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- [实用新型]过滤装置-CN202320246120.4有效
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徐亦安;谢佳裕;张文杰;乔新元;张全良
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深圳市朗诚科技股份有限公司
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2023-02-09
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2023-10-20
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B01D29/11
- 本申请提供一种过滤装置，包括：筒体，筒体包括液体进口和液体出口；滤网，滤网设置在所述筒体内部，用于将经液体进口进入的液体进行过滤，并将过滤后的液体经所述液体出口排出；开关阀门和传感器，开关阀门设置在所述液体进口处，所述传感器的感应端设置在所述筒体的内部，其中，所述传感器包括液位传感器和角度传感器，所述液位传感器和所述角度传感器分别用于采集所述过滤装置的液位数据和角度数据；控制单元，所述控制单元与所述开关阀门电性连接，用于根据所述液位数据和/或角度数据控制所述开关阀门工作。本申请提供一种过滤装置，可通过液位传感器和角度传感器对过滤装置的状态进行检测，以实现提高过滤装置的工作效率以及使用寿命。
- 过滤装置
- [发明专利]晶体管的制备方法和晶体管-CN202111555061.0在审
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张全良;吴亮;姚昌荣
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华为技术有限公司
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2021-12-17
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2023-06-20
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H01L21/336
- 本申请提供一种晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次层叠形成氧化物介质层、高K介质层、虚拟栅极；在半导体衬底中开设凹槽，并在凹槽中形成源极和漏极；形成覆盖半导体衬底和虚拟栅极的层间介质层；在层间介质层中形成分别对准源极和漏极的通孔和对准虚拟栅极的槽型孔，在形成槽型孔的过程中去除虚拟栅极；在槽型孔和通孔中形成导电金属材料。本申请还提供应用该方法制得的晶体管。本申请晶体管的制备方法，利用在蚀刻层间介质层进行开设槽型孔的过程中一并蚀刻去除所述虚拟栅极，并利用槽型孔形成金属栅极，相比现有高介电常数金属栅极制备工艺，可节省工艺步骤，降低工艺成本。
- 晶体管制备方法
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