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[发明专利]采用感应熔炼制复合多级Y₂O₃粉坩埚的方法-CN200810115855.3无效
发明人： 徐惠彬;张虎;高明;唐晓霞;宫声凯 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用感应熔炼制复合多级Y₂O₃粉坩埚的方法，该感应熔炼制坩埚方法通过在感应线圈内分段填充不同粒径的Y₂O₃粉材，通过对坩埚样模的加热使得不同粒径的Y₂O₃粉材烧结。经本发明方法制得的复合多级Y₂O₃粉坩埚可以在使用温度为1600～2000℃的环境下进行熔炼高熔点活性金属或合金。
采用感应熔炼复合多级 sub 坩埚方法

[发明专利]一种复合粘结层材料及其采用电镀与电子束物理气相沉积组合制备复合粘结层的方法-CN200810106055.5无效
发明人：宫声凯;王莹;郭洪波;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-05-08 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合粘结层材料及其采用电镀与电子束物理气相沉积组合制备复合粘结层的方法，该组合方法制得的复合粘结层具有四层结构，所述复合粘结层由RuAl层和NiAlHf层构成；所述RuAl层中Al含量为30at％～50at％，余量为Ru；所述NiAlHf层由下接合层、中间层和上接合层组成；所述下接合层中的Al含量为70～90at％，Hf含量为0.5～3at％，余量为Ni；所述中间层中Al含量连续减少，从70～90at％减少至40～50at％，Hf含量为0.5～3at％，余量为Ni；所述上接合层中的Al含量为40～50at％，Hf含量为0.5～3at％，余量为Ni。
一种复合粘结材料及其采用电镀电子束物理沉积组合制备方法

[发明专利]一种耐瞬态超高温的热障涂层陶瓷层材料及其制备方法-CN200810103109.2无效
发明人：郭洪波;王毅;徐惠彬;宫声凯 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： C23C4/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐瞬态超高温的热障涂层陶瓷层材料，是由摩尔百分比为1～5的氧化钇Y₂O₃、摩尔百分比为1～40的氧化铪HfO₂、摩尔百分比为1～5的氧化铌Nb₂O₅以及余量的氧化锆ZrO₂组成的Nb₂O₅掺杂YSZ－YSH陶瓷层材料。该热障涂层陶瓷层材料能够承受每秒2500K～3000K的瞬态超高温、马赫节点为3～6的燃气热冲击和冲刷烧蚀。维氏硬度HV 800～1300。在测试温度2500K，马赫节点3的热冲击循环下，10次后含有Nb₂O₅掺杂YSZ－YSH陶瓷材料涂层的基体保持完好；在35次后含有Nb₂O₅掺杂YSZ－YSH陶瓷材料涂层的基体出现腐蚀点。
一种瞬态超高温热障涂层陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]氧化钇掺杂氧化锆坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法-CN200810101793.0无效
发明人： 徐惠彬;高明;龚路杰;唐晓霞;张虎 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钇掺杂氧化锆坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法，氧化钇掺杂氧化锆坩埚的成分为每10g的氧化钇Y₂O₃中掺杂有0.2～1.5g的氧化锆。在用于热压烧结的氧化钇Y₂O₃粒径为0.01～20μm，氧化锆ZrO₂粒径为0.01～20μm。本发明氧化钇掺杂氧化锆坩埚使用温度为1600～2000℃，且在该温度环境下作为真空熔炼的器具，坩埚内表面未参与活性金属或合金的反应，从而提高了熔体的纯净度。
氧化钇掺杂氧化锆坩埚及其采用热压烧结方法

[发明专利]一种复合阻碳涂层材料及其在基体上制备复合阻碳涂层的方法-CN200810101792.6无效
发明人： 徐惠彬;龚路杰;周春根;高明;张虎;宫声凯 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： C04B41/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合阻碳涂层材料及其在基体上制备复合阻碳涂层的方法，该复合阻碳涂层材料由过渡层和阻碳层组成，所述过渡层为SiC或Mo材料，所述阻碳层为Y₂O₃材料。所述过渡层厚度为40～120μm，所述阻碳层厚度为100～250μm。将制有SiC－Y₂O₃或Mo－Y₂O₃复合阻碳涂层的石墨坩埚在真空感应熔炼炉内进行熔炼Ti基合金，在熔炼温度达到1700～1750℃时有效地阻止了石墨坩埚中的碳元素与Ti活性金属之间的化学反应，避免了碳污染，提高了被熔炼材料的洁净度。
一种复合涂层材料及其基体制备方法

[发明专利]氧化钇掺杂氧化钕坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法-CN200810101790.7无效
发明人： 徐惠彬;高明;龚路杰;唐晓霞;张虎 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钇掺杂氧化钕坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法，氧化钇掺杂氧化钕坩埚的成分为每10g的氧化钇Y₂O₃中掺杂有0.2～1.3g的氧化钕Nd₂O₃。在用于热压烧结的氧化钇Y₂O₃粒径为0.01～20μm，氧化钕Nd₂O₃粒径为0.01～20μm。本发明氧化钇掺杂氧化钕坩埚使用温度为1600～2000℃，且在该温度环境下作为真空熔炼的器具，坩埚内表面未参与活性金属或合金的反应，从而提高了熔体的纯净度。
氧化钇掺杂氧化坩埚及其采用热压烧结方法

[发明专利]氧化钇掺杂氧化镧坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法-CN200810101789.4无效
发明人： 徐惠彬;高明;龚路杰;唐晓霞;张虎 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钇掺杂氧化镧坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法，氧化钇掺杂氧化镧坩埚的成分为每10g的氧化钇Y₂O₃中掺杂有0.2～1.2g的氧化镧。在用于热压烧结的氧化钇Y₂O₃粒径为0.01～20μm，氧化镧La₂O₃粒径为0.01～20μm。本发明氧化钇掺杂氧化镧坩埚使用温度为1600～2000℃，且在该温度环境下作为真空熔炼的器具，坩埚内表面未参与活性金属或合金的反应，从而提高了熔体的纯净度。
氧化钇掺杂氧化坩埚及其采用热压烧结方法

[发明专利]一种采用共沉淀法制备镧铝酸钛陶瓷材料的方法-CN200810101374.7无效
发明人： 徐惠彬;谢小云;郭洪波;宫声凯 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用共沉淀法制备镧铝酸钛陶瓷材料的方法，选用硝酸铝、硝酸镧、钛酸四丁酯作为原料，制备出用作热障涂层的镧铝酸钛材料。采用共沉淀法获得在分子水平上混合均匀的沉淀产物，使得随后的烧结反应更容易进行并且进行得更加完全，从而得到高纯度，粒度均一，流动性良好的LaTi₂Al₉O₁₉陶瓷粉末。
一种采用共沉淀法制备镧铝酸钛陶瓷材料方法

[发明专利]一种铌硅铪钛铝铬超高温合金及其制备方法-CN200810101606.9无效
发明人： 徐惠彬;沙江波;李小溅;贾丽娜;张虎;马朝利;周春根 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-10 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌硅铪钛铝铬NbSiHfTiAlCr高温合金，该合金材料由36～61at％的铌Nb、11～18at％硅Si，2at％的铪Hf，22at％的钛Ti，2at％的铝Al和2～20at％的铬Cr组成，并且上述各成分的含量之和为100％。该铌硅铪钛铝铬高温合金材料的密度为6.34～6.92g/cm³；在1350℃时屈服强度为90～320MPa；在1250℃时屈服强度为120～370MPa，变形率大于10％；在25℃时的断裂韧性为9～18MPa·m^1/2。该铌硅铪钛铝铬高温合金材料在1250℃空气中进行暴露试验100小时的氧化增重为50～200mg/cm²。
一种铌硅铪钛铝铬超高温合金及其制备方法

[发明专利]一种具有TbCu₇结构的SmCo1:7型纳米晶永磁材料及制备方法-CN200710179745.9无效
发明人：蒋成保;姚赞;张天丽;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有TbCu₇结构的SmCo1:7型纳米晶永磁材料，该纳米晶永磁材料的表达式为SmCo_XM_Y，X的原子个数为5.5～8.5，Y的原子个数为0.1～1.5；第三元素M是Ni、Mo、Ti、C、B、W、Ta、Ga或者Pt。该纳米晶永磁材料通过高温电弧或高频感应熔炼、粗破碎、高能球磨和非晶热处理晶化制得具有TbCu₇结构的SmCo1:7型纳米晶永磁材料。本发明SmCo_XM_Y纳米晶永磁材料的室温内禀矫顽力为950～1900kA/m，饱和磁化强度为0.58～1.0T，居里温度为780～900℃。
一种具有 tbcu sub 结构 smco1 纳米永磁材料制备方法

[发明专利]一种采用溶胶凝胶法制备镧铝酸钛陶瓷材料的方法-CN200810101373.2无效
发明人：宫声凯;谢小云;郭洪波;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C04B35/624 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用溶胶凝胶法制备镧铝酸钛陶瓷材料的方法，该方法选用硝酸铝、硝酸镧、钛酸四丁酯作为原料，选用无水乙醇作为溶剂，采用溶胶凝胶法获得在分子水平上混合均匀的溶胶前驱物，使得随后的烧结反应更容易进行并且进行得更加完全，从而得到高纯度，粒度均一，流动性良好的LaTi₂Al₉O₁₉复合氧化物陶瓷粉末。采用本发明的制备方法解决了固相反应制备LaTi₂Al₉O₁₉陶瓷粉末时原料混合不均，导致产物纯度不高的问题。本发明的LaTi₂Al₉O₁₉陶瓷材料可用作热障涂层陶瓷层材料。
一种采用溶胶凝胶法制备镧铝酸钛陶瓷材料方法

[发明专利]一种铌钛硅锆铪硼合金及其制备方法-CN200810101605.4无效
发明人： 徐惠彬;沙江波;陈颖;刘军;张虎 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-10 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌钛硅锆铪硼NbTiSiZrHfB合金，该合金由46～82.5at％的铌Nb、10～30at％钛Ti、3at％～10at％的硅Si、0.5～4at％的锆Zr、2～8at％的铪Hf和2at％的硼B组成。该铌钛硅锆铪硼合金材料的密度为7.030～8.185g/cm³；在室温下的断裂韧性为13～37MPa·m^1/2；在室温下的屈服强度为700～1300MPa；在室温下的维氏硬度为HV 280～420。
一种铌钛硅锆铪硼合金及其制备方法

[发明专利]一种适用于制冷探测器的低温节流器-CN200810101253.2无效
发明人：刘福顺;徐惠彬;李岩;赵新青 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-03-03 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： F25B41/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于制冷探测器的低温节流器，其由壳体(1)、驱动件(3)、底座(4)、形状记忆弹簧(5)、偏置弹簧(6)组成；壳体(1)底端与底座(4)的凸缘(41)通过螺纹连接，壳体(1)的内部从左至右放置有偏置弹簧(6)、驱动件(3)、形状记忆弹簧(5)，偏置弹簧(6)的一端套接在底座(4)的B凸台(42)上，偏置弹簧(6)的另一端套接在驱动件(3)的A凸台(33)上，形状记忆弹簧(5)的一端套接在驱动件(3)的连杆(32)上，形状记忆弹簧(5)的另一端与壳体(1)的A收敛段(12)接触。在本发明中，形状记忆弹簧(5)采用低相变点TiNiFe形状记忆合金材料，制作成细径0.2～1.5mm的丝材，缠绕成微型驱动记忆螺旋弹簧；本发明节流器采用TiNiFe记忆合金丝材来制作调节式制冷器的驱动件，克服了采用Cu基形状记忆合金的缺点，具有加工制作容易，使用重复性好、寿命长、结构简单的优点。
一种适用于制冷探测器低温节流

[发明专利]高能束流多晶硅提纯装置-CN200710175384.0无效
发明人：李合非;宋连红;逄广林;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用高能束流提纯多晶硅的装置，包括有真空室、真空电磁感应熔炼单元、电子束熔炼单元、等离子熔炼单元、定向凝固单元。真空电磁感应熔炼单元安装在真空室的凹形面上；电子束熔炼单元的A电子枪安装在真空室的左斜面上，B电子枪安装在真空室的右斜面上；等离子熔炼单元的A等离子枪安装在真空室的左壳体上，B等离子枪安装在真空室的右壳体上；定向凝固单元的连接座安装在真空室的隔板上；本发明的目的是提供一种融合了真空电磁感应熔炼、等离子熔炼、电子束熔炼、以及定向凝固四种技术的利用高能束流提纯多晶硅的装置，该提纯装置顺次对99.9％的金属硅进行真空电磁感应熔炼、电子束熔炼、等离子熔炼、定向凝固后可获得纯度达到99.9999％的生产太阳能电池用的多晶硅。解决了目前化学法生产太阳能级硅存在的设备投入大，成本高，能源消耗大，环境污染严重等缺陷。
高能多晶提纯装置

[发明专利]非金属元素合金化的片层铌钼硅基原位复合材料及其制备方法-CN200710178743.8无效
发明人：马朝利;张虎;李玉龙;刘肖;徐惠彬;张涛 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非金属元素合金化的片层铌钼硅基原位复合材料及其制备方法，所述Nb－Mo－Si原位复合材料由30～87at％的Nb、3～40at％的Mo和10～30at％的Si组成。为了提高Nb－Mo－Si原位复合材料的在1200～1500℃高温的强度或者抗蠕变性，可以添加0.1～10at％的B或者0.1～10at％的Ge。本发明的Nb－Mo－Si原位复合材料采用了光悬浮区域熔炼定向凝固方法进行制备，制得的非金属元素合金化Nb－Mo－Si原位复合材料具有(Nb，Mo)_ss和(Nb，Mo)₅Si₃两相，具有片层结构。在18～25℃的压缩屈服强度为1200～2200MPa，在1200～1500℃的压缩屈服强度为300～1000MPa；在1200℃、应力为170MPa、蠕变处理100h的条件下，蠕变变形量为0.5～1.0％。
非金属元素合金片层铌钼硅基原位复合材料及其制备方法