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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非易失性存储器阵列逻辑-CN201380055776.7有效
发明人： 弗雷德里克·佩纳 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种用于实施非易失性存储器阵列逻辑的方法包括：将交叉点存储器阵列配置在第一配置下，并将输入电压施加至在所述第一配置下的所述交叉点阵列，以产生设置电压。将所述交叉点阵列配置在第二配置下，并将输入电压施加至在所述第二配置下的所述交叉点阵列，以产生检测电压。将所述设置电压与所述检测电压相比较，以对所述交叉点阵列中存储的数据执行逻辑运算。还提供了一种用于执行非易失性存储器阵列逻辑的系统。
非易失性存储器阵列逻辑

[发明专利]用于读取阵列中的电阻开关器件的电路和方法-CN201180055753.7有效
发明人： 弗雷德里克·佩纳 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种用于检测交叉阵列中的电阻开关器件的电阻状态的读取电路，具有等电位预放大器，等电位预放大器连接至阵列中的电阻开关器件的选中列线，以输送读取电流，同时将选中列线保持在与施加至阵列中的未选中行线的偏置电压接近的参考电压下。读取电路包括用于为等电位预防大器生成参考电压的参考电压生成组件。参考电压生成组件经由选中列线对偏置电压进行采样，并且将小的增量添加至采样得到的偏置电压以形成参考电压。
用于读取阵列中的电阻开关器件电路方法

[发明专利]动态感测电路-CN201280074279.7无效
发明人： 弗雷德里克·佩纳 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种用于确定忆阻器交叉开关阵列内的忆阻器状态的动态感测电路，包括由电阻电容(RC)网络和差分前置放大器构成的差分比较器，该电阻电容(RC)网络用于捕获参考电压，该差分前置放大器用于在开环模式下操作以将该参考电压与该感测电压动态地进行比较。交流(AC)耦合放大器接收比较器的输出并输出放大的信号。置位-复位(SR)锁存器采样该放大的信号并保持该放大的信号作为数字值。
动态电路

[发明专利]用于读取阵列中的电阻开关器件的电路和方法-CN201180073670.0无效
发明人： 弗雷德里克·佩纳 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：用于检测交叉阵列中的电阻开关器件的电阻状态的读取电路利用了跨阻抗等电位预放大器，其中该跨阻抗等电位预放大器连接至该阵列中的该电阻开关器件的选中列线。该等电位预放大器输送检测电流，同时将该选中列线保持在接近于施加至该阵列的未选中行线的偏置电压的参考电压。参考电阻器选择性地连接至该等电位预放大器，用于设置参考电流，其中该等电位预放大器被设置为产生具有幅度的预放大器输出电压，该幅度依赖于该检测电流是否小于或大于该参考电流。电压比较器连接至该等电位预放大器，用于将预放大器输出电压与设置参考电压进行比较，并且生成比较器输出电压，该比较器输出电压表示该电阻开关器件的电阻状态。
用于读取阵列中的电阻开关器件电路方法

[发明专利]双平面存储器阵列-CN201180070415.0有效
发明人： 弗雷德里克·佩纳 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种存储器阵列具有多个导体结构。每个导体结构具有在第一方向上延伸的顶导线段，在与所述第一方向成一个角度的第二方向上延伸的中间导线段，在与所述第一方向相反的方向上延伸的底导线段，以及连接所述顶导线段、所述中间导线段和所述底导线段的通孔。所述存储器阵列的上平面中的多个存储单元形成在每个导体结构的所述中间导线段与邻近的导体结构的所述顶导线段的交叉处，并且下平面中的多个存储单元形成在每个导体结构的所述中间导线段与邻近的导体结构的所述底导线段的交叉处。
平面存储器阵列

[发明专利]用于切换阵列中的忆阻器件的方法和电路-CN201180059615.6有效
发明人：易伟;穆罕默德·沙基·库雷希;弗雷德里克·佩纳;理查德·J·卡特 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H03K17/30 文献下载
摘要：一种用于切换二维阵列中的忆阻器件的方法，在切换电压的一半被施加至所述忆阻器件的行线时检测通过所述二维阵列的泄漏电流。根据所检测的泄漏电流产生泄漏补偿电流，并且还产生切换电流斜坡。所述泄漏补偿电流和所述切换电流斜坡被合并以形成合并的切换电流，所述合并的切换电流被施加至所述忆阻器件的行线。在所述忆阻器件的电阻达到目标值时，从所述行线移除所述合并的切换电流。
用于切换阵列中的器件方法电路

[发明专利]用于切换忆阻器件的方法和电路-CN201180055717.0有效
发明人： 弗雷德里克·佩纳;易伟;马修·D·皮克特 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H03K17/30 文献下载
摘要：一种用于切换忆阻器件的方法，该方法向忆阻器件施加具有选择极性的电流斜坡。监测在电流斜坡期间的器件电阻。当忆阻器件的电阻达到目标值时，移除电流斜坡。
用于切换器件方法电路

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