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[发明专利]单晶提拉装置用石墨坩埚及其制造方法-CN201280003981.4有效
发明人：冈田修;广濑芳明;横井智光;荻田泰久 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2012-01-30 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种能够长寿命化的单晶提拉装置用石墨坩埚及其制造方法。保持石英坩埚(1)的石墨坩埚(2)由作为石墨坩埚成形体的石墨坩埚基材(3)和在石墨坩埚基材(3)的整个表面形成的覆膜(4)构成，该覆膜(4)含有酚醛树脂的碳化物。酚醛树脂被浸渗至在石墨坩埚基材(3)表面存在的开气孔(5)的内部。覆膜(4)的形成不限于石墨坩埚的整个表面，也可以仅为容易进行SiC化的部分。例如，在坩埚的仅整个内表面析出，或者还可在内表面当中的仅弯曲部(小R部)、或仅弯曲部和直体部析出。
单晶提拉装置石墨坩埚及其制造方法

[发明专利]坩埚用保护垫片及使用该坩埚用保护垫片的坩埚装置-CN201310069390.3无效
发明人： 广濑芳明;幸哲也;近藤照久;冈田修 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种在具有内侧坩埚(2)和外侧坩埚(3)的坩埚中配置在两坩埚之间的由膨胀石墨构成的坩埚用保护垫片，面方向的导热率为120W/(m·K)以上、透气率小于1.0×10-4cm2/s，从厚度方向以34.3MPa的加压力加压压缩时，压缩率为20％以上。由于压缩率高，因此内侧坩埚内插时防止破损效果提高，作业性提升，还能够防止内侧坩埚在外侧坩埚内的倾斜。另外，即使压缩率高也可保持导热率为能够均匀加热内侧坩埚的程度，还能够保证隔气性，因此能够防止外侧坩埚的SiC化和壁厚减小等的发生。能够防止内侧坩埚损伤、且抑制外侧坩埚SiC化，能够从外侧坩埚向内侧坩埚均匀传热的坩埚用保护垫片。
坩埚保护垫片使用装置

[发明专利]膨胀石墨片及其制造方法-CN201180048234.8有效
发明人：幸哲也;广濑芳明 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种通过实现一定程度的低灰分化并抑制挠性的下降，而在成型为希望的形状时，能抑制在表面产生裂缝或产生缺口，由此能够飞跃性地提高品质和成品率的膨胀石墨片。其特征在于，挠性测定装置具有将板状的膨胀石墨片(3)的一端固定的旋转体(2)、固定在所述膨胀石墨片(3)的另一端的重物、确定使所述旋转体(2)转动时的所述膨胀石墨片(3)的弯曲位置的弯曲位置确定构件(5)，使用该挠性测定装置时，在将所述膨胀石墨片(3)的可折弯的次数作为挠性的挠性测定试验中，挠性为25次以上，且灰分含量为500ppm以下。
膨胀石墨及其制造方法

[发明专利]碳制坩埚-CN201180042721.3无效
发明人：冈田修;广濑芳明;幸哲也;须川浩充 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止SiO气体从直筒部与托盘部的交界部分的泄漏且防止SiC化的早期加剧的碳制坩埚。碳制坩埚(5)用于对硅等金属单晶提拉装置中使用的石英坩埚(4)进行保持，并由直筒部(9)与托盘部(10)分割构成。在石英坩埚(4)与碳制坩埚(5)之间以覆盖碳制坩埚(5)的内表面的、至少直筒部(9)与托盘部(10)的交界部分(A)的方式配置有石墨质片材(11)。石墨质片材(11)为膨胀石墨片。
坩埚

[发明专利]膨胀石墨薄片-CN201080030449.2有效
发明人：幸哲也;广濑芳明 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种即使在实际使用膨胀石墨薄片时，通过抑制膨胀石墨薄片所包含的杂质，可抑制产品品质下降或成品率降低的使用阶段的膨胀石墨薄片。一种将膨胀石墨薄片用捆包材料进行捆包后，从该捆包材料中取出后的状态的使用阶段下的膨胀石墨薄片，其特征在于，使用ICP发光法测定的Al、B、Be、Ca、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、S、Ti、V以及Zn的量、使用原子吸收分光光度法测定的K以及Na的量、以及用吸光光度法测定的Si的量均为低于检测界限的水平。
膨胀石墨薄片

[发明专利]太阳电池单元-CN200880108536.8有效
发明人： 广濑芳明;幸哲也;三崎幸典;小宫瞳 -专利权人：东洋炭素株式会社;独立行政法人国立高等专门学校机构
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种太阳电池单元，其通过抑制在热传递路径内存在有导热率低的空气层的情况，而使太阳电池模块的热量充分地散热，从而抑制太阳电池模块的温度上升，其结果是能够使能量转换效率飞跃性地提高。所述太阳电池单元具备太阳电池模块(2)和设置在该太阳电池模块(2)的背面且负责太阳电池模块(2)的散热的散热构件(4)，所述太阳电池单元的特征在于，将含有膨胀石墨的热传递板(3)夹设在所述太阳电池模块(2)与所述散热构件(4)之间，且在加压状态下将该热传递板(3)安装在太阳电池模块(2)及所述散热构件(4)上。
太阳电池单元

[发明专利]膨胀石墨膜以及使用了该膨胀石墨膜的碳质坩埚的保护方法以及单晶拉制装置-CN200880012190.1无效
发明人： 广濑芳明;幸哲也 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了抗拉强度的膨胀石墨膜。另外，提供一种碳质坩埚的保护方法以及单晶拉制装置，在碳质坩埚的保护方法中，将提高了抗拉强度的膨胀石墨膜用作碳质坩埚的中垫，由此作业时间显著地降低，且能够不使膜破损而无间隙地覆盖在坩埚的内表面，并且适用于坩埚的大型化。膨胀石墨膜(10)的特征在于，在由膨胀石墨材料构成的基材(11)的至少单面上以层叠状形成有由碳纤维构成的增强材料(12)。所述碳质坩埚的保护方法的特征在于，将膨胀石墨膜(10)夹设在石英坩埚和载置该石英坩埚的碳质坩埚之间而用作覆盖碳质坩埚的内表面的中垫。
膨胀石墨以及使用坩埚保护方法拉制装置

[发明专利]碳质坩埚的保护方法以及单晶拉制装置-CN200880010903.0有效
发明人： 广濑芳明;幸哲也 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2008-04-04 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种操作容易且作业时间显著降低，并且能够不使膜破损而无间隙地覆盖坩埚的内表面的碳质坩埚的保护方法以及单晶拉制装置。所述碳质坩埚的保护方法将由膨胀石墨材料构成的保护膜夹设在石英坩埚和载置该石英坩埚的碳质坩埚之间，所述保护膜在所述坩埚间的铺设中将组合为一体的形状的两个以上构成的保护膜片铺设在碳质坩埚的内表面。
坩埚保护方法以及拉制装置

[发明专利]散热构件、使用其的电路基板、电子部件模块及其制造方法-CN200880008094.X无效
发明人： 广濑芳明;幸哲也;三崎幸典;荒川真辉 -专利权人：东洋炭素株式会社;独立行政法人国立高等专门学校机构
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供一种电路基板，以提供一种使用不招致基板的破损、基板的总重量的增加、生产性的降低或成本的增加、或者大型化，而能够充分地冷却电子部件的散热构件的电路基板为目的。所述电路基板特征在于：具有在表面形成配线图案(3)的基板主体(4)，并LED模块(1)连接于所述配线图案(3)的构造的电路基板，在所述基板主体(4)的一部分设置有从表面到背面贯通的贯通孔(6)，并且，在所述基板主体(4)的背面，以塞住所述贯通孔(6)的一侧端部的方式配置散热构件(5)，并且在直接地抵接该散热构件(5)与所述LED模块(1)的状态下在所述贯通孔(6)内配置所述LED模块(1)。
散热构件使用路基电子部件模块及其制造方法

[发明专利]脱模用垫板-CN200780027632.5无效
发明人：幸哲也;广濑芳明 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C03B40/02 文献下载
摘要：一种采用膨胀石墨作为原材料的脱模用垫板，在加压压缩碳化硅和氮化铝等制造时，能够保证高制品品质，而且能够飞跃性提高作业效率和有效利用率等。这种配置在模具的外侧构件(1b)的内面和二氧化硅粉末(M)之间、由膨胀石墨组成的脱模用垫板(4)，其特征在于，下述(1)式所示的透气率为1.0×10^-4cm²/s以下。透气率＝Q·L/(ΔP·A)…(1)。其中，上述(1)式中，Q为气体流量(Pa·cm³/s)，ΔP是两室间的压力差(Pa)，A是脱模用垫板的透气面积、也就是连通两室的通路的面积(cm²)，L是脱模用垫板的厚度(cm)。
脱模垫板

[发明专利]坩埚用保护垫片及使用该坩埚用保护垫片的坩埚装置-CN200780026431.3无效
发明人： 广濑芳明;幸哲也;近藤照久;冈田修 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种在具有内侧坩埚(2)和外侧坩埚(3)的坩埚中配置在两坩埚之间的由膨胀石墨构成的坩埚用保护垫片，面方向的导热率为120W/(m·K)以上、透气率小于1.0×10^-4cm²/s，从厚度方向以34.3MPa的加压力加压压缩时，压缩率为20％以上。由于压缩率高，因此内侧坩埚内插时防止破损效果提高，作业性提升，还能够防止内侧坩埚在外侧坩埚内的倾斜。另外，即使压缩率高也可保持导热率为能够均匀加热内侧坩埚的程度，还能够保证隔气性，因此能够防止外侧坩埚的SiC化和壁厚减小等的发生。能够防止内侧坩埚损伤、且抑制外侧坩埚SiC化，能够从外侧坩埚向内侧坩埚均匀传热的坩埚用保护垫片。
坩埚保护垫片使用装置

[发明专利]导热性组合物-CN200710186500.9无效
发明人：三崎幸典;广濑芳明;幸哲也 -专利权人：东洋炭素株式会社;独立行政法人国立高等专门学校机构
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C09K5/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可以提高发热体或高温物体的散热性能的导热性组合物。其特征在于，具有：发热体(3)、放出该发热体(3)所产生的热的散热体(2)、和配置在该散热体(2)和所述发热体(3)之间的导热性组合物，且该导热性组合物具备具有柔软性的固体状的有机化合物(1b)、和膨胀石墨(1a)。
导热性组合

[发明专利]膨胀石墨薄片-CN200580006565.X有效
发明人： 广濑芳明 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2005-07-11 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种膨胀石墨薄片，该膨胀石墨薄片在面方向的热传导率比厚度方向大，热传导率保持均匀，而且能够廉价和高效地进行生产。另外，该膨胀石墨薄片是仅由膨胀石墨形成的薄片，薄片在面方向的热传导率被调整为350W/(m·K)以上。由于薄片是仅由膨胀石墨形成的，而且在面方向的热传导率为350W/(m·K)以上，因此其厚度方向的热传导率与其面方向的热传导率之差非常大，从而能够设计为适于热的扩散移动的薄片。另外，容易且在短时间内进行薄片的制造能够提高生产效率，能够廉价地制造薄片。
膨胀石墨薄片

[发明专利]挠性高纯度膨胀石墨片及制造及采用该片的石墨坩埚衬垫-CN03143834.2无效
发明人： 广濑芳明;井元秀纪 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2003-06-17 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供具有挠性和高纯度的膨胀石墨片。具有挠性的高纯度膨胀石墨片，其特征在于，其杂质含量为10ppm以下，且作为试样的10×100mm的高纯度膨胀石墨片的前端装有50g的锤，用直径6mm的弯曲体弯折该试样，将该可弯折的次数作为挠性，该挠性测定试验测得的挠性为10次以上。
挠性高纯度膨胀石墨制造采用该片坩埚衬垫

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