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[实用新型]用于妇产科的护理装置-CN202223548088.X有效
发明人：干洁 -专利权人：中国人民解放军总医院第四医学中心
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： A61G12/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于妇产科的护理装置，包括箱体结构、以及安装在箱体结构一侧且与该箱体结构相互贯通的散气筒组件，散气筒组件上设有散气盖体，该散气盖体内侧设置有挡持盖体，散气盖体上开设有相互交错设置的若干散气槽，挡持盖体可转动地设置在散气盖体内侧，用以调节箱体结构内热蒸汽的流出量。本实用新型用于妇产科的护理装置通过调节散气筒组件上的挡持盖体相对散气槽的位置，进而调节散气槽的大小，以实现调节热蒸汽沿散气槽流出量的大小，便于让患者逐渐适应，防止烫伤患者，并且护理装置设计合理、造价成本低，结构简单，使用方便，适合普通工薪族患者使用。
用于妇产科护理装置

[实用新型]一种妇产科护理装置-CN202223548087.5有效
发明人：干洁 -专利权人：中国人民解放军总医院第四医学中心
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： A61G7/00 文献下载
摘要：本实用新型属于医疗护理技术领域，特别涉及一种妇产科护理装置；其一种妇产科护理装置，包括床体，所述床体的两侧设有滑槽，各所述滑槽内均设有移动组件，各所述移动组件上均设有扶手，两所述扶手之间可拆卸连接有桌板。本实用新型提供一种新的妇产科护理装置，通过在床体两侧设置移动组件，将扶手设置在移动组件上，并将桌板可拆卸连接在两扶手上，来实现扶手沿床体长度方向的移动，从而调节桌板的位置，以便于产妇使用。
一种妇产科护理装置

[实用新型]一种Ka波段400W连续波固态高功放-CN201620759086.0有效
发明人：李新胜;文朝举;侯满宏;潘进;干洁;成永昌;白士军;韩来辉;党博 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十七研究所
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Ka波段400W连续波固态高功放，包括驱动与监控模块、分路器模块、末级功放模块、合成器模块和微波组件模块；驱动与监控模块的输入端与功放的信号输入端连接，驱动与监控模块的输出端连接分路器模块，分路器模块的输出端连接末级功放模块的输入端，末级功放模块的输出端连接合成器模块的输入端，合成器模块的输出端连接微波组件模块的输入端；本实用新型采用了分路器模块和合成器模块，并采用非二进制方式设计波导分路、合成网络，打破传统电路对合成路数的限制，可根据实际功率需求更为灵活地选择合成路数，使固态高功放达到百瓦量级。
一种 ka 波段 400 连续固态功放

[发明专利]在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法-CN200910149162.0无效
发明人：吴嘉达;孙剑;唐文涛;干洁 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属材料制备领域，公开了一种在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法，尤其是在硅衬底上制备不含SiOx过渡面层、界面良好的IVB族金属氧化物薄膜的方法。本发明方法以IVB族高纯金属和高纯氧气为原材料，以脉冲激光束烧蚀IVB族金属靶引发处于电子回旋共振状态、气压为1×10-2-9×10-2Pa的稀薄氧气微波放电形成氧等离子体，利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积在处于30-80℃常温的硅衬底表面沉积制备IVB族金属氧化物薄膜。本发明可以防止硅表面氧化、从而避免在衬底和薄膜之间形成SiOx过渡层。
衬底制备过渡金属氧化物薄膜方法

[发明专利]一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法-CN200910199050.6无效
发明人：吴嘉达;孙剑;高昆;干洁 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明属于材料制备技术领域，具体为一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法。本发明用物理气相沉积法在硅衬底表面沉积IIIA、IIIB或IVB族金属薄膜，然后用ECR微波放电产生的氧等离子体束流对沉积在硅表面的金属薄膜进行氧化处理制备得金属氧化物薄膜，在制备过程避免了硅表面直接与含氧气氛接触，从而避免在衬底和薄膜之间形成SiOx过渡层。
一种衬底制备介电常数金属氧化物薄膜方法

[发明专利]一种常温制备Al_xGa_1-xN三元合金半导体薄膜的方法-CN200910046920.6无效
发明人：吴嘉达;孙剑;方芳;干洁 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在常温条件下制备Al_xGa_1-xN三元合金半导体薄膜的方法，其利用同一激光束经过分束镜得到两激光束，其中一激光束对铝靶烧蚀向膜层提供铝，另一激光束对AsGa靶烧蚀向膜层提供镓，由氮气微波放电形成的活性氮向膜层提供氮，气相的铝、镓、氮反应形成Al_xGa_1-xN合金半导体薄膜沉积于衬底上。本发明提供了一种常温条件下制备不同铝、镓比，特别是高铝组分Al_xGa_1-xN薄膜的方法，其非平衡特征使得构成膜层的组分可以突破平衡固溶度的制约，本发明中两束激光对两个靶的脉冲激光烧蚀引发超饱和度、高电离度、高速膨胀的激光等离子体，并以微波放电形成的高化学活性的等离子体辅助成膜，可以大大降低Al_xGa_1-xN薄膜的制备温度。
一种常温制备 al sub ga 三元合金半导体薄膜方法