专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310399400.3在审
  • 廖翊婷;陈朝祺;陈柏玮;胡希圣;蔡舜麒 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-04-14 - 2023-08-08 - H01L21/8238
  • 本揭露描述一种半导体结构及其形成方法,特别是具有金属离子捕获层的半导体结构及形成该结构的方法。方法包括在基板上方形成第一鳍片结构及第二鳍片结构,并在第一鳍片结构上方形成第一栅极结构及在第二鳍片结构上方形成第二栅极结构,其中第一栅极结构与第二栅极结构邻接。方法进一步包括在第一栅极结构及第二栅极结构上形成介电层,移除第一栅极结构与第二栅极结构的邻接部分之上的介电层的一部分以形成开口,及在开口中形成金属离子捕获层。金属离子捕获层可减少金属漂移及/或迁移,减少具有不同功函数金属的邻接金属栅极中的泄漏电流,并改善装置性能。
  • 半导体结构及其形成方法

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