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[发明专利]一种显示像素电路及Micro-LED显示装置-CN202210368248.8在审
发明人：张盛东;廖聪维;付佳;郑欣;林清平;严建花 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种像素电路，包括Micro‑LED发光元件；输入模块，配置为接收和存储电压数据信号；比较模块，耦合到所述输入模块，配置为从输入模块接收数据电压信号并将其和第一参考信号进行比较，其中第一参考信号在显示发光阶段以一预设斜率变化，并根据比较结果输出驱动信号；驱动模块，耦合到比较模块，配置为接收驱动信号并根据其控制显示发光阶段中电流流经驱动晶体管的时间长度；驱动模块中的驱动晶体管包括双栅晶体管，其第一控制极配置为接收驱动信号；补偿模块，耦合在所述驱动晶体管的第二控制极及其第一极之间，配置为对驱动模块中驱动晶体管的阈值电压漂移进行补偿，从而使显示发光阶段中流经驱动晶体管的电流保持稳定。
一种显示像素电路 micro led 显示装置

[发明专利]一种三维集成电路及其制造方法-CN202110525598.6有效
发明人：张盛东;廖聪维;邱赫梓;安军军;林清平;严建花;李建桦 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本申请涉及一种三维集成电路及其制造方法。本申请提供了一种有源阵列的显示器像素单元电路，包括寻址晶体管，其第一极配置为接收显示数据信号，其控制极配置为接收扫描信号，所述寻址晶体管为NMOS晶体管；驱动晶体管，其控制极耦合到所述寻址晶体管的第二极，其第二极配置为接收高电平，所述驱动晶体管为PMOS晶体管；发光元件，其耦合在所述驱动晶体管的第一极和低电平之间；以及存储电容，其耦合在所述驱动晶体管的控制极和第二极之间。
一种三维集成电路及其制造方法

[发明专利]一种门级电路图划分方法-CN202111027988.7有效
发明人：邓联文;邵小春;高小惠;廖聪维;黄生祥 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本公开实施例中提供了一种门级电路图划分方法，属于电学技术领域，具体包括：读取无向邻接矩阵；得到初始种群；根据接收到的划分指令和寻优算法，分别将每个初始个体内的顶点编码并划分为多个子集；迭代进行随机单点顺序交叉操作，得到交叉个体；形成更新种群；得到变异个体；将更新种群中适应度小于变异个体的适应度的个体替换为变异个体，得到目标种群；根据寻优算法，将目标种群中适应度最大的个体作为待划分电路图的目标划分结果。通过本公开的方案，通过设定交叉概率、变异概率和子图区间，减少了获得全局最优门级电路图划分结果的时间，可获得相对均衡的门级电路图划分结果，并通过寻优算法增强局部处理能力，提高了划分的效率和精准度。
一种电路图划分方法

[发明专利]一种薄膜晶体管有源层材料-CN202310481087.8在审
发明人：陆磊;陈文龙;韩子娟;王焱鑫;巫礼杰;张盛东;廖聪维 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管有源层材料包括：半导体主体以及掺杂源，半导体主体的材料为非晶金属氧化物材料，掺杂源用于对非晶金属氧化物材料掺杂，掺杂源的掺杂元素包括氢元素以及氟元素，有源层材料的含氧量大于含氢量与含氟量之和，含氢量大于含氟量。本申请通过对非晶金属氧化物材料制成的有源层进行氟元素与氢元素的掺杂，钝化有源层中的缺陷，提高迁移率，提高电学稳定性，提高器件的性能。
一种薄膜晶体管有源材料

[发明专利]一种栅极驱动电路、像素电路和主动发光型有源显示器-CN202310375864.0在审
发明人：张盛东;朱宇轩;廖聪维;郑欣;邹忠飞;钟德镇 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司;北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极驱动电路、像素电路和主动发光型有源显示器，其中栅极驱动电路包括级联的移位寄存器模块以及与移位寄存器模块连接的驱动模块，其中驱动模块包括扫描信号产生模块和发光控制信号产生模块；移位寄存器模块用于在时钟信号的控制下产生级传信号，并对级传信号输出控制端的电平和编程信号控制端的电平进行编程控制；扫描信号产生模块用于在级传信号输出控制端的电平和编程信号控制端的电平的控制下输出扫描信号；发光控制信号产生模块用于在级传信号输出控制端的电平的控制下输出发光控制信号。本发明提供的栅极驱动电路可以在一级栅极驱动电路中同时输出可编程的扫描信号和发光控制信号，与像素电路配合以实现数字PWM子帧发光。
一种栅极驱动电路像素主动发光有源显示器

[发明专利]一种像素电路、驱动方法和显示装置-CN202310456609.9在审
发明人：张盛东;邵志博;廖聪维;付佳;刘云飞;阙姗;宋志邦;邹忠飞;钟德镇 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司;北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种像素电路、驱动方法和显示装置，像素电路包括脉冲幅度调制模块、发光元件和脉冲宽度调制模块。脉冲幅度调制模块包括第一驱动开关模块、第一重置模块、第一存储电容、第一补偿模块和调幅驱动模块。第一驱动开关模块通过第二端接收第一重置模块发送的第二参考电压，且与发光元件相连，其控制端在发光阶段之前接收第三参考电压，第三与第二参考电压之差大于第一阈值电压；第一存储电容和第一补偿模块依次设置在第一驱动开关模块的第二端与控制端之间；调幅驱动模块提供调幅数据电压至第一存储电容。脉冲宽度调制模块在发光阶段控制第一驱动开关模块的控制端的电压。本发明可用于阈值补偿，降低功耗，提高显示质量。
一种像素电路驱动方法显示装置

[发明专利]触控阵列读出电路及读出方法-CN202310175862.7在审
发明人：吴彬;吴潇楠;邓联文;廖聪维;黄生祥;邱雷雷 -专利权人：湖南锐阳电子科技有限公司;中南大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控阵列读出电路，包括交叉布置的m路RX电极线和n路TX电极线、m路DM‑RX电极线和m路补偿放大电路；RX电极线、DM‑RX电极线、补偿放大电路一一对应，且DM‑RX电极线与RX电极线在同一平面上、有间距地平行布置；补偿放大电路的输入端同时连接RX电极线与DM‑RX电极线并获取电荷量信号，补偿放大电路的输出端作为对输出信号并对外输出信号。本发明还公开了一种所述触控阵列读出电路的读出方法。本发明未改变现有触控阵列工艺，在保持现有工艺步骤及难度的情况下，通过创新的电路设计，较好地实现了触控读出电路在长时间工作后的信号补偿，不仅电路简单可靠，而且可靠性高、稳定性好且使用寿命长。
阵列读出电路方法

[发明专利]一种光电式的传感像素电路-CN202110194463.6有效
发明人：张盛东;安军军;廖聪维;梁键;彭志超;邱赫梓 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04N25/77 文献下载
摘要：一种实施例中提供一种光电式的传感像素电路，包括了光敏单元，放大和驱动的单元，以及选通单元；选通单元用于响应于行扫描信号选通放大和驱动的单元；放大和驱动的单元包括读出单元，所述读出单元包括复位单元、存储单元和放大单元；存储单元用于将光生电流信号进行积累并转换为相应的电压信号；放大单元用于将所述存储单元所转换的电压信号进行放大后输出；放大单元包括跨导单元，用于将存储单元所转换的电压信号转换为电流信号。通过薄膜晶体管工艺，光电式的传感像素电路被集成为图像传感阵列，进而形成图像传感器。优选地，所述光电式传感像素电路可以由不同类型有源层材料的两种薄膜晶体管工艺在相同的基板上集成为光电图像传感阵列。
一种光电传感像素电路

[发明专利]一种集成栅极驱动电路和显示装置-CN202211393540.1在审
发明人：张盛东;郑欣;姚江波;廖聪维;付佳;宋志邦;金爽 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请公开了集成栅极驱动电路和显示装置。电路包括级联连接的至少两个扫描驱动单元，级联连接的至少两个发光控制单元，本级扫描驱动单元的第一级传节点与前级扫描驱动单元的第二级传节点连接，本级扫描驱动单元的第二扫描信号输出端分别与后级扫描驱动单元的第一扫描信号输出端、本级像素阵列的第二端口连接，本级扫描驱动单元的控制信号输入端与本级像素阵列的第一端口连接；本级发光控制单元的第二扫描信号输出端与前级发光控制单元的第一扫描信号输出端连接，本级扫描驱动单元的第二扫描信号输出端与本级像素阵列的第四端口连接，本级扫描驱动单元的控制信号输入端与本级像素阵列的第三端口连接，有效降低电路所占面积，提高电路稳定性。
一种集成栅极驱动电路显示装置

[发明专利]显示面板的屏内传感器件结构及显示装置-CN202011298874.1有效
发明人：陆磊;张盛东;王鹏飞;王云萍;廖聪维;周晓梁 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K59/60 文献下载
摘要：一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
显示面板传感器件结构显示装置

[发明专利]一种移位寄存器、栅极驱动电路及其有源显示器-CN202211212717.3在审
发明人：张盛东;安军军;廖聪维;郑欣;林清平;严建花 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C19/28 文献下载
摘要：一种移位寄存器，包括至少一个移位寄存器单元，移位寄存器单元包括：复位单元，其两个信号输入端分别用于输入置位信号和复位信号，并根据置位信号和复位信号确定输出的使能信号的电平；本级信号产生单元，用于分别输入第一时钟信号和置位信号，并基于置位信号的有效电平，触发扫描信号输出端输出的电平在使能信号为非有效电平期间跟随第一时钟信号的电平；第一维持单元，连接在扫描信号输出端和第一电平之间，其控制端输入使能信号，用于在输入使能信号为有效电平时至少将扫描信号输出端的电位复位到第一电平。由于多脉冲的行扫描信号实现了多次编程和补偿，使得提高其所驱动显示面板的显示效果。本发明还提供了一种栅极驱动电路和有源显示器。
一种移位寄存器栅极驱动电路及其有源显示器

[发明专利]一种光电图像传感器及其像素电路、数据读出方法、介质-CN202210880660.8在审
发明人：张盛东;廖聪维;王堃;刘豪;黄腾艳;林清平;严建花 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种像素电路，包括复位晶体管、放大晶体管、行扫描晶体管和光电二极管；复位晶体管的第一极连接到第一电平，第二极连接到光电二极管，复位晶体管的第二极和光电二极管之间的连接节点为节点G，复位晶体管导通将节点G复位为第一电平；光电二极管用于感应光照并产生光生电流，对节点G进行充电或放电形成感光电压；行扫描晶体管的控制极用于输入行扫描信号；放大晶体管的控制极连接到节点G，放大晶体管输出与节点G的感光电压相关的电流至数据读出线。由于放大晶体管Ta放大作用可以提高像素电路输出信号电荷的增益，从而光电图像传感器具有较高的信噪比。本申请同时还公开了包含该像素电路的光电图像传感器和介质。
一种光电图像传感器及其像素电路数据读出方法介质

[发明专利]一种光电探测晶体管-CN202211128869.5在审
发明人：张盛东;周晓梁;廖聪维;范昌辉;林清平;严建花;李建桦 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电探测晶体管包括衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层和顶栅电极；有源层包括有光记忆功能的半导体材料以及沟道和源漏区域，顶栅电极为透明导电材料；源漏区域是通过对相应区域的有源层进行等离子体处理获得；积分阶段探测晶体管底栅和顶栅电极电压不同，使探测晶体管处在关态工作区且沟道电流远大于暗态电流；积分阶段包括曝光子阶段和其后的光记忆维持子阶段；暗态电流为曝光子阶段前探测晶体管工作在关态工作区时沟道中的电流；积分阶段结束后的读取阶段及读取阶段开始前，探测晶体管底栅和顶栅电极电压相同，使探测晶体管处在关态工作区且沟道电流恢复到暗态电流水平。本申请还公开了一种光电探测器。
一种光电探测晶体管

[发明专利]光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法-CN202110521681.6有效
发明人：张盛东;周晓梁;廖聪维;范昌辉;林清平;严建花;李建桦 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电探测晶体管，包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏区域，并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料；其中所述源漏区域是通过对相应区域的所述有源层材料进行等离子体处理获得。本申请还公开了相应的制备光电探测晶体管和利用其感光的方法。
光电探测晶体管及其制造方法相应

[发明专利]光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法-CN202210966469.5在审
发明人：张盛东;刘豪;黄腾艳;程俊金;廖聪维 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电探测晶体管，包括从下至上依次堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、与所述有源层局部接触的源漏电极、钝化层；其中所述有源层包括本征氢化非晶硅，在与所述源漏电极接触的区域所述有源层还包括重掺杂氢化非晶硅。本申请还公开了相应的光电探测像素电路以及光电探测器及其制造。
光电探测晶体管及其制造方法相应

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