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[发明专利]一种SiC MOSFET、其制备方法及集成电路-CN202210206634.7在审
发明人：杨文韬;戴楼成;张汇源;赵倩;宁润涛 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种SiC MOSFET、其制备方法及集成电路。其中，在SiC MOSFET中，栅电极位于鳍状沟道层两侧，而将栅电极设在鳍状沟道层的两侧有利于将鳍状沟道层的宽度缩小，有利于鳍状沟道层全局反型，从而在鳍状沟道层中形成较大的载流子通道，这样SiCMOSFET中的大部分载流子会走鳍状沟道层形成的电子通道，从而走栅氧化层边缘处的载流子数量减少，进而可以大幅提升沟道迁移率，且栅氧化层的可靠性也会得到改善。
一种 sic mosfet 制备方法集成电路

[发明专利]一种基于高光谱图像的舌象特征提取方法及系统-CN202310706274.1在审
发明人：杨照华;陈伊靖;张汇源 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06V10/58 文献下载
摘要：本发明公开一种基于高光谱图像的舌象特征提取方法及系统，涉及光谱学领域。该方法包括：获取待测高光谱图像；待测高光谱图像为待测舌体的舌体部位高光谱图像；采用主成分分析法对待测高光谱图像进行数据特征提取，得到待测舌体的第一主成分、第二主成分和第三主成分；根据待测舌体的第一主成分、第二主成分和第三主成分以及待测高光谱图像确定待测舌体的空谱特征；空谱特征包括：舌苔空间特征、舌苔光谱与颜色特征、裂纹空间特征、齿痕空间特征和舌形空间特征。本发明能够从舌体的高光谱图像中提取涵盖舌体的颜色、纹理和形状信息的多种光谱特征和空间特征，从而对舌体进行高效、准确分类。
一种基于光谱图像特征提取方法系统