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[发明专利]一种高频声波谐振器及其制备方法-CN202010244235.0有效
发明人：欧欣;郑鹏程;张师斌;周鸿燕;黄凯 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H3/10 文献下载
摘要：本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法，该高频声波谐振器包括：高声速支撑衬底；绝缘介质层，绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面；压电膜，压电膜位于绝缘介质层的上表面；叉指电极，叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下方设置高声速支撑衬底可以增大压电膜中所激发传播的目标弹性波的声速，并可有效约束目标弹性波的传播，提高高频声波谐振器的谐振频率；通过在压电膜与高声速支撑衬底之间设置绝缘介质层，可以有效降低压电膜中电场能量的泄露，可增强高频声波谐振器的机电耦合系数；通过选择合适的绝缘介质层，可以对高频声波谐振器进行温度补偿，降低高频声波谐振器的温漂，提高高频声波谐振器的温度稳定性。
一种高频声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种兰姆波谐振器及其制备方法-CN202010245302.0有效
发明人：欧欣;郑鹏程;张师斌;周鸿燕;黄凯 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。
一种兰姆波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种高频声波谐振器及其制备方法-CN202310678398.3在审
发明人：欧欣;吴进波;张师斌;张丽萍;姚虎林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
一种高频声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种声学谐振器及其制备方法、滤波器-CN202310732219.X在审
发明人：欧欣;郑鹏程;张师斌;吴进波;张丽萍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅110晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
一种声学谐振器及其制备方法滤波器

[发明专利]一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器-CN202310682115.2在审
发明人：欧欣;吴进波;张师斌;郑鹏程;房晓丽 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
一种声波谐振器制备方法

[发明专利]一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器-CN202111247949.8有效
发明人：欧欣;石航宁;张师斌;游天桂;郑鹏程 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取氮化铝单晶晶片；对氮化铝单晶晶片进行离子注入，得到离子注入氮化铝单晶晶片；获取支撑衬底；将离子注入氮化铝单晶晶片与支撑衬底键合，得到异质键合结构；对异质键合结构进行退火处理，得到异质集成器件结构。AlN单晶薄膜具有继承了AlN单晶晶片的优异的晶体质量，从而大大提高AlN声波谐振器的器件性能。此外，为调控AlN的极化性能从而实现调控AlN声波谐振器的性能，选用的AlN单晶晶片的晶面不仅可以为常见的极性面，还可以选用半极性面、非极性面等晶面，使器件应用范围更广泛。
一种氮化声波谐振器制备方法

[发明专利]一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器-CN202111249926.0有效
发明人：欧欣;石航宁;张师斌;游天桂;伊艾伦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；在超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与氮化铝薄膜形成复合压电器件层；在复合压电器件层上制作上电极，上电极设置在氮化铝薄膜上。在支撑衬底上通过离子束剥离和键合的方法形成碳化硅单晶薄膜层，得到与AlN更匹配的SiC作为外延模板，大大提高了外延AlN薄膜的晶体质量，从而提高器件性能与可靠性。
一种氮化碳化硅复合声波谐振器制备方法

[发明专利]一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310355365.5在审
发明人：欧欣;姚虎林;张师斌;隋东辰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：对声表面波器件进行建模，得到声表面波器件模型；针对多个预设频率中的每个预设频率，执行：基于预设频率对核心单元模型进行解析处理，得到核心单元模型的系统矩阵方程；对系统矩阵方程中的各项参数进行分类和重排处理，得到核心单元模型的初始目标矩阵方程；基于核心单元模型的初始目标矩阵方程确定目标矩阵方程；基于目标矩阵方程确定预设频率下声表面波器件的导纳；基于声表面波器件的导纳，确定声表面波器件导纳的频率响应有限元仿真曲线。通过本申请实施例提供的一种声表面波器件的仿真方法，可以加速计算过程，并且减少计算机资源占用和仿真时间。
一种表面波器件仿真方法装置电子设备存储介质

[发明专利]兰姆波谐振器及滤波器-CN202310354290.9在审
发明人：欧欣;隋东辰;郑鹏程;吴进波;张师斌 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种兰姆波谐振器及滤波器，通过调控局部薄膜的厚度来改善声阻抗的匹配性，包括在第一材料区中的压电薄膜中设置凹槽，或在第二材料区中的压电薄膜下方形成介质层，以对由叉指电极构成的具有厚度差的兰姆波谐振器进行局部厚度调整，使得第一材料区与第二材料区沿厚度方向交错设置，以抑制兰姆波谐振器的杂散模式，并根据该谐振器构建响应的滤波器，以抑制由杂散模式带来的通带性能恶化现象，从而有助于高频大带宽声学谐振器的发展。
兰姆波谐振器滤波器

[发明专利]一种微结构测量方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211598955.2在审
发明人：欧欣;姚虎林;张师斌;吴进波 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种微结构测量方法、装置、电子设备及存储介质，包括在待检测样品表面设置声学负载层，声学负载层是胶体形式的物质，基于谐振结构阵列对待检测样品进行测试，得到待检测样品表面的声学负载层的多个厚度数据，从多个厚度数据中确定声学负载层的目标厚度数据，目标厚度数据为多个厚度数据中的最大值，基于目标厚度数据与非目标厚度数据确定待检测样品的表面凸起的厚度数据，非目标厚度数据为多个厚度数据中除去目标厚度数据的厚度数据。本申请实施例基于高阶泛音体声波谐振器的声学负载周期性调制原理，实现对待测表面的厚度信息的测量，这种方法具有可靠性高，对待检测样品表面没有损耗的特点。
一种微结构测量方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种声表面波谐振器-CN202211613870.7在审
发明人：欧欣;孙米静;张师斌;张丽萍;郑鹏程 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种声表面波谐振器，通过在衬底与压电薄膜之间引入由n层参数渐变的介质层构成的渐变复合层，使得高阶杂散模式的能量能逐步向下传导，从而可有效抑制高阶杂散模式，以在实现温度补偿提升谐振器Q值的同时，还可避免对谐振器性能的影响。
一种表面波谐振器

[发明专利]一种声表面波谐振器及其制备方法-CN202110573352.6有效
发明人：欧欣;周鸿燕;张师斌;郑鹏程;张丽萍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种声表面波谐振器及其制备方法，所述声表面波谐振器包括：衬底结构；压电薄膜，形成于所述衬底结构上表面；叉指电极，嵌埋于所述压电薄膜中；其中，所述压电薄膜的厚度大于所述叉指电极的厚度，且所述压电薄膜的电极嵌入面与所述衬底结构接触。通过本发明提供的声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器工作频率低，无法满足5G通信需求的问题。
一种表面波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种多传输零点的板波滤波器及信号处理电路-CN202211243754.0在审
发明人：欧欣;房晓丽;郑鹏程;张师斌;张丽萍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请涉及器件制备技术领域，提供了一种多传输零点的板波滤波器及信号处理电路，多传输零点的板波滤波器包括依次级联的并联谐振器和串联谐振器，并联谐振器和串联谐振器中存在至少两个谐振器的板波模式的面内传输方向不同，串联谐振器的反谐振点与并联谐振器的谐振点构成多个零点位置；面内传输方向为谐振器中叉指电极的法线方向；谐振器自上而下依次包括电极组件、压电薄膜和支撑衬底；压电薄膜与支撑衬底之间具有用于将谐振器的板波模式的能量约束在板波滤波器内的悬空结构，并联谐振器和串联谐振器所激发的声波模式均相同。通过设置不同面内传输方向的谐振器，可以大幅度调整谐振器的机电耦合系数，进而更灵活地实现多传输零点的板波滤波器。
一种传输零点滤波器信号处理电路

[发明专利]一种声表面波谐振器仿真方法及系统-CN202211426306.4在审
发明人：欧欣;隋东辰;张师斌;姚虎林;郑鹏程 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本申请公开一种声表面波谐振器仿真方法及系统，包括获取待仿真的声表面波谐振器的横向切片模型，确定横向切片模型中的镜像部分和非镜像部分；从镜像部分和非镜像部分各自提取预设层网格，得到镜像单元和非镜像单元；对于非镜像单元，利用有限单元法对非镜像单元的网格进行组装，得到有限元的系统矩阵作为第一矩阵；对第一矩阵进行排序处理，施加电势约束和周期条件得到第二矩阵；对于镜像单元，对第二矩阵进行对称处理得到第三矩阵；对第二矩阵和第三矩阵进行级联，得到声表面波滤波器的横向切片模型的仿真模型。本申请可针对拼接面不一致的情况进行级联，减少所需有限元仿真单元，加快横向切片模型的仿真速度，并提高仿真结果的准确性。
一种表面波谐振器仿真方法系统

[发明专利]多物理场耦合谐振器的仿真方法及装置、存储介质和终端-CN202211379718.7在审
发明人：欧欣;隋东辰;张师斌;姚虎林;郑鹏程 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种多物理场耦合谐振器的仿真方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括获取待求解谐振器模型，识别待求解谐振器模型中的多个物理场；对待求解谐振器模型进行立方体网格划分，并将网格划分后的待求解谐振器模型分为多个网格区域，通过有限元法获取所有网格区域的系统矩阵；其中系统矩阵中的自由度向量包含待求解谐振器模型中多个物理场的物理场分量基于对矩阵中相同物理场分量进行耦合的方式，将所有网格区域依次进行拼接，以获取待求解谐振器模型的系统矩阵；对待求解谐振器模型的系统矩阵进行求解，以获取目标求解物理量。本发明实现谐振器中多物理场的仿真结合，减少了求解的时间，同时也减小了需要计算矩阵的内存。
物理耦合谐振器仿真方法装置存储介质终端

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