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[发明专利]一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法-CN201810806368.5有效
发明人：陈惠鹏;郭太良;胡道兵;巫晓敏 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠结构，网状源极和漏极的重叠区域为器件的有效沟道面积，有机半导体层的厚度为器件的沟道长度，通过控制有机半导体层的厚度即可以实现短沟道有机晶体管的制备；本发明提供的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器的制备方法不仅仅提高了器件的驱动能力和响应速度，而且提高了器件的存储容量，在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的存储器件的应用提供了参考。
一种基于沟道有机晶体管多级存储器及其制备方法

[发明专利]一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法-CN201911245752.3在审
发明人：陈惠鹏;严育杰;郭太良;陈耿旭;陈奇珍;巫晓敏;柯钰丹 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-12-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法，所述垂直结构的有机电化学晶体管为顶栅垂直结构，从下往上依次为基底、漏电极、有源层、网状源电极，电解质层和栅电极。其制备方法包括以下步骤：1）在具有图案化漏电极的基底上通过旋涂工艺沉积聚合物导电薄膜并退火，制得有源层；2）在有源层上通过旋涂工艺沉积网状源电极薄膜并退火；3）在网状源电极上通过旋涂或刮涂工艺沉积聚合物离子凝胶电解质并退火，制得电解质层；4）在电解质层上通过热蒸镀的方法制备栅电极，得到垂直结构的有机电化学晶体管。该方法制备的有机电化学晶体管可以缩小器件尺寸，提高器件性能，扩展其应用范围。
一种垂直结构有机电化学晶体管及其制备方法

[发明专利]一种全透明异质结光晶体管及其制备方法-CN201811558062.9在审
发明人：陈惠鹏;郭太良;曹曙光;巫晓敏;刘亚倩;李恩龙 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及了一种全透明异质结光晶体管及其制备方法。该全透明异质结光晶体管采用顶栅垂直结构，从下自上依次设置有基底、漏极、氧化物半导体层、可见光吸光层、网状源极、绝缘层和栅极，所述绝缘层的一侧设置有源极接触电极。本发明提供的垂直结构异质结光晶体管可以实现紫外到可见光的宽光谱探测。该垂直结构异质结光晶体管具有超短的载流子传输沟道和大的激子分离界面，并借助金属氧化物半导体高的载流子迁移率，可以实现超高光电性能。该垂直结构的全透明异质结光晶体管有望广泛用于全光谱光探测器、光突触等领域。
异质结光晶体管垂直结构全透明绝缘层可见光制备金属氧化物半导体氧化物半导体层载流子迁移率载流子传输分离界面光电性能光探测器依次设置源极接触宽光谱全光谱网状源吸光层电极顶栅沟道基底激子漏极突触探测

[发明专利]一种全固态有机电化学光晶体管及其制备方法-CN201811558217.9在审
发明人：陈惠鹏;严育杰;郭太良;巫晓敏;陈奇珍;刘亚倩 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及了一种全固态有机电化学光晶体管及其制备方法。该有机电化学光晶体管采用底栅平面结构，器件从下往上依次是基底、固态电解质层、有源层、源漏电极和吸光层；其中固态电解质层采用聚合物离子凝胶电解质，并利用旋涂或刮涂工艺在基底上形成固态电解质层，从而实现全固态有机电化学光晶体管。本发明提供的全固态有机电化学光晶体管在低电压操作下实现了出色的光响应R和探测率D，同时全固态光晶体管的特性可有望进一步集成至先进电子及电路系统中，扩宽高性能电化学晶体管应用领域。该全固态有机电化学晶体管有望广泛用于光传感器、人工突触及大规模集成电路等领域。
有机电化学光晶体管全固态固态电解质层基底制备大规模集成电路聚合物离子凝胶电化学晶体管低电压操作电解质电路系统光传感器平面结构先进电子源漏电极光响应晶体管探测率吸光层底栅刮涂扩宽旋涂源层

[发明专利]一种铁电存储器及其制备方法-CN201811259152.8在审
发明人：陈惠鹏;李恩龙;郭太良;巫晓敏;蓝淑琼;杨倩;方圆 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器自上而下由基底、铁电绝缘层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层和顶部漏极组成；其网状源极、有机半导体层和顶部漏极层层堆叠在其空间上形成垂直的器件结构，在该结构下晶体管的沟道长度为有机半导体层的厚度（纳米级），超短的沟道长度为器件带来超高的电流密度和快速的响应速度，并且器件的电流方向是从网状源极垂直穿过有机半导体层到达顶部漏极，垂直的电流传输能有效避免由于铁电绝缘层粗糙度较大引起的界面问题提高了铁电存储器的性能；本发明有效提高了器件的驱动能力和响应速度。其在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。
有机半导体层铁电存储器网状源漏极铁电绝缘层垂直的沟道制备铁电存储器件层层堆叠垂直穿过电流传输电流方向界面问题器件结构驱动能力应用提供源极接触粗糙度纳米级隧穿层电极响应晶体管基底参考应用