及系统-CN202010121514.8在审
发明人：吴锋;赵培芝;孙江桥;徐玲锋 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C01B3/58 文献下载
摘要：本发明公开了对多晶硅生产中循环氢进行纯化的方法及系统。该方法包括：(1)利用活性炭对多晶硅生产中的尾气进行吸附处理，以便得到氢气粗品；(2)利用液氮对所述氢气粗品进行冷凝处理；(3)将冷凝处理后的氢气依次经贵金属催化剂催化、分子筛吸附和过滤器过滤，以便得到初级纯化氢气；(4)利用金属合金对所述初级纯化氢气进行吸附处理，以便得到高纯氢气，其中，所述金属合金包括选自Ti‑Cr‑V‑Zr合金、Ti‑V‑Zr合金、Fe‑Zr‑V合金和Li‑Ba‑Mo合金中的至少一种。该方法不仅工艺简单、流程短，而且提纯效率高，纯化效果好，最终提纯得到的高纯氢气中甲烷和氮气的体积含量均不高于50ppm，可广泛应用于工业生产。
多晶生产循环进行纯化方法系统

1
2
下一页»
尾页
共 16 条