专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]RFID电子门票-CN201120091229.2有效
  • 赵俊江;张联盟;巩坤;赵林;许学坤 - 山东泰宝防伪技术产品有限公司
  • 2011-03-31 - 2011-11-09 - G06K19/07
  • 本实用新型涉及一种RFID电子门票,属于防伪印刷技术领域,其特征在于:包括正面印刷层,正面印刷层底部连接有反面印刷层,正面印刷层与反面印刷层之间设有电子标签层。RFID电子门票在正面印刷层与反面印刷层之间嵌有采用RFID电子芯片的电子标签层,并在正面印刷层表面上设置荧光防伪层、版纹防伪印刷层和双卡防伪层,使得整个门票更加美观,且实现了多重防伪,增加了门票的防伪性能,能够基本杜绝假门票的存在。
  • rfid电子门票
  • [发明专利]钼合金与铜合金的低温扩散焊接方法-CN201110172004.4无效
  • 沈强;张建;罗国强;李美娟;张联盟 - 武汉理工大学
  • 2011-06-24 - 2011-10-19 - B23K20/14
  • 本发明是一种钼合金与铜合金的低温扩散焊接方法,该方法包括如下步骤:(1)工件表面清理步骤:将钼合金片、铜合金片加工到规定尺寸,除去它们待焊面的氧化层;(2)工件组装步骤:将中间层-镍箔置于钼合金片与铜合金片之间,在模具上压头和下压头上分别喷涂一层阻焊层,构造被焊接工件;(3)工件装卡入炉焊接步骤:将被焊接工件放入真空扩散焊接炉内,加热、保温,当保温开始前对被焊接工件施加轴向压力,保温结束后卸除压力。本发明能够实现钼合金与铜合金的高质量焊接,适合不同种类的钼合金和铜合金之间的可靠焊接,特别适用于钼合金薄板与铜合金薄板的焊接,焊接接头抗拉强度达到97MPa,并且操作简便,成本低,焊件平面性好。
  • 合金铜合金低温扩散焊接方法
  • [实用新型]图书馆用RFID不干胶标签-CN201120091151.4无效
  • 耿殿刚;张联盟;石娜;任慧颖;宋雪莲 - 山东泰宝防伪技术产品有限公司
  • 2011-03-31 - 2011-10-19 - G09F3/02
  • 本实用新型涉及一种图书馆用RFID不干胶标签,属于防伪印刷技术领域,其特征在于:包括从上到下依次设置的表面印刷层、电子标签层、不干胶层和硅油纸层。图书馆用RFID不干胶标签通过将电子标签层置于带有荧光防伪层的表面印刷层与不干胶层之间,既增强了产品的防伪效果,又提高了产品的美观度,设置电子标签层可方便的接收或读取图书信息,整理图书时不用移动图书,验证方便,提高了工作效率,避免了工作误差,当电子标签层受干扰或读取不出数据时,还可以利用荧光防伪层进行鉴别,增强了防伪度。
  • 图书馆rfid不干胶标签
  • [发明专利]铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容及其制备方法-CN201110090141.3无效
  • 张联盟;王传彬;王君君;沈强;李凌 - 武汉理工大学
  • 2011-04-11 - 2011-09-14 - H01G4/33
  • 本发明涉及一种铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容及其制备方法。铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容,其特征在于它由下电极层、BaTi2O5铁电薄膜层和上电极层组成,BaTi2O5铁电薄膜层位于下电极层与上电极层之间;下电极层为Pt/TiO2/SiO2/Si,Pt/Ti/SiO2/Si或Pt/MgO中的一种,采用磁控溅射方法逐层溅射制备;BaTi2O5铁电薄膜层采用脉冲激光沉积方法制备在下电极层上,BaTi2O5铁电薄膜为b轴择优取向,BaTi2O5铁电薄膜层的厚度230~510nm;上电极层的材料为Pt金属,采用磁控溅射方法制备在BaTi2O5铁电薄膜层上,上电极层的厚度为80~170nm。本发明与现有PZT和SBT薄膜电容相比,具有无铅环保、适用范围广(高居里温度)等优点。
  • 存储器用batisub薄膜电容及其制备方法
  • [发明专利]ZrB2/SiC/Zr-Al-C陶瓷的制备方法-CN201110000100.0无效
  • 李俊国;郭启龙;沈强;张联盟 - 武汉理工大学
  • 2011-01-04 - 2011-08-24 - C04B35/58
  • 本发明是一种ZrB2/SiC/Zr-Al-C陶瓷的制备方法,该方法是采用金属Zr、Al及其化合物包裹的ZrB2粉体、SiC和石墨粉体为原料,利用Zr、Al和C的原位反应合成层状的Zr-Al-C化合物来增韧ZrB2-SiC的复合材料;该方法包括混合粉体的制备和烧结步骤,其中烧结过程是将称取的混合均匀粉体装入石墨模具中,在1600°C-1900°C温度烧结,烧结压力为0-30MPa。本发明可以获得致密的ZrB2/SiC/Zr-Al-C复相陶瓷,且韧性比在同样条件下制备的ZrB2-SiC陶瓷有明显提高,并且具有工艺简单,合成烧结一步完成的特点。
  • zrbsubsiczral陶瓷制备方法
  • [发明专利]碱式氯化镁晶须的制备方法-CN201110047019.8无效
  • 秦麟卿;张联盟;黄志雄;余金辉 - 武汉理工大学
  • 2011-02-28 - 2011-07-27 - C30B29/12
  • 本发明公开的碱式氯化镁晶须的制备方法,是一种利用微乳液法制备碱式氯化镁晶须的方法,该方法是:在室温下,由十六烷基三甲基溴化铵、醇类助表面活性剂、油和氯化镁溶液按质量配比为1.1:6.3:20:0.492,来制备微乳液;然后向微乳液里添加活性氧化镁粉末,制备分散的碱式氯化镁晶须。本发明与国内外最高水平的沉淀法或水热法相比,可以提高晶须的长径比,实现晶须尺寸的可控生长,这是节能减排、规模生产、广泛应用所需解决的首要问题,并且能够缩短晶须的生产周期,约缩短生产周期为1/2~1/6,产率可以提高约3~20倍。
  • 氯化镁制备方法
  • [发明专利]Ag/PMMA纳米复合材料的制备方法-CN201110000105.3无效
  • 沈强;熊远禄;罗国强;张晓光;陈程;李美娟;张联盟 - 武汉理工大学
  • 2011-01-04 - 2011-06-01 - C08L33/12
  • 本发明提供一种Ag/PMMA纳米复合材料的制备方法,具体是:以PMMA作为聚合物基体,PMMA是聚甲基丙烯酸甲酯的英文缩写,以硝酸银为Ag源,以PVP为分散剂,PVP是聚乙烯基吡咯烷酮的英文缩写,以DMF为反应溶剂和还原剂,DMF是N,N-二甲基甲酰胺的英文缩写,将它们加热反应后得到含有Ag纳米粒子的Ag/PMMA纳米溶胶;再将Ag/PMMA纳米溶胶采用溶剂沉淀法以除去还原剂DMF,最后经干燥后加热成型得到Ag/PMMA纳米复合材料。本发明的制备工艺简单,可以有效解决传统方法制备Ag/PMMA纳米复合材料时Ag纳米粒子的团聚现象,并实现Ag纳米粒子粒径、形貌的精确设计和调控。
  • agpmma纳米复合材料制备方法
  • [发明专利]钨合金与钽合金的低温扩散焊接方法-CN201010596717.9有效
  • 沈强;罗国强;张联盟;王传彬;李美娟;魏琴琴;张建 - 武汉理工大学
  • 2010-12-20 - 2011-05-18 - B23K20/14
  • 本发明涉及一种钨合金与钽合金的低温扩散焊接方法,该方法步骤包括:(1)工件表面清理步骤:将钨合金、钽合金加工到规定尺寸,除去它们和中间层-镍箔待焊面的氧化层;(2)工件组装步骤:将中间层-镍箔置于钨合金与钽合金之间,构造被焊接工件;(3)真空扩散焊接步骤:将被焊接工件放入真空扩散焊接炉内,加热、保温,当保温开始时对被焊接工件施加轴向压力,保温结束后卸除压力并随炉冷却。本发明能够克服现有焊接技术无法在低温下实现钨合金与钽合金的高质量扩散焊接的问题,特别适合钨合金和钽合金之间在低温下可靠且精密的扩散焊接,所制备的钨钽焊接体可以用于动高压物理和核聚变等研究领域。
  • 合金低温扩散焊接方法

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