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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]流化床式反应容器及三氯硅烷的制造方法-CN201880074810.8有效
发明人： 弘田贤次;荻原克弥 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制反应容器内壁的腐蚀/损耗的流化床式反应容器及三氯硅烷的制造方法。流化床式反应容器使金属硅粉体与氯化氢气体进行反应而生成三氯硅烷。具备立设于容器主体的底面即分散盘(11)上的多个喷出喷嘴(20)。在喷出喷嘴(20)上形成有将氯化氢气体向侧方吹出的气体喷出开口(22a)。在多个喷出喷嘴(20)中的与容器主体的外壁(10a)邻接的第一喷出喷嘴(20a)上，以不会向外壁(10a)侧吹出氯化氢气体的方式形成有气体喷出开口(22a)。
流化床反应容器硅烷制造方法

[发明专利]三氯硅烷的制造方法及三氯硅烷的制造装置-CN201880074820.1有效
发明人： 弘田贤次;荻原克弥 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明的制造方法为一种三氯硅烷的制造方法，使用具有设置为能相对于阀座而以非接触的状态来旋转的阀体的无滑动阀(b1～b4)，在三氯硅烷的制造系统中对金属硅粉体所流通的导入流路(f1)、导出流路(f2)、排出流路(f31)及排出流路(f32)进行开闭。
硅烷制造方法装置

[发明专利]三氯硅烷的制造方法-CN201880074129.3有效
发明人： 弘田贤次;荻原克弥 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明防止固化的氯化铝在配管中的黏着/堆积及配管的应力腐蚀破裂。本发明为一种三氯硅烷的制造方法，在将从流化床式反应装置中排出的包含三氯硅烷的废气加以冷却的冷却工序中，在用以将废气从流化床式反应装置中排出的的配管(10)内，以此配管(10)的侧壁(3)的表面(1a)的温度成为110℃以上的方式，在形成于侧壁(3)的内部的空间(4)中流通流体，将废气冷却。
硅烷制造方法

[发明专利]反应装置以及三氯硅烷的制造方法-CN201880067043.8在审
发明人： 弘田贤次;荻原克弥 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明的目的在于防止反应装置的集管(40)中的应力腐蚀开裂。本发明提供一种用于金属硅粉与氯化氢气体反应而生成三氯硅烷的反应装置，所述反应装置具备冷却器(70)，所述冷却器包含多个热介质管(30)和集管(40)，所述多个热介质管设置在反应装置内部的流化床(60)内，所述集管设置在反应装置内部的自由空域部(50)，所述集管由耐腐蚀性材料构成。
反应装置以及硅烷制造方法

[发明专利]流化床式反应装置-CN201880065501.4在审
发明人： 弘田贤次;荻原克弥 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种流化床式反应装置(1)，能够不引起温度测定部的损伤稳定地测定流化床式反应装置(1)的内部温度分布。提供一种使金属硅粉与氯化氢气体反应而生成三氯硅烷的流化床式反应装置(1)，其中，在反应容器(10)的外表面具备多个用于测定反应容器(10)的内部温度的温度测定部(50)。
流化床反应装置

[发明专利]三氯硅烷制造装置以及三氯硅烷的制造方法-CN201880060343.3在审
发明人： 弘田贤次;荻原克弥 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明的目的为防止由在过滤器元件(80)部分产生的盐酸所引起的腐蚀及应力腐蚀破裂。三氯硅烷制造装置(1)包括生成三氯硅烷的反应装置(2)、以及去除反应残渣的过滤器装置(3)，并且所述过滤器装置(3)具备由耐腐蚀性材料构成的过滤器元件。
硅烷制造装置以及方法

[发明专利]流化床式反应装置以及三氯硅烷的制造方法-CN201880060481.1在审
发明人： 弘田贤次;荻原克弥 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：流化床式反应装置(1A)具备收纳金属硅粉及氯化氢气体的反应容器(10A)，在从设置于反应容器(10A)下部的气体供给口(21)至流动层(40)的上表面为止的高度的至少80％以上的范围内，侧壁(w)为反应容器(10A)的与高度方向正交的横截面的截面积朝向上方增大的锥形形状。
流化床反应装置以及硅烷制造方法

[发明专利]四氯化硅的制造方法-CN97118046.6无效
发明人：坂田勘治;弘田贤次;见神一郎 -专利权人：株式会社德山
申请日： 1997-09-03 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明的目的是通过将硅金属或分子中至少具有一个HSi键的氯硅烷与氯化氢反应，建立一种高选择性地制造四氯化硅的方法。本发明提供一种制造四氯化硅的方法，它包括在至少一种周期表VIII族金属元素或其化合物与一种选自周期表VB族第三周期及其随后周期的元素单质的混合物存在下，使硅金属或分子中至少具有一个HSi键的氯硅烷与氯化氢反应。
氯化制造方法

[发明专利]制备二氯化硅的方法-CN97121455.7无效
发明人：坂田勘治;弘田贤次 -专利权人：德山株式会社
申请日： 1997-09-18 - 公布日： 1998-05-06 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：由硅与氯化氢反应制备三氯化硅的方法,其包括在硅与氯化氢反应期间或之前使选自由二氯代硅烷、一氯代硅烷和甲硅烷组成的该组中的至少一种硅烷化合物引入与硅接触以除去硅表面的氧化硅,由此提高由硅与氯化氢的反应活性以稳定地制备三氯化硅。进一步地,为了抑制四氯化硅的产生而使碱金属化合物共同存在于硅与氯化氢反应中,由此使在高选择性下制备三氯化硅成为可能。
制备氯化方法

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