“庄璧光”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高压半导体装置及其形成方法-CN201810412970.0有效
发明人：林志威;庄璧光 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置及其形成方法。其中，高压半导体装置包含具有第一掺杂型态的基底。上述高压半导体装置亦包含位于基底内的第一井区及第二井区。第一井区与第二井区藉由第三井区隔开。第一井区与第二井区具有不同于第一掺杂型态的第二掺杂型态。第三井区具有第一掺杂型态。上述高压半导体装置更包含源极区及漏极区，分别位于第一井区及第二井区内。源极区及漏极区具有第二掺杂型态。此外，上述高压半导体装置包含位于基底上，且位于源极区及漏极区之间的栅极结构。上述高压半导体装置亦包含埋置于第三井区内的第一掺杂区。第一掺杂区具有第二掺杂型态。
高压半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810314060.9有效
发明人：许静宜;庄璧光;胡博胜 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，包括：一基板，包括一第一区域与一第二区域；一第一沟槽，形成于该基板中，位于该第一区域，由一第一突出结构所包围；一第二沟槽，形成于该基板中，位于该第二区域，由一第二突出结构所包围，其中该第二沟槽的深度大于该第一沟槽的深度；一第一氧化硅层，形成于该第一突出结构的顶部；一第二氧化硅层，形成于该第二突出结构的顶部；一第一介电层，形成于该第一氧化硅层上；以及一第二介电层，形成于该第二氧化硅层上，其中该第一介电层的厚度大于该第二介电层的厚度。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201510685837.9有效
发明人：林志威;庄璧光;吴昭纬 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种高压半导体装置及其制造方法，此装置包括一半导体基底，其具有一第一导电型的一井区及位于其内的一隔离结构，其中于隔离结构两侧分别定义出第一及第二区。第一及第二栅极结构分别设置于第一及第二区上。具有不同于第一导电型的一第二导电型的第一及第二注入区分别位于第一及第二区内，且邻近于隔离结构。一反注入区位于隔离结构下方的井区内，且横向延伸于第一及第二注入区下方。反注入区具有第一导电型，且具有一掺杂浓度大于井区的一掺杂浓度。本申请能够利用反注入区来提升相邻的高压半导体装置之间的隔离能力，进而藉由缩短高压半导体装置之间的距离来缩小装置尺寸或晶片面积。
高压半导体装置及其制造方法

[发明专利]高电压半导体元件及其制造方法-CN201310053083.6有效
发明人：廖志成;魏云洲;庄璧光;许静宜;林志威;陈文钟;张哲华;周永隆;周仲德;卓正伦;梁雅涵 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压半导体元件及其制造方法，其中，所述高电压半导体元件包括：半导体基板，具有一第一导电类型；栅结构，位于该半导体基板的一部上；一对间隔物，分别设置于该栅结构的一侧壁上，其中该对间隔物之一为包括接触该栅结构的第一绝缘间隔物、假栅结构与第二绝缘间隔物的一复合间隔物；漂移区，设置于该半导体基板的一部内并位于该栅结构的一部与该对间隔物之一的下方，具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；以及一对掺杂区，分别设置于该栅结构的相对侧的该半导体基板的一部内，其中该对掺杂区具有该第二导电类型，且该对掺杂区之一是设置于该漂移区内。
电压半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810092432.4有效
发明人：林治平;庄璧光;张弘立;陈世明;杨晓莹;刘亚胜 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一半导体衬底，包括一第一型阱和一第二型阱；多个结区，位于该第一型阱和一第二型阱之间，其中每个结区位于该第一型阱和该第二型阱之间，且紧邻该第一型和第二型阱；一栅极，设置于该半导体衬底上，且该栅极位于所述这些结区的至少二者之上；以及一源极和一漏极，设置于该栅极两侧的该半导体衬底中。相较于传统的半导体元件，利用实施例所制作的半导体元件，约可提升30％以上的栅极操作电压范围。再者，由于实施例的半导体元件的制造方法不需额外增加工艺步骤，因此可使用与现有技术实质上相同的制造流程，而不会增加制造成本。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810092172.0无效
发明人：黄伟宗;庄璧光;陈世明;杨晓莹 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括磊晶层设置于半导体基底上，复数个电子器件设置于磊晶层上，以及沟渠隔离结构设置于该些电子器件之间，其中沟渠隔离结构包括：沟渠设置于该磊晶层及该半导体基底内，氧化衬层设置于沟渠内，覆盖沟渠的侧壁及底部，以及掺杂的多晶硅层填满沟渠。此外，还可施加零伏特的偏压于掺杂的多晶硅层上。该沟渠隔离结构可有效隔离不同操作电压的电子器件或高压器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810087001.9有效
发明人：林治平;庄璧光;张弘立;陈世明;杨晓莹 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一衬底，包括一P型阱；一低压元件区和一高压元件区，位于该P型阱中；以及一第一型离子场，位于该P型阱内且选择性分布于该高压元件区以外的区域。该装置可降低金属氧化物半导体装置与高压元件区接面所产生的漏电流，进而改善元件的击穿电压，并因而可提升元件的操作电压范围。相较于已知半导体装置，该半导体装置约可提升40％以上的击穿电压。
半导体装置及其制造方法