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- [发明专利]半导体装置-CN202210706206.0在审
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廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-06-21
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2022-11-22
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H01L27/11
- 静态随机存取存储器(SRAM)单元的读取端口包括读取端口传输闸(R_PG)晶体管和读取端口下拉(R_PD)晶体管。SRAM单元的写入端口包括至少一写入端口传输闸(W_PG)晶体管、写入端口下拉(W_PD)晶体管和写入端口上拉(W_PU)晶体管。R_PG晶体管、R_PD晶体管、W_PG晶体管、W_PD晶体管和W_PU晶体管是全绕式栅极(GAA)晶体管。R_PG晶体管具有第一通道宽度。R_PD晶体管具有第二通道宽度。W_PG晶体管具有第三通道宽度。W_PD晶体管具有第四通道宽度。W_PU晶体管具有第五通道宽度。第一通道宽度和第四通道宽度各自小于第二通道宽度。第三通道宽度大于第五通道宽度。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体结构-CN202210729704.7在审
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廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-06-24
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2022-11-22
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H01L21/8234
- 一种半导体结构，包括基板、从基板突出的半导体鳍片，其中半导体鳍片包括在垂直方向上堆叠的多个半导体层、与半导体鳍片的多个通道区接合的栅极堆叠以及设置相邻于栅极堆叠并且在半导体鳍片的多个源极/漏极(S/D)区中的多个S/D特征。在本实施例中，栅极堆叠包括设置在半导体层上方的第一部分和在上述半导体层之间的第二部分，其中第一部分包括功函数金属(WFM)层和设置在WFM层上方的金属填充层，并且第二部分包括WFM层但不具有金属填充层。
- 半导体结构
- [发明专利]集成电路结构-CN202210579673.1在审
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廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-05-25
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2022-10-04
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H01L27/11
- 本公开提出一种集成电路(IC)结构布局以提高存储器阵列的效能，例如静态随机存取存储器(SRAM)。示例性IC装置包括SRAM单元和电性耦接至SRAM单元的互连结构。互连结构包括电性耦接至SRAM单元的第一金属层，第一金属层包括位元线、具有第一电压的第一电压线、字元线着陆垫以及具有与第一电压不同的第二电压的第二电压线。第一电压线与位元线相邻。字元线着陆垫与第一电压线相邻。第二电压线与字元线着陆垫相邻。第二金属层设置在第一金属层上方。第二金属层包括电性耦接至字元线着陆垫的字元线。
- 集成电路结构
- [发明专利]半导体结构-CN202210237087.9在审
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林大钧;潘国华;廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-03-11
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2022-08-30
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H01L21/8234
- 半导体结构包含形成在基底上方的第一半导体装置和形成在基底上方的第二半导体装置。第一半导体装置包含基底上方的第一源极/漏极部件、基底上方的第一栅极结构、第一源极/漏极部件上方的第一导电部件、以及第一栅极结构和第一导电部件之间的第一绝缘层。第二半导体装置包含基底上方的第二源极/漏极部件、基底上方的第二栅极结构、第二源极/漏极部件上方的第二导电部件、以及第二栅极结构和第二导电部件之间的第二绝缘层。第一导电部件的宽度与第二导电部件的宽度不同，并且第一绝缘层的宽度小于第二绝缘层的宽度。
- 半导体结构
- [发明专利]半导体装置结构-CN202210342935.2在审
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廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-03-31
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2022-08-30
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H01L21/8238
- 一种半导体装置结构，包括第一P型金属氧化物半导体场效晶体管(p‑MOSFET)，其具有沿着第一方向延伸且包括第一半导体层的第一鳍片，其中第一鳍片包括形成在第一鳍片的顶部的第一凹部，所述第一凹部具有底表面及从底表面向上延伸的侧壁表面。半导体装置结构还包括设置在第一凹部中且接触底表面及侧壁表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构沿着实质上垂直于第一方向的第二方向延伸。半导体装置结构还包括设置在第一栅极结构的两侧壁上且接触第一鳍片及第一栅极结构的第一间隔物。
- 半导体装置结构
- [发明专利]半导体装置-CN202210239304.8在审
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廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-03-11
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2022-08-19
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H01L21/8234
- 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括具有第一栅极节距的第一组环绕式栅极(GAA)结构，第一组GAA结构包括具有第一源极/漏极宽度的第一组源极/漏极和具有第一间隔物宽度的第一组顶部间隔物，第一组顶部间隔物设置在第一组GAA结构的第一组栅极与第一组源极/漏极之间。半导体装置包括具有第二栅极节距的第二组GAA结构，第二组GAA结构包括具有第二源极/漏极宽度的第二组源极/漏极和具有第二间隔物宽度的第二组顶部间隔物，第二组顶部间隔物设置在第二组GAA结构的第二组栅极与第二组源极/漏极之间。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体结构-CN202210208000.5在审
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廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-03-04
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2022-08-16
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G11C16/04
- 一种半导体结构，包括基板及基板上的多个双端口SRAM单元阵列。双端口SRAM单元阵列的每一者包括写入端口及读取端口。写入端口包括两个写入传输闸晶体管、两个写入下拉晶体管以及两个写入上拉晶体管。双端口SRAM单元的阵列包括写入端口彼此紧邻的第一及第二双端口SRAM单元。第一及第二双端口SRAM单元的两个写入传输闸晶体管共享共同栅极电极。第一及第二双端口SRAM单元的两个写入下拉晶体管的源极/漏极电极共享共同接点。第一双端口SRAM单元包括连接至共同接点的Vss导线。第二双端口SRAM单元包括连接至共同栅极电极的写入字元线着陆垫。Vss导线及写入字元线着陆垫位于第一金属层。
- 半导体结构
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