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[发明专利]功能配置方法、装置及存储介质-CN202310006604.6在审
发明人： 张剑豪;勾健 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本公开是关于一种功能配置方法、装置及存储介质，包括：确定与终端之间交互功能已适配的设备存在待配置功能；启动用于配置待配置功能的插件程序，基于插件程序配置待配置功能；其中，终端的内存和插件程序中包括用于配置待配置功能的功能配置文件，插件程序中的功能配置文件与内存中的功能配置文件具有相同的类。采用本公开的方法，通过为待配置功能配置对应的插件程序，并为插件程序中配置与终端内存中的功能配置文件具有相同的类的功能配置文件，基于插件程序中的功能配置文件配置该待配置功能，能够在终端配件功能升级时，及时实现对升级功能的配置，而无需等待终端系统版本的更新，提高了功能配置效率，提升了用户体验。
功能配置方法装置存储介质

[发明专利]耳机升级方法、装置、介质、耳机及电子设备-CN202211640426.4在审
发明人：马闯;张剑豪 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04L67/06 文献下载
摘要：本公开是关于一种耳机升级方法、装置、介质、耳机及电子设备。耳机升级方法包括：获取耳机的第一状态信息，第一状态信息用于表征耳机是否处于闲置状态；当确定耳机处于闲置状态时，执行耳机升级操作。获取耳机的第一状态信息，确定耳机是否处于闲置状态，以确定耳机是否能够进行升级。当确定耳机处于闲置状态时，耳机符合静默升级的条件，执行耳机升级操作。根据第一状态信息自动的确定是否执行耳机升级操作，用户无需进行繁琐的操作及等待即可实现耳机的静默升级，降低了用户操作的复杂性，优化了用户的使用体验。
耳机升级方法装置介质电子设备

[发明专利]一种用于高温工况的类超晶格Zn-Sb/Ge-Sb纳米相变存储薄膜及其制备方法-CN201711296970.0有效
发明人：吴卫华;朱小芹;刘波;张剑豪;胡益丰;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其结构通式为[ZnxSb100‑x(a)/GeySb100‑y(b)]n，其中x和y表示原子百分比，且10x75，2y45，a和b分别表示单个周期中ZnxSb100‑x薄膜和GeySb100‑y薄膜的厚度，且1nma25nm，1nmb25nm，n为类超晶格结构相变薄膜的总周期数，且1n25。本发明制备的类超晶格相变薄膜的结晶温度、析晶活化能、数据保持力均高于Ge2Sb2Te5相变材料，具有优秀的可调的热稳定性。同时，具有纳秒级的相变速度，相变过程中体积收缩率较小，有利于相变薄膜与上下电极的可靠充分接触，保证相变存储器具有良好的循环寿命。
一种用于高温工况晶格 zn sb ge 纳米相变存储薄膜及其制备方法

[实用新型]一种长磁条变形管控的承载结构-CN202123157579.7有效
发明人：张小杭;张剑豪 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01F1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了属于铁氧铁长磁条变形管控技术领域的一种长磁条变形管控的承载结构，包括承载板,承载板上等间距设有若干用于放置磁条产品的凹槽，凹槽的两侧面上设有对称的侧板。本实用新型在磁条产品烧结过程中，两侧的侧板随着磁条产品的收缩向内滑动，对磁条产品的两侧进行束缚，保证磁条产品左右两侧的平整，磁条产品在重力的作用下保证其上下的平整。
一种磁条变形承载结构

[发明专利]一种同步EEG-fMRI数据采集中核磁伪迹的在线去除方法-CN202110286597.0有效
发明人： 张剑豪;俞祝良;于晓婧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： A61B5/372 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步EEG‑fMRI数据采集中核磁伪迹的在线去除方法，1)对采集到的含噪声的脑电信号通过设计好参数的低通滤波器滤除脉冲伪迹；2)对步骤1)中滤波后的信号进行上采样，并对脑电信号与fMRI设备发出的标记进行同步，即用同步盒进行同步，得到信号Sh；3)由于脑电信号是随机信号，梯度噪声则以一个切片扫描时间T为周期，每个周期内该噪声的形状相似，因此以N个切片的来构造一个滑动窗口来构造梯度噪声模板，本发明所使用的自适应SVD去噪，考虑了心电伪迹的形态特征，更好地提高了采集信号的信噪比；本发明所使用的去噪方法在心电伪迹的去除上相比于使用基于PCA的OBS去噪，去除伪迹的同时更好地保留了有效的脑电信号，具有更高的准确率。
一种同步 eeg fmri 数据集中核磁伪迹在线去除方法

[发明专利]一种纳米级稀土掺杂提高竖炉齿辊耐高温性能工艺-CN201910256296.6有效
发明人：翟良君;张剑豪;胡益丰;朱晨 -专利权人：江苏盛日机械设备制造有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B23K9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米级稀土掺杂提高竖炉齿辊耐高温性能工艺，采用掺杂有CeO2纳米颗粒H08MnA堆焊焊丝在竖炉齿辊表面堆焊，焊接电流为120‑140A，焊接电压为24‑30V，堆焊的层数为1‑5层。焊丝焊芯采用H08MnA，药皮经水玻璃粘结在焊芯表面，药皮成分为高碳铬铁粉、钼铁、钒铁、硼铁、萤石、钛白粉、长石、石墨、其余为CeO2纳米颗粒。添加稀土CeO2纳米颗粒，来提高竖炉齿辊耐温性能工艺及其堆焊焊丝，能显著提高齿辊的耐热性能，并且延长使用寿命。
一种纳米稀土掺杂提高竖炉齿辊耐高温性能工艺

[发明专利]纳米复合锌锑钛信息功能存储薄膜及其制备方法和应用-CN202010175612.X在审
发明人：吴卫华;张贤;汤皓婷;刁懿;朱小芹;胡益丰;邹华;张剑豪 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米复合锌锑钛信息功能存储薄膜及其制备方法和应用，该薄膜的总厚度为30~100 nm，其化学组成符合化学通式(ZnySb1‑y)1‑xTix，其中，0.01x0.3,10y90。本发明主要利用磁控溅射方法制备得到纳米复合锌锑钛信息功能存储薄膜，所得材料的相变温度和非晶热稳定性得到明显改善，有利于提升PCRAM的数据保持能力；且所得材料的非晶态和晶态电阻显著上升，即电导率显著下降，有助于降低PCRAM的SET和RESET操作功耗；同时，所得材料属于生长占优型的结晶机制，继承了Zn‑Sb合金快速结晶的优点。
纳米复合锌锑钛信息功能存储薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途-CN201710101643.9有效
发明人：胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;袁丽;张剑豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu₂₈Sn₃₃Se₃₉，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料是以Sn₄₆Se₅₄靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Cu₂₈Sn₃₃Se₃₉纳米相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；具有较高的晶态电阻，从而能够减少PCRAM的功耗。
一种 cu sn se 纳米相变薄膜材料及其制备方法用途

[发明专利]一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用-CN201610889171.3有效
发明人： 张剑豪;胡益丰;朱小芹;邹华;袁丽;薛建忠;孙月梅 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加，形成类超晶格结构。本发明的材料的结构通式为[GeTe(a)/Ge(b)]_x，其中：a表示单层GeTe薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤50；b表示单层Ge薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤13；x表示单层GeTe薄膜和单层Ge薄膜的交替周期数，并且x为任一正整数。本发明的材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗，适合于制备高速、高稳定性、低功耗的相变存储器，极具市场前景。
一种 gete ge 晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料及其制备方法-CN201810392732.8在审
发明人： 张剑豪;邹华;胡益丰;朱小芹;薛建忠;郑龙;吴世臣;袁丽;孙月梅;吴卫华;眭永兴 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其组分表达式为CexSby，其中x，y为原子百分比，0
纯锑纳米相变材料镧系元素铈掺杂相变存储材料相变存储器件半导体技术非晶态电阻数据保持力原子百分比高低电阻相变材料相变过程制备工艺可逆的功耗晶化晶态制备分辨兼容存储合成成熟继承

[发明专利]用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法-CN201510317313.4有效
发明人：邹华;胡益丰;朱小芹;眭永兴;郑龙;吴卫华;吴世臣;袁丽;薛建忠;张剑豪 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成，将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料利用超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，使材料在提高热稳定性的同时加快相变速度；并且Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料在相变过程中体积改变小，这就保证了相变层与电极材料之间良好的接触，最终提高相变存储器件的稳定性和可靠性。
用于高速功耗相变存储器 ga sub 40 sb 60 晶格薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种GeSb/SiO2多层相变薄膜材料、制备方法及应用-CN201710392719.8在审
发明人：胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;袁丽;张剑豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种GeSb/SiO2多层相变薄膜材料、制备方法及应用，该薄膜材料包括GeSb薄膜和SiO2薄膜，GeSb薄膜和SiO2薄膜交替排列。本发明相较于现有技术，GeSb/SiO2多层复合相变薄膜材料为通过交替溅射沉积GeSb层和SiO2层，且在纳米量级复合而成，提高产品热稳定性，且具有较低的功耗。
一种 gesb sio2 多层相变薄膜材料制备方法应用

[发明专利]一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法-CN201710193047.8在审
发明人：胡益丰;朱小芹;尤海鹏;邹华;袁丽;张剑豪;吴世臣 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子技术领域的材料，具体涉及一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料的原子百分比组成为GexCu100‑2xTex，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料是以GeTe靶和圆形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够大大提高PCRAM的非晶热稳定性；具有较高的晶态电阻，能够减少PCRAM的功耗。
一种用于稳定性相变存储器 ge cu te 纳米薄膜材料制备方法

[发明专利]一种SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途-CN201710101641.X在审
发明人：胡益丰;朱小芹;尤海鹏;袁丽;邹华;张剑豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途，所述SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料的化学组成为(SiO2)xSb1‑x，其中0.22≤x≤0.40；采取磁控溅射的方法沉积而成，制备出的SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够有效改善PCRAM的热稳定性；具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度。
一种 sio2 掺杂 sb 纳米相变薄膜材料及其制备方法用途

[发明专利]一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途-CN201610911966.X在审
发明人：胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;薛建忠;张剑豪;孙月梅;吴世臣;袁丽;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，公开了一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbOx表示，其中Sb代表锑元素，O代表氮原子，x代表不同的掺氧量标记，x＝1、2、3或4；本发明采用磁控溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Sb靶材，溅射气体为高纯Ar气和高纯O2气，在溅射过程中保持氩气和氧气的总流量为30sccm。本发明的掺氧的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氧原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。
一种 sb 纳米相变薄膜材料及其制备方法用途

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