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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310169971.8在审
发明人：林汶儀;胡希圣;陈朝祺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本揭示内容描述一种半导体结构及其制造方法，特别是具有异质结构通道层的半导体结构。该半导体结构包括基板及位于基板上的鳍片结构。该鳍片结构包括通道层及位于通道层与基板之间的底层。该通道层包括位于该底层顶部的第一部分、第二部分及第三部分。该第一部分及该第三部分包括与该底层相同的材料。该第二部分包括与该底层不同的材料。该半导体结构进一步包括位于该底层上且与该通道层相邻的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。该第一源极/漏极结构与该通道层的该第一部分接触。该第二源极/漏极结构与该通道层的该第三部分接触。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310399400.3在审
发明人：廖翊婷;陈朝祺;陈柏玮;胡希圣;蔡舜麒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本揭露描述一种半导体结构及其形成方法，特别是具有金属离子捕获层的半导体结构及形成该结构的方法。方法包括在基板上方形成第一鳍片结构及第二鳍片结构，并在第一鳍片结构上方形成第一栅极结构及在第二鳍片结构上方形成第二栅极结构，其中第一栅极结构与第二栅极结构邻接。方法进一步包括在第一栅极结构及第二栅极结构上形成介电层，移除第一栅极结构与第二栅极结构的邻接部分之上的介电层的一部分以形成开口，及在开口中形成金属离子捕获层。金属离子捕获层可减少金属漂移及/或迁移，减少具有不同功函数金属的邻接金属栅极中的泄漏电流，并改善装置性能。
半导体结构及其形成方法