专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于(Inx-CN201810900497.0有效
  • 贾仁需;余建刚;元磊;张弘鹏 - 西安电子科技大学
  • 2018-08-09 - 2020-09-08 - H01L31/09
  • 本发明涉及一种基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法,所述方法包括:选取衬底;在所述衬底上表面生长(InxGa1‑x)2O3材料形成紫外光吸收层;在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极。所述器件包括衬底层、(InxGa1‑x)2O3紫外光吸收层以及叉指电极,其中,所述叉指电极为非对称结构,包括具有不同指宽的Au电极部分和In电极部分。该基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件在高In组份的情况下,(InxGa1‑x)2O3会发生相的分离,产生两个光学带隙,从而对两个紫外光谱范围产生感应,并且具有自供电特性。
  • 基于inbasesub

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