“廖意瑛”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非易失性存储器单元集成电路及其制造方法-CN201010521601.9无效
发明人： 廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器单元集成电路及其制造方法。该集成电路包含：电荷捕捉结构，用来储存电荷以控制由该非易失性存储器单元集成电路储存的逻辑状态；源极区与漏极区，以沟道区分离；以及一个或多个介电结构，至少部分位于该电荷捕捉结构与该沟道区之间，并至少部分位于该电荷捕捉结构与栅极电压源之间，其中界面分离该一个或多个介电结构的一部分以及该沟道区，该界面的第一端结束于该源极区的中间部分，且该界面的第二端结束于该漏极区的中间部分。
非易失性存储器单元集成电路及其制造方法

[发明专利]垂直非挥发存储单元、阵列及其操作方法-CN200710192799.9有效
发明人：欧天凡;蔡文哲;高瑄苓;廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是一种垂直非挥发存储单元，其具有一电荷存储结构，包含一具有三个节点的电荷控制结构。实施例包含单个存储单元、所述存储单元的阵列、操作所述存储单元或所述存储单元阵列的方法。
垂直挥发存储单元阵列及其操作方法

[发明专利]栅极二极管非易失性存储器的操作-CN200710192779.1有效
发明人：高瑄苓;蔡文哲;欧天凡;廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种具有栅极的二极管非易失性存储单元，其具有电荷储存结构，包含具有额外栅极端的二极管结构和位于二极管节点之间的扩散障碍结构。实施例包含单个存储单元、这种存储单元的阵列、操作该存储单元或该存储单元阵列的方法、以及其制造方法。
栅极二极管非易失性存储器操作

[发明专利]非易失性存储器单元集成电路及其制造方法-CN200710127894.0无效
发明人： 廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非易失性存储器单元集成电路及其制造方法，该非易失性存储器单元集成电路具有一变化沟道区界面，例如一举升的源极与漏极或一凹入沟道区。
非易失性存储器单元集成电路及其制造方法

[发明专利]具有举升的源极区与漏极区的非易失性存储器-CN200710127897.4无效
发明人： 廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器。该非易失性存储器具有变化沟道区界面，例如举升的源极与漏极或凹入沟道区。
具有源极区漏极区非易失性存储器

[发明专利]具有变化沟道区界面的非易失性存储器的操作方法-CN200710127895.5无效
发明人： 廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有变化沟道区界面的非易失性存储器的操作方法，此变化沟道区界面例如是举升的源极与漏极或凹入沟道区。
具有变化沟道界面非易失性存储器操作方法

[发明专利]具有变化沟道区界面的非易失性存储器-CN200710127896.X无效
发明人： 廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器及其制造方法。该非易失性存储器具有一变化沟道区界面，例如举升的源极与漏极或凹入沟道区。该非易失性存储器包含：电荷捕捉结构，用来储存电荷以控制由该非易失性存储器单元集成电路储存的逻辑状态；源极区与漏极区，以沟道区分离；以及一个或多个介电结构，至少部分位于该电荷捕捉结构与该沟道区之间，并至少部分位于该电荷捕捉结构与栅极电压源之间，其中一界面分离该一个或多个介电结构的一部分以及该沟道区，该界面的第一端结束于该源极区的中间部分，且该界面的第二端结束于该漏极区的中间部分。
具有变化沟道界面非易失性存储器

[发明专利]栅控二极管非易失性存储器单元的操作方法-CN200610164074.4有效
发明人： 廖意瑛;蔡文哲;叶致锴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。实例的实施例包含独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。
二极管非易失性存储器单元操作方法

[发明专利]操作电荷陷获存储器单元串的方法及装置-CN200610169399.1有效
发明人：叶致锴;蔡文哲;廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种电荷陷获非易失存储器单元的阵列，排列为多列单元，且每一列为串联安排，如NAND串。每一单元储存不多于一个单一电荷储存状态。
操作电荷存储器单元方法装置

[发明专利]栅控二极管非易失性存储器单元-CN200610164059.X有效
发明人： 廖意瑛;蔡文哲;叶致锴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包括具有额外栅极端的二极管结构。示例性实施例包括独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元阵列的方法及其制造方法。
二极管非易失性存储器单元

[发明专利]栅控二极管非易失性存储器单元阵列-CN200610164063.6有效
发明人： 廖意瑛;蔡文哲;叶致锴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例性的实施例包含独立的存储器单元、这种存储器单元的阵列、运作该存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。
二极管非易失性存储器单元阵列

[发明专利]对存储器元件进行编程的系统及方法-CN200610138883.8有效
发明人：叶致锴;蔡文哲;廖意瑛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-09-21 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种多电平单元(MLC)，可通过如每一单元中两端的每一端储存两比特来储存4比特。每一端可以储存，如四种不同电流电平状态，其通过在编程期间空穴注入如氮化层中的数目来决定。在一个提供的电位下，当更多的空穴注入，则电流减少。因此，电流可以是低的，在一实施例中通过使用电流放大器得到益处，此电流放大器可以是双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体晶体管(MOS)或其他类型的元件。
存储器元件进行编程系统方法

[发明专利]保护非易失性存储器单元免于过度擦除的方法和装置-CN200610114852.9无效
发明人： 廖意瑛;叶致锴;蔡文哲;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开一种响应于一擦除指令，保护电荷陷获存储器单元免于过度擦除的方法及装置。擦除电荷陷获存储器单元的方法，包括：响应擦除若干个电荷陷获存储器单元的指令，其中每个电荷陷获存储器单元具有与一个门限电压、一个编程状态及一个擦除状态相关的一个电荷陷获结构：施加一个第一偏压安排，以对该若干个电荷陷获存储器单元中的电荷陷获存储器单元进行编程；以及然后施加一个第二偏压安排，以在该若干个电荷陷获存储器单元建立该擦除状态，其中相较于在该编程状态，该若干个电荷陷获存储器单元中的每个电荷陷获存储器单元的该电荷陷获结构在该擦除状态具有一个较高的净电子电荷。
保护非易失性存储器单元免于过度擦除方法装置

[发明专利]存储单元以及电荷陷入层存储单元的阵列的操作方法-CN200510125711.2有效
发明人： 廖意瑛;叶致锴;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种减少电荷陷入层存储单元中栅极干扰的方法，它是通过施加不同的Vpass电压于所选择的字线的不同侧。较高的Vpass电压用于通过较高的源极/漏极电压以及较低的Vpass电压用于通过较低的源极/漏极电压。当施加Vpass电压时，可通过控制所选择字线的不同侧上的Vpass电压，以减少栅极区域所建立的垂直电场。此减少的垂直电场将可抑制栅极干扰。此减少存储单元中栅极干扰的方法也包括新颖的位线偏压方案，其还可减少垂直电场的产生，以抑制栅极干扰，尤其是在存储单元阵列中的栅极干扰。
存储单元以及电荷陷入阵列操作方法

[发明专利]非易失性记忆体的编程方法及装置-CN200510071981.X有效
发明人： 廖意瑛;叶致锴;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：编程非易失性储存单元将受到编程干扰作用影响，其可引发非易失性记忆体的数据精确性问题。本发明乃是把电压施加于相邻非易失性储存单元，以利用了编程干扰作用的快速编程多个储存单元的优点，而并不是仅仅掩盖会引起编程干扰作用的电压条件。
非易失性记忆体编程方法装置

1
2
下一页»
尾页
共 17 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top