[发明专利]三氯硅烷的制造方法有效
| 申请号： | 201880074129.3 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111629997B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 弘田贤次;荻原克弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;B01J8/24 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 刘金峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明防止固化的氯化铝在配管中的黏着/堆积及配管的应力腐蚀破裂。本发明为一种三氯硅烷的制造方法，在将从流化床式反应装置中排出的包含三氯硅烷的废气加以冷却的冷却工序中，在用以将废气从流化床式反应装置中排出的的配管(10)内，以此配管(10)的侧壁(3)的表面(1a)的温度成为110℃以上的方式，在形成于侧壁(3)的内部的空间(4)中流通流体，将废气冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了一种连续精馏法生产电子级六氯二硅烷的方法，包括以下步骤：S1：以多晶硅废料为原料生产六氯二硅烷粗料的步骤，所述六氯二硅烷粗料纯度75‑85％；S2：以六氯二硅烷粗料为原料生产电子级六氯二硅烷的步骤。使用本发明方法生产电子级六氯二硅烷，能生产出纯度99.95％以上，以金属元素含量计算纯度达到99.999‑99.99999％的高纯产品，达到欧美市场的要求，且工艺简单。
- 一种退役光伏组件的回收方法及系统-202310710906.1
- 李新娟;王帆;王航;刘超;杨燕;张向前 - 英利能源发展有限公司
- 2023-06-15 - 2023-09-15 - C01B33/107
- 本发明涉及电池回收处理技术领域，具体公开一种退役光伏组件的回收方法及系统。本发明提供的退役光伏组件的回收方法，将物理拆解得到的硅粉与液态氟化氢在无水硫酸介质中进行反应，将Si转为四氟化硅气体，实现硅与银铝的分离，同时实现含量极低的银铝的富集，从而有利于后续通过简单少量的酸浸沉淀法实现银铝的回收，且金属的浸出率高，银的回收率可达90％以上，铝的回收率可达91％以上。除此之外，制备得到的四氟化硅气体经过两次精馏和分子筛吸附，纯度可达98％以上，得到了附加值较高的四氟化硅气体，实现了硅的资源化利用以及银铝有价元素的充分回收，适合工业化大规模应用，推广应用价值较高。
- 流化床式反应容器及三氯硅烷的制造方法-201880074810.8
- 弘田贤次;荻原克弥 - 株式会社德山
- 2018-11-16 - 2023-09-15 - C01B33/107
- 本发明提供一种能抑制反应容器内壁的腐蚀/损耗的流化床式反应容器及三氯硅烷的制造方法。流化床式反应容器使金属硅粉体与氯化氢气体进行反应而生成三氯硅烷。具备立设于容器主体的底面即分散盘(11)上的多个喷出喷嘴(20)。在喷出喷嘴(20)上形成有将氯化氢气体向侧方吹出的气体喷出开口(22a)。在多个喷出喷嘴(20)中的与容器主体的外壁(10a)邻接的第一喷出喷嘴(20a)上，以不会向外壁(10a)侧吹出氯化氢气体的方式形成有气体喷出开口(22a)。
- 一种以氟硅酸为原料制备高纯四氟化硅的生产装置-202320989127.5
- 尚修娟;何长德;孙林;孔超;孙猛;徐浩 - 金宏气体股份有限公司
- 2023-04-27 - 2023-09-15 - C01B33/107
- 本实用新型涉及一种以氟硅酸为原料制备高纯四氟化硅的生产装置，包括第一反应器、第二反应器、硫酸再生器、洗涤塔、吸附器和产品收集罐；所述第一反应器、洗涤塔、吸附器和产品收集罐依次连接；所述第一反应器的上部设有硫酸进料口、氟硅酸进料口和出气口，所述出气口与洗涤塔之间通过第一出气管连通；所述第二反应器与第一反应器连接，所述硫酸再生器分别与第一反应器和洗涤塔连接；本实用新型以磷肥副产物氟硅酸为原料，进行主反应得到高纯度四氟化硅和含氟化氢的反应液，通过第二反应器降低副产物HF含量，能够实现硫酸再生回用，提升原料转化率，工业化成本低，废气、废液、废固排放少，绿色环保。
- 一种还原工艺用氢气中碳杂质含量控制方法及系统-202310637270.2
- 杨鹏;张杰;周迎春;马俊露;李广;何紫微;李万存;王正云;陈朝霞 - 宁夏润阳硅材料科技有限公司;内蒙古润阳悦达新能源科技有限公司
- 2023-05-31 - 2023-09-08 - C01B33/107
- 本申请涉及一种还原工艺用氢气中碳杂质含量控制方法及系统，将补充氢气和回收氢气通过专项吸附剂吸附除碳，将回收氯硅烷通入分离一塔分离处理，得到回收TCS，将补充TCS和回收TCS通入分离二塔进行除碳处理。通过分离一塔和分离二塔对原料TCS进行深度除碳，避免原料TCS向还原工艺引入碳杂质，使得回收氢气中无碳杂质引入，同时，在回收氢气中无碳杂质引入增加的基础上，除去回收氢气中的碳杂质，确保原料氢气的纯度，还能够将循环累积的碳杂质通过回收氢气除碳步骤从还原工艺中去除，从而使得回收氢气无碳循环利用，防止因原工艺用氢气中碳杂质较多而影响多晶硅的纯度，进而使得所生产的多晶硅碳杂质含量低，品质高。
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