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[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板-CN201910468942.5有效
发明人：王治;关峰;袁广才;许晨;强朝辉;王学勇;高宇鹏;吕杨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，该薄膜晶体管包括低温多晶硅有源层和第一栅极，所述低温多晶硅有源层与所述第一栅极通过第一栅绝缘层间隔开；金属氧化物有源层与第二栅极，所述金属氧化物有源层与所述第二栅极通过第二栅绝缘层间隔开；和源/漏极，所述源/漏极设置在所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层之间，并分别与所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层电连接。该薄膜晶体管稳定性好、Ioff低、Ion高、且使用寿命长。
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示面板

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和显示装置-CN202010693348.9有效
发明人： 强朝辉;李超;张惠勤;强力;关峰;梁志伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法和显示装置，涉及显示领域，能够提高薄膜晶体管的整体性能。该薄膜晶体管包括：有源层，有源层的材料为多晶硅，有源层具有沟道区和位于沟道区相对两侧的第一电极区和第二电极区，其中，第一电极区和第二电极区为离子掺杂区域，第一电极区具有第一离子掺杂浓度，第二电极区具有第二离子掺杂浓度；第一电极和第二电极，设置于有源层厚度方向上的一侧且同层同材料，第一电极与第一电极区耦接、第二电极与第二电极区耦接；第三掺杂图案，设置于第一电极和第一电极区之间，分别与第一电极和第一电极区直接接触，其中，第三掺杂图案具有第三离子掺杂浓度，第三离子掺杂浓度与第一离子掺杂浓度不同。
薄膜晶体管及其制备方法显示装置

[发明专利]光电传感器、显示设备和制造光电传感器的方法-CN201980000327.X有效
发明人：李超;杜建华;关峰;强朝辉;王治;高宇鹏;吕杨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电传感器包括：基底基板；绝缘层，在基底基板上；以及光电二极管，包括在绝缘层的远离基底基板的一侧的半导体结。半导体结包括堆叠在绝缘层上的第一极性半导体层、本征半导体层和第二极性半导体层。第二极性半导体层包覆本征半导体层的侧表面。
光电传感器显示设备制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置-CN201910563193.4有效
发明人： 强朝辉;强力;罗超;张惠勤;黄睿;王治 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决薄膜晶体管漏电流高的问题。薄膜晶体管，包括衬底，还包括：第一电极，设置在衬底上；有源层，包括层叠设置的第一掺杂层、半导体层以及第二掺杂层；第一掺杂层设置在第一电极远离衬底一侧，且与第一电极电连接；第一掺杂层和第二掺杂层互为电子掺杂层和空穴掺杂层；栅绝缘层，设置在有源层远离衬底一侧；栅绝缘层上设置有露出有源层的第一过孔；栅极设置在栅绝缘层远离衬底一侧；栅极与有源层并排设置，栅极朝向有源层的第一侧面所在平面为参考平面，半导体层在参考平面上的正投影位于栅极在参考平面上的正投影内；第二电极，设置在栅极远离衬底一侧，与有源层电连接。
薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、像素结构、显示装置和制造方法-CN201980000188.0有效
发明人： 强朝辉;关峰;王治;高宇鹏;吕杨;李超;杜建华;陈蕾 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管、像素结构、显示装置和制造方法，涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、第一支撑部、第二支撑部、半导体层、源极和漏极。该栅极在衬底上。该栅极绝缘层覆盖在栅极和衬底上。第一支撑部和第二支撑部设置在覆盖衬底且位于栅极两侧的栅极绝缘层上。第一支撑部和第二支撑部非连接。半导体层在第一支撑部、第二支撑部和覆盖在栅极上的栅极绝缘层上。源极和漏极与该半导体层分别连接。该第一支撑部和该第二支撑部分别用于支撑半导体层。本公开可以提高半导体层的结晶效果。
薄膜晶体管像素结构显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板-CN202010429980.2有效
发明人：周天民;王利忠;刘凤娟;杨维;黄睿;强朝辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。所述薄膜晶体管包括衬底、位于所述衬底一侧的散热层、位于所述散热层背离所述衬底一侧的有源层、及位于所述有源层背离所述衬底一侧的栅电极、第一电极和第二电极。所述散热层背离所述衬底的表面的面积大于所述散热层在所述衬底上的正投影的面积。所述显示面板包括所述薄膜晶体管。
薄膜晶体管及其制备方法显示面板

[发明专利]发光二极管、显示基板和转移方法-CN201910643338.1有效
发明人：强力;强朝辉;杨涛;尹东升 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种发光二极管、显示基板和转移方法。转移方法包括：将显示基板设置在吸附载板上，传送头从供体基板上吸附多个发光二极管；传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上，所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中；传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管。本发明预先将不同颜色的发光二极管设置成具有不同的截面形状，在显示基板上不同颜色的子像素内设置不同截面形状的定位孔，在转移过程中通过定位孔的定位作用，保证了每个发光二极管的准确落位，提高了定位精度，有效增加了传送头一次性抓取发光二极管的数量，提高了转移效率。
发光二极管显示转移方法

[发明专利]显示背板及其制作方法和显示装置-CN201811176158.9有效
发明人：关峰;王路;李禹奉;杜建华;吕杨;强朝辉;袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了显示背板及其制作方法和显示装置。该方法包括在基板的一个表面上形成遮光层；在所述遮光层远离所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管的有源层的步骤包括：形成半导体层；使所述遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，效率高、工艺可控、成本较低，可应用于高世代线，且制作所得的显示背板的性能较好。
显示背板及其制作方法显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201811213582.6有效
发明人： 强朝辉;李超;王治;高宇鹏;杜建华;关峰;吕杨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：源漏极层，源漏极层包括源极和漏极；有源层，位于源漏极层之上，有源层与源极、漏极相邻的侧面，以及源极、漏极的上表面接触。由于有源层与源极、漏极相邻的侧面，以及源极、漏极的上表面均接触，使得相对于现有技术中源极、漏极通过过孔与有源层接触的技术方案，极大地增加了源极、漏极与有源层的接触面积，降低了接触电阻，从而提高了薄膜晶体管的响应速度。
一种薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法-CN201910961564.4有效
发明人：周天民;黄睿;杨维;王利忠;强朝辉;杨涛;强力 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板以及并列设置在其上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一极连接第二晶体管的第二极；阵列基板还包括光敏二极管，光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在第一光敏电极和第二光敏电极之间的光敏层，第一光敏电极与第一晶体管的第一栅极电连接。在上述设置中，第一晶体管和第二晶体管的输入端和输出端连接，以形成一个控制电路，该控制电路的均一性和稳定性大幅提升，当功能模块(例如：指纹识别模块)集成于显示面板时，指纹识别模块中的光敏二极管与控制电路连接时，控制电路能够更好地接收光敏二极管发出的电信号。
阵列电子装置制作方法

[发明专利]一种掩膜版-CN201810994585.1有效
发明人：杜建华;强朝辉;王治;关峰;高宇鹏;吕杨;任庆荣;李超;王鑫 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜版，涉及加工工艺技术领域。其中，所述掩膜版包括掩膜版盒，以及嵌套在掩膜版盒中的准直透镜组合板。其中，掩膜版盒包括对盒设置的掩膜图案板和第一准直透镜板，第一准直透镜板上的光线准直区域与掩膜图案板上的透光区域位置对应；准直透镜组合板上的光线准直区域可以大于掩膜图案板上的透光区域。在本发明实施例中，掩膜图案板上的透光区域与特定薄膜晶体管的图案对应，准直透镜组合板上的光线准直区域大于掩膜图案板上的透光区域，从而准直透镜组合板可以与不同掩膜图案的掩膜版盒嵌套组合，形成不同的掩膜版，进而能够对不同图案的薄膜晶体管的a‑Si进行区域化激光退火处理，提高了区域化激光退火掩膜版的通用性。
一种掩膜版

[发明专利]一种光电探测器件、及其制备方法、显示面板及显示装置-CN201910591338.1有效
发明人：李超;杜建华;关峰;高宇鹏;强朝辉;王治;吕杨;罗超 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种光电探测器件、及其制备方法、显示面板及显示装置，该光电探测器件包括：衬底，位于衬底上的薄膜晶体管TFT和光敏PIN器件；PIN器件包括：与TFT在衬底上的I型区；覆盖I型区的顶表面的第一刻蚀阻挡层；与I型区靠近TFT一侧的侧表面接触的第一重掺杂区；与I型区远离TFT一侧的侧表面接触的第二重掺杂区，第一重掺杂区与第二重掺杂区的掺杂类型互不相同。该光电探测器件中，PIN器件为水平结构，有效减少了PIN器件接收光线一侧的膜层数量及膜层厚度，从而减少了各膜层对光信号的反射、吸收，增加光信号的透过率，有利于提高器件光响应度。
一种光电探测器件及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]驱动基板及其制备方法和显示装置-CN202010733605.7在审
发明人：卢鑫泓;张方振;袁广才;曹占锋;王久石;王珂;朱小研;齐琪;周靖上;强朝辉;梁志伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种驱动基板，包括：柔性基底、位于所述柔性基底上的多个薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基底一侧的第一导电图形层；所述柔性基底包括：显示区、可弯折区和绑定区，所述可弯折区位于所述显示区和所述绑定区之间，所述薄膜晶体管位于所述显示区内；所述第一导电图形层包括：多个第一连接端子和多条信号供给引线，所述第一连接端子位于所述显示区内，部分所述第一连接端子与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述信号供给引线位于所述可弯折区内，所述信号供给引线的两端分别延伸至所述显示区和所述绑定区内；所述第一导电图形层与所述柔性基底之间设置有至少一层无机绝缘层，所述无机绝缘层在所述可弯折区内为镂空结构。
驱动及其制备方法显示装置

[发明专利]显示面板-CN202010271183.6有效
发明人：杜建华;罗超;关峰;袁广才;徐国良;王忠国;王政焱;陈明;杨春雷;强朝辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本申请提供一种光电探测器及其制备方法、显示面板，以通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节。所述光电探测器包括沿厚度方向依次层叠设置的背电极层、吸收层、缓冲层、复合膜、透明电极层和顶电极；其中，复合膜包括混合均匀的PVDF和ZnO，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1。所述制备方法用于制备所述光电探测器。所述显示面板包括上述的光电探测器、以及沿厚度方向依次叠设于基底上的像素控制电路层、平坦层和发光结构层；光电探测器位于平坦层的开口内，且位于像素控制电路层上，光电探测器的背电极层与像素控制电路层的源极电连接。
显示面板

[发明专利]感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板-CN201910752416.1有效
发明人：周天民;黄睿;王利忠;宋吉鹏;杨涛;强朝辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板。所述感光装置形成在衬底上，并且包括：光敏元件，所述光敏元件包括：位于所述衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的第一栅极；位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层。
感光装置及其制造方法探测阵列

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