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[发明专利]一种用于覆铜陶瓷基板生产的瓷片清洗工艺及清洗液-CN202310682687.0在审
发明人：严星冈;邱本光;陈华星;章亚萍;韩建 -专利权人： 广德东风半导体科技有限公司;广德东风电子有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于覆铜陶瓷基板生产的瓷片清洗工艺及清洗液，涉及覆铜陶瓷基板加工技术领域。本发明清洗工艺包括如下步骤：S1：瓷片除油清洗；S2：除油瓷片置于粗化液预处理；S3：预处理瓷片高温氧化；S4：瓷片依次清洗液洗、水洗、碱液洗、水洗，依次循环10‑30次，得到瓷片。本申请清洗后的瓷片应用在覆铜陶瓷基板生产中得到的覆铜陶瓷基板具有铜箔与瓷片之间的结合强度高，且温度循环可靠性高，在300℃高温环境下抗热疲劳能力强的优点。
一种用于陶瓷生产瓷片清洗工艺

[发明专利]一种具有防夺氧冶具的DBC基板烧结设备-CN202310516916.1在审
发明人：严星冈;詹学武;邱本光;章亚萍;韩健 -专利权人： 广德东风半导体科技有限公司;广德东风电子有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F27B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防夺氧冶具的DBC基板烧结设备，涉及DBC基板生产技术领域，包括烧结输送台，所述烧结输送台的内壁转动安装有烧结网带，所述烧结网带上放置有若干个等距排布的烧结冶具；所述烧结冶具包括冶具板，所述冶具板顶面的四个边沿均固定连接有承托垫片；所述烧结输送台的一端固定安装有卸料机构，所述卸料机构的一侧固定安装有冶具回送机构。本发明通过设置烧结冶具对覆铜陶瓷基板进行放置承托，使其与烧结网带隔离，避免高温下网带对覆铜陶瓷基板的夺氧问题；烧结冶具利用承托垫片在覆铜陶瓷基板底部与烧结冶具之间留出空隙，配合设置透气孔和通口等结构，方便在烧结时热力随空气流通，提高烧结加热的均匀性。
一种具有防夺氧冶具 dbc 烧结设备

[发明专利]一种DBC基板中铜片表面处理工艺-CN202310415475.6在审
发明人：严星冈;韩健;詹学武;陈华星;章亚萍 -专利权人： 广德东风半导体科技有限公司;广德东风电子有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C25D5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种DBC基板中铜片表面处理工艺，属于DBC基板生产技术领域，包括以下步骤：将经预处理的铜片进行粗化、固化和表面硅烷化处理，硅烷化处理过程：将固化铜片浸入改性硅烷溶液中涂覆，其中，改性硅烷溶液由超支化聚硅氧烷接枝二硫化碳制备而成，以超支化聚硅氧烷为原料接枝二硫化碳，形成了二硫代氨基结构，二硫代氨基结构具有优异的螯合性能，能够将硅氧烷单体和金属铜片表面紧密螯合，硅氧烷单体结构中的硅烷氧基和有机官能团水解时生成硅醇，与无机物结合，形成硅氧烷，最终在铜片表面生成单分子硅氧烷膜，硅氧烷膜和陶瓷表面在高温烧结过程中，通过共价键形式相缔结，保证了铜片与陶瓷基板的有效结合。
一种 dbc 基板中铜片表面处理工艺

[发明专利]一种覆铜陶瓷基板前处理方法-CN202310448781.X在审
发明人：严星冈;章亚萍;陈华星;邱本光;詹学武 -专利权人： 广德东风半导体科技有限公司;广德东风电子有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆铜陶瓷基板前处理方法，涉及覆铜陶瓷基板生产技术领域，包括下列步骤，首先将待处理的覆铜陶瓷基板浸没于清洗池的水体中；通过输送机构带动覆铜陶瓷基板移动，在移动过程中依次对覆铜陶瓷基板侧边、顶面和底面的清理打磨；通过脱洗机构对完成清理打磨的进行酸洗和碱洗；通过微蚀处理机构盛装微蚀液，使得覆铜陶瓷基板自由下落穿过微蚀液，再由提升输送带承接送出；本发明的前处理方法，其将对覆铜陶瓷基板的上料、打磨、清洗工序进行整合，在上料推送过程中同步完成，处理速度快，工作连续性强，适用于大批量覆铜陶瓷基板的处理，加工效率高；同时通过将覆铜陶瓷基板浸没于水中，实现对打磨杂质的实时清理。
一种陶瓷基板前处理方法

[发明专利]一种基于氧化炉的铜皮分段氧化工艺-CN202310523297.9在审
发明人：严星冈;陈华星;邱本光;詹学武;韩健 -专利权人： 广德东风半导体科技有限公司;广德东风电子有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C8/10 文献下载
摘要：本发明公开一种基于氧化炉的铜皮分段氧化工艺，步骤一：启动隧道炉内的电阻丝进行加热；步骤二：将铜片输送至隧道炉内；步骤三：对铜片进行氧化，并进行输送；步骤四：重复步骤三，再进行退火；通过选用能够进行分段加热的氧化炉，并以逐渐升温的方式对铜皮表面进行氧化，能够优先在铜皮的表面生成氧化亚铜，再经过多次高温进行氧化，从而再对铜皮表面的氧化亚铜氧化成氧化铜，相较于传统的直接对铜皮表面进行氧化的方式，能够避免氧化后的铜片表面存在部分氧化亚铜被氧化铜所覆盖，从而能够对铜皮进行充分氧化，导致氧化后的铜片表面不均匀的情况。
一种基于氧化铜皮分段工艺