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[发明专利]化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法-CN201780071427.2有效
发明人：野田朗;川平启太;平野立一 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种在直径75mm以上的大口径InP单晶基板中，即便是Zn浓度为5×1018cm‑3以上的高掺杂区域，亦在基板的主表面整面实现高Zn的电性活化率的掺杂有Zn的InP单晶基板及它的制造方法。一面以转速10rpm以下使InP单晶锭旋转，一面至少在上述InP单晶锭的冷却时将200℃的温度差在2～7.5分钟的时间内进行冷却，继而将其切成薄板状，由此制成即便是直径75mm以上且Zn浓度5×1018cm‑3以上的掺杂有Zn的InP单晶基板，Zn的电性活化率亦在上述基板的主表面整面超过85％。
化合物半导体制造方法

[发明专利]化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法-CN201810941688.1在审
发明人：野田朗;太田优;平野立一 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III‑V族化合物半导体单晶的制造方法。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×10¹⁷cm^‑3以上且3×10¹⁸cm^‑3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm^‑2的化合物半导体晶片。
密封剂熔融液化合物半导体晶片光电转换元件半导体单晶晶种熔解耐热性浸渍晶种生长控制容器硬化效果大型的单晶提拉填充位错加热制造升高覆盖表现

[发明专利]化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法-CN201480030086.0在审
发明人：野田朗;太田优;平野立一 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：对于将含有Zn作为杂质的III-V族化合物半导体单晶作为基板的光电转换元件，可以不使转换效率降低，而将基板大型化。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×10¹⁷cm^-3以上且3×10¹⁸cm^-3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm^-2的化合物半导体晶片。
化合物半导体晶片光电转换元件以及 iii 制造方法

[发明专利]晶片保管容器-CN200580024095.X有效
发明人：木村政幸;平野立一;栗田英树 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2005-03-23 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一张张地收容半导体晶片的晶片保管容器，提供一种可有效降低附着在保管中的半导体晶片正面上的微粒的技术。一种一张张地收容晶片的晶片保管容器，其中，具有：晶片收容部件，具有与晶片的周缘部相抵接并可保持晶片的拱状凹部；盖部件，与该晶片收容部件相卡合，从而可密闭晶片收容部，还包括晶片背面保护部件，成型为与上述拱状凹部的开口部大致相同的形状，与以正面向着上述拱状凹部的方式载置的晶片的整个背面相密接。
晶片保管容器

[发明专利]气相生长方法-CN200580005133.7有效
发明人：中村正志;太田优;平野立一 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2005-02-15 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：提供一种在Fe掺杂InP等的半导体衬底上以良好的再现性生长出InAlAs等化合物半导体构成的外延层的气相生长方法。在半导体衬底上生长外延层的气相生长方法中，预先测定室温下的半导体衬底的电阻率，按照室温下的电阻率控制衬底的设定温度以使实际的衬底的表面温度达到所希望的温度而与该半导体衬底的电阻率无关，并生长外延层。
相生方法

[发明专利]CdTe单晶和CdTe多晶及其制备方法-CN02828598.0有效
发明人： 平野立一 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：晶体中的氯浓度为0.1－5.0ppmwt、室温下的电阻率为1.0×10⁹Ω·cm或以上的CdTe单晶；和制备所述CdTe单晶的方法，该方法包括以掺杂了50－200ppmwt氯的CdTe多晶为原料，通过垂直温度梯度凝固法、水平温度梯度凝固法、垂直布里奇曼法、水平布里奇曼法和液封直拉法的任一种方法使晶体生长。
cdte 多晶及其制备方法