专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液-CN202210470448.4有效
  • 皮孝东;张序清;吴琛;杨德仁 - 浙江大学
  • 2022-04-28 - 2023-09-05 - C09K3/14
  • 本发明公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液,纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法合成球形的α‑Al2O3,该磨粒按以下制备方法制得:将含铝氧化剂和含氨基或羧基的有机物燃料溶于反应溶剂形成溶液;将溶液转移至坩埚内,将坩埚置于马弗炉内,将马弗炉按10~20℃/min升温速率加热至预定温度,保温,冷却,获得球形α‑Al2O3,碳化硅抛光液由以下重量百分比浓度的组分组成:纳米氧化铝磨粒1~50%、表面活性剂0.05%~5%、氧化剂0.2~10%、pH调节剂0.02%~2%和余量水性介质。本发明具有氧化铝磨粒粒径小,有较好的表面精度,提高抛光效率和精度,氧化铝磨粒制备快速高效节能等优点。
  • 纳米氧化铝制备方法应用碳化硅抛光
  • [发明专利]一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法-CN202210627321.9有效
  • 张玺;皮孝东;张序清;朱如忠;杨德仁 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2022-06-06 - 2022-10-21 - B24B37/10
  • 本发明具体涉及硅晶圆加工技术领域,具体为一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法,所述碳化硅晶圆的研磨装置包括:研磨机构,所述研磨机构包括研磨驱动机构和研磨基座,所述研磨驱动机构为碳化硅晶圆片的旋转研磨提供动力;研磨液供给源,所述研磨液供给源包括研磨液、磁流变液和磁场,通过磁场使磁流变液形成磁簇,从而控制研磨液中研磨颗粒的运动轨迹;磨粒回收机构,所述磨粒回收机构包括磁力控制设备,通过磁力控制设备对研磨颗粒和磁流变液分离,之后对研磨颗粒进行回收。本发明使研磨液中的研磨颗粒分布均匀,使碳化硅晶圆片的表面研磨均匀,研磨结束后,通过磁力控制设备的表面可控的产生磁性,对研磨颗粒集中收集,对磁流变液进行循环使用。
  • 一种碳化硅研磨装置方法
  • [发明专利]一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备-CN202210013373.7在审
  • 皮孝东;张玺;王明华;张序清;朱如忠;杨德仁 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2022-01-07 - 2022-02-22 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备,所述晶圆清洗方法包括利用二氧化碳的超临界流体和二氧化碳的气溶胶同时对晶圆表面进行冲洗,然后将晶圆表面的二氧化碳挥发成气态,使得冲洗的过程中有机物和颗粒污染物脱离晶圆表面,实现对晶圆表面的有机物和颗粒污染物的清洗。本发明利用压强或温度变化可使CO2完成在超临界流体、液体、气态、气溶胶不同形态转变的物理性质,将其引入晶圆清洗流程,替代传统RCA清洗剂SC1和SPM去除颗粒和有机物,突破了传统清洗方法超纯水使用量大、化学污染多、废料多、效率低的限制。
  • 一种清洗方法设备

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