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[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202210936991.9在审
发明人： 布谷伸仁;藤村一夫 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施方式涉及半导体制造装置及其制造方法。实施方式的半导体制造装置具有第1及第2工作台和周缘保持部。第1工作台对粘贴于树脂片上的晶片进行支撑。晶片分离为中央部和将中央部包围的周缘部，第1工作台隔着树脂片对晶片的中央部进行支撑。第2工作台将第1工作台包围。在第2工作台上对位于第1工作台的外侧的树脂片的外周部进行固定。第2工作台能够以对树脂片的外周部赋予从第1工作台的外缘朝向斜下方的方向的张力的方式相对于第1工作台相对地移动。周缘保持部对晶片的周缘部进行保持。第1及第2工作台以通过张力将树脂片从在周缘保持部固定的晶片的周缘部剥离的方式相对地移动。
半导体制造装置方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN202010106493.2在审
发明人： 布谷伸仁;隐塚信次 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高制造成品率的半导体装置的制造方法以及半导体装置。实施方式的半导体装置包括：半导体部；在上述半导体部的背面上设置的第1电极；及在上述半导体部的表面上设置的第2电极。上述半导体装置的制造方法包括：形成将包含成为上述半导体部的区域的晶片的背面覆盖的上述第1电极的工序；沿着成为上述半导体部的区域的外缘，形成将上述第1电极选择性地去除而成的、而且包含位于上述晶片中的部分的第1槽的工序；以及沿着上述晶片的表面中的成为上述半导体部的区域的外缘，形成与上述第1槽相连的第2槽，将上述晶片分割的工序。上述第2槽在沿着上述晶片的上述表面的方向上的宽度，形成得比上述第1槽在上述方向的宽度窄。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体发光元件以及发光装置-CN201510101285.2在审
发明人：冈本伦太郎;布谷伸仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制光强度下降的半导体发光元件以及发光装置。实施方式的半导体发光元件包括：半导体衬底，包含：第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、及与所述第一面及所述第二面相连的第三面；第一光反射膜，覆盖所述半导体衬底的所述第三面的至少一部分；以及积层体，设置在所述半导体衬底的所述第二面侧，包含：第一半导体层、第二半导体层、及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层。
半导体发光元件以及装置

[发明专利]半导体发光装置-CN201410454133.6在审
发明人：藤村一夫;山崎宏德;小野正;久保晋作;布谷伸仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明提供一种可提高向设有电极侧的相反侧的光提取效率的半导体发光装置。一实施方式的半导体发光装置在半导体层的第1侧、以及设于半导体层的侧面的第2绝缘膜上设有对发光层的放射光具有透过性的光学层。在半导体层的第1侧设有多个凸部与多个凹部，且凸部的顶部比光学层的界面更接近半导体层的与所述第1侧为相反侧的第2侧。
半导体发光装置

[发明专利]半导体发光元件-CN201310096239.9无效
发明人：中村健二;藤本明;中西务;北川良太;浅川钢儿;镰仓孝信;布谷伸仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括层叠体和光学层。层叠体具有主表面并包括发光学层。光学层与主表面接触并包括介电体、第一颗粒以及第二颗粒。光学层包括包含介电体和第一颗粒而不包含第二颗粒的第一区域以及包含介电体和第二颗粒的第二区域。第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米。第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米。第一区域的平均折射率大于层叠体的折射率且小于第二颗粒的折射率。
半导体发光元件

[发明专利]发光元件以及其制造方法-CN201180062905.6有效
发明人： 布谷伸仁;赤池康彦;井上佳代;近藤且章;松永德彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：根据实施方式，发光元件具备：包括发光层的半导体层叠体；在半导体层叠体之上与半导体层叠体直接地连接的第一上部电极；至少一个第二上部电极，从第一上部电极延伸，在半导体层叠体之上隔着第一接触层与半导体层叠体连接；以及设置在半导体层叠体之下的下部电极。发光元件具备：透明导电层，设置在半导体层叠体与下部电极之间，透射从发光层发出的光；设置在透明导电层与下部电极之间的光反射层；以及电流阻止层，设置在半导体层叠体与透明导电层之间以及半导体层叠体与第一上部电极以及第二上部电极之间的至少任一方，从相对于发光层的主面垂直的方向观察时，选择性地设置有至少一个狭缝。
发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201110248634.5无效
发明人： 布谷伸仁;小川雅章;浅川钢儿;北川良太;藤本明;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：实施方式涉及的半导体发光元件具备：发光体、第一电极层、第二电极层、焊盘电极和辅助电极部。发光体在一侧设有第一导电型的第一半导体层，在另一侧设有第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层和第二半导体层之间设有发光层。第一电极层在第二半导体层的与第一半导体层相反的一侧设置，且具有金属层和沿从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向贯通上述金属层的多个开口部。第二电极层与第一半导体层导通。焊盘电极与第一电极层导通。辅助电极部与第一电极层导通，且在与第一方向正交的第二方向上延伸。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN03101600.6无效
发明人：吉武春二;高桥幸一;布谷伸仁;大桥健一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。本发明揭示具备衬底，和由层积在上述衬底上的包含发光层的多层半导体膜构成的，从衬底侧的相反侧的面取出光的多层半导体膜，并且在上述多层半导体膜的光取出部分上，形成具有由(111)面构成的或者由(111)面近旁的面构成的光取出面的图案，在该光取出面上形成凹凸地构成的半导体发光元件。
半导体发光元件及其制造方法

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