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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光触媒装置-CN200810300791.4无效
发明人： 徐智鹏;张忠民;李泽安 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光触媒装置，其包括：至少一个光触媒层及至少一个电极板；该至少一个光触媒层用以在吸收特定波长的光的能量后受激产生电子与空穴；该至少一个电极板分别和与其对应的光触媒层邻近设置，其分别用以在被提供一偏压后极化与其对应的该光触媒层受激产生的电子与空穴。所述光触媒装置经由设置电极，当在电极上提供偏压后，该电极可极化与其对应且相邻设置的光触媒层受激产生的电子与空穴，使得电子与空穴分离以避免电子与空穴自行复合湮灭，进而可有效保持电子及空穴分别和氧分子及水分子的作用活性，达成增进光触媒作用效应之目的。
触媒装置

[发明专利]三族氮化合物半导体发光元件及其制造方法-CN200810083678.5无效
发明人：黄世晟;涂博闵;叶颖超;林文禹;吴榆翔;徐智鹏;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种三族氮化合物半导体发光元件及其制造方法，所述方法包含下列步骤：成长第一三族氮化合物半导体层于临时基板的表面；以光刻工艺图案化该第一三族氮化合物半导体层；形成第二三族氮化合物半导体层于该已图案化的第一三族氮化合物半导体层上；形成导电材料层于该第二三族氮化合物半导体层；以及自该第一三族氮化合物半导体层分离以得到该导电材料层及导电材料层的组合体。本发明提供了一种确保品质稳定及可量产的基板分离技术。
氮化半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]三族氮化合物半导体发光二极管-CN200810083476.0有效
发明人：黄世晟;杨顺贵;黄嘉宏;徐智鹏;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种三族氮化合物半导体发光二极管，其包含一衬底、一缓冲层、一N型半导体材料层、一有源层及一P型半导体材料层。该有源层包含至少一量子阱层、至少两个夹设该量子阱层的阻障层及至少一个应力调整层，其中该应力调整层设于该量子阱层及一阻障层之间，且该应力调整层的三族氮化合物材料组成延该量子阱层朝向邻接该阻障层方向递变分布。
氮化半导体发光二极管

[发明专利]热电致冷器及采用该热电致冷器的照明装置-CN200810300461.5无效
发明人： 徐智鹏;赖志铭 -专利权人：富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L35/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电致冷器，该热电致冷器包括多个P型半导体柱、多个N型半导体柱、多个连接电路、一个冷端及一个热端，该多个连接电路将该多个P型半导体柱及该多个N型半导体柱电连接在一起，该多个P型半导体柱、多个N型半导体柱及该多个连接电路夹设在该冷端与该热端之间且分别与该冷端及该热端形成热性连接，该冷端包括一个第一金属板及一个形成在该第一金属板上的第一金属氧化物绝缘薄膜，且该第一金属氧化物绝缘薄膜位于该第一金属板的邻近该多个P型半导体柱、多个N型半导体柱及多个连接电路的一侧。另外，本发明还涉及一种采用该热电致冷器进行导热的照明装置。
热电致冷采用照明装置

[发明专利]光动力治疗的照射装置-CN200810082506.6无效
发明人： 徐智鹏;包又菘;林久渊 -专利权人：硕颉科技股份有限公司
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：一光动力治疗的高效照射装置，是利用紫质(又名卟啉)族系光感物质的最佳吸收波长为集中于405nm附近，利用组织，特别是深层组织的光学特性及改变光学接口等特性，以克服该范围的发光波长不易深入组织的困难。
动力治疗照射装置

[发明专利]半导体发光元件-CN200810300262.4无效
发明人： 徐智鹏;马志邦;江文章 -专利权人：富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件，其包括基底、形成在基底上的半导体发光结构、以及极性相反的第一电极和第二电极，所述半导体发光结构包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、以及一位于第一型半导体层与一第二型半导体层之间的活性层，所述第一电极和第二电极分别与第一型半导体层和第二型半导体层形成电连接，所述第二电极包括一透光导电层和一与透光导电层电接触的图案化金属导电层，所述第一电极包括相互分离的一感应电极以及一第一接触垫。
半导体发光元件

[发明专利]三族氮化合物半导体发光二极管及其制造方法-CN200810002965.9有效
发明人：黄世晟;涂博闵;叶颖超;林文禹;吴芃逸;徐智鹏;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种三族氮化合物半导体发光二极管及其制造方法，该三族氮化合物半导体发光二极管包含衬底、第一三族氮化合物层及第二三族氮化合物层。该衬底具有第一表面及多个凸伸于该第一表面的凸部，各该凸部的周围被该第一表面围绕。该第一三族氮化合物层覆盖于该多个凸部的顶面，并自该多个顶面往侧向相互连接。该第一表面被该第二三族氮化合物层覆盖，该第二三族氮化合物层的厚度小于该凸部的高度，又该第二三族氮化合物层和该第一三族氮化合物层相同材料。根据本发明的二极管具有更佳的发光效率。
氮化半导体发光二极管及其制造方法

[发明专利]背光模组-CN200710203578.7无效
发明人： 徐智鹏;徐弘光 -专利权人：富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种背光模组，包括一导光板及一LED光源组，所述导光板具有一出光面及位于该出光面侧端的一入光面，该LED光源组设于导光板的入光面且LED光源组的出光面与所述入光面相对设置；该背光模组还包括一通风管，所述通风管内具有一空气通道，通风管的两端分别设有与空气通道相连通的一进气口与一出气口，所述出气口在重力方向上高于进气口，所述LED光源组设于该通风管上并与通风管热连接，所述通风管用以吸收光源组工作时所产生的热量使空气通道内的空气沿与重力相反的方向上升，上升的空气经由出气口流出。该背光模组具较佳的散热性能，可提升LED光源组的发光效率及寿命。
背光模组

[发明专利]固态光源装置-CN200710203253.9无效
发明人： 徐智鹏;王君伟 -专利权人：富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： F21V19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态光源装置，其包括一设置有第一容置槽、第二容置槽及第三容置槽的本体；一设置在该第一容置槽中的第一发光单元，其包括第一固态发光芯片及覆盖该第一固态发光芯片的第一填充层；一设置在该第二容置槽中的第二发光单元，其包括第二固态发光芯片及覆盖该第二固态发光芯片的第二填充层；一设置在该第三容置槽中的第三发光单元，其包括第三固态发光芯片及覆盖该第三固态发光芯片的第三填充层；该第一、第二及第三固态发光芯片为同色光的固态发光芯片，该第一、第二及第三填充层中至少两者含有各自不同的荧光粉，经由该第一、第二及第三填充层出射的光混光后形成一白光。
固态光源装置

[发明专利]发光二极管-CN200710203009.2无效
发明人：张忠民;徐智鹏;王君伟 -专利权人：富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管。所述发光二极管包括一个反光杯，至少一个发光二极管芯片及多个电极，该反光杯包括一本体及设置在该本体上的容置槽，该多个电极设置在该本体上且位于该容置槽的底部，该至少一个发光二极管芯片设置在该容置槽中并与该多个电极电连接。该发光二极管还包括一第一散射层及一光转换层，该第一散射层设置在该容置槽中且覆盖该至少一发光二极管芯片，该第一散射层中含有散射粒子，该光转换层设置在该第一散射层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧。
发光二极管

[实用新型]底开门货斗-CN200820075806.7有效
发明人：皮云生;刘志江;张凤强;张卫兵;付永刚;徐智鹏;张元龄;曹娜;赵晓冬;孙吉刚;张宁 -专利权人：天津港第五港埠有限公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： B60P1/56 文献下载
摘要：一种底开门货斗，货斗主体的四周是由自制的槽钢焊接而成的框架结构，框架的下端的四角上连接有斗门轴，框架的底面有两开门，每个开门的外端边连接在框架的下端的斗门轴上，形成两开门；在每个开门上有开门吊耳，在框架的上端边上有起吊吊耳。由钢板组成的两开门上有加强筋。主要特点：采用下置斗门，节省了普通货斗往复倾倒货物的工序；斗体直上直下，与通常的货斗不同，配合下置的斗门更有利于货物倾倒干净，大大减少了货物残留。适用于不同的散矿作业，用途广泛。它的使用大大提高了各种散矿，尤其是镍矿的装卸效率。效率提高了一倍多，而且由于其基本不粘货，节省了清理货斗的时间和人力。
开门

[实用新型]镍矿作业盘-CN200820075807.1有效
发明人：皮云生;刘志江;张凤强;张卫兵;付永刚;徐智鹏;张元龄;曹娜;赵晓冬;孙吉刚;张宁 -专利权人：天津港第五港埠有限公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： B65D19/26 文献下载
摘要：一种镍矿作业盘，作业盘为矩形盘状结构，在底盘的两侧边上有竖直挡边，底盘钢板上加强筋，其底盘钢板上铺有密眼网作为介质。在两侧竖直挡边上分别装有两个吊耳。介质载体，卸货无残留。卸货效果非常好，使用后完全不用进行清货工作，节省了人力物力。操作简便。镍矿作业盘结构简单，操作简便，门机司机只需将其翻转90度就能完成卸货工序，比起普通货斗的往复翻转要高效的多，坚固耐用。镍矿作业架主梁采用坚固的“中”型结构，由自制型钢及钢板焊接而成，底梁采用自制型钢与钢板焊接成正方形箱体结构，此种设计大大提高了镍矿作业盘的强度。提高了镍矿的装卸效率，节省了清理货斗的人力物力。
作业

[发明专利]口腔照明装置-CN200710202895.7无效
发明人： 徐智鹏;李泽安 -专利权人：富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： F21V8/00 文献下载
摘要：一种口腔照明装置，包括一固态发光元件、一光传导纤维及一导光体，光传导纤维具有一光入射端及一光出射端，固态发光元件及导光体分别与光传导纤维的光入射端及光出射端光学耦合，该口腔照明装置可进步包括一挂勾，通过该挂勾可将所述口腔照明装置挂于患者口部等位置，所述导光体为可拆卸地连接于该口腔照明装置。本发明所提供的口腔照明装置，可避免提供光源的固态发光元件及其导线等元件直接进入患者口中，防止因口腔内潮湿的环境造成电路短路，该导光体可提供大范围光照面积，提高口腔内部多角度、高亮度照明，不易被遮蔽。此外，所述导光体为可拆卸，使用后能够置换，利于患者结束治疗后对该口腔照明装置消毒杀菌，避免患者间的疾病传染。
口腔照明装置

[发明专利]三族氮化合物半导体发光二极管和其制造方法-CN200710195850.1无效
发明人：涂博闵;黄世晟;叶颖超;林文禹;吴芃逸;徐智鹏;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种三族氮化合物半导体发光二极管，其包含衬底、缓冲层、N型半导体材料层、共形活性层和P型半导体材料层。所述N型半导体材料层具有第一表面和第二表面，所述第一表面直接接触所述缓冲层。所述第二表面具有多个凹部，所述共形活性层形成于所述第二表面上和所述多个凹部内。所述共形活性层与所述N型半导体材料层之间的应力可通过所述多个凹部释放。
氮化半导体发光二极管制造方法

[发明专利]光动力医学的医疗仪器-CN200710196486.0无效
发明人： 徐智鹏;包又菘;林久渊 -专利权人：硕颉科技股份有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：一种光动力医学的医疗仪器。光动力医学的医疗仪器包括照射装置、影像撷取装置、滤光材料与控制单元。照射装置产生激发光，以激发光感物质。光感物质于受激发之后，会产生光辐射。影像撷取装置用以撷取激发光激发光感物质所形成的影像。滤光材料的能隙值介于2.8eV与3.2eV之间。滤光材料配置于影像撷取装置的光径上，以减少激发光对影像的干扰。控制单元用以控制照射装置与影像撷取装置。因此，可提升影像撷取装置所撷取的影像质量。
动力医学医疗仪器

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