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[实用新型]一种防磨划伤工装-CN201120298883.0有效
发明人： 左云翔 -专利权人：苏州阿波罗光伏科技有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： B65D61/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防磨划伤工装，其包括：支撑板部、自支撑板部的边部向上凸伸的数个第一挡部、自支撑板部的边部向下凸伸的数个第二挡部及自支撑板部的角部向下凸伸的定位部，所述第一挡部与第二挡部间隔设置，所述定位部呈三角形设置，所述支撑板部及定位部均设有数个镂空部。通过在太阳能电池组件的四个角部安装该防磨划伤工装，从而可防止太阳能电池组件划伤，所述定位部的设置还可防止组件堆垛的滑落，从而避免产品损毁和人员伤亡。
一种划伤工装

[实用新型]一种硅片转载器-CN201120298901.5有效
发明人： 左云翔 -专利权人：苏州阿波罗光伏科技有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片转载器，其包括：底壁、安装于底壁两端的端壁及安装于底壁两侧的侧壁，上述五壁围绕形成收容硅片的收容空间，所述底壁向外凸设有数个第一凸部，所述端壁与侧壁的下方设有与上述第一凸部相卡扣的数个第一凹槽，所述端壁的两端向外凸设有数个第二凸部，所述侧壁的两端设有与第二凸部相卡扣的数个第二凹槽，所述端壁的中央设有轴杆，所述侧壁设有操作槽，该种硅片转载器不仅可防止金属污染，而且可防止硅片破碎。
一种硅片转载

[发明专利]一种防磨划伤工装-CN201110235660.4无效
发明人： 左云翔 -专利权人：苏州阿波罗光伏科技有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种防磨划伤工装，其包括：支撑板部、自支撑板部的边部向上凸伸的数个第一挡部、自支撑板部的边部向下凸伸的数个第二挡部及自支撑板部的角部向下凸伸的定位部，所述第一挡部与第二挡部间隔设置，所述定位部呈三角形设置，所述支撑板部及定位部均设有数个镂空部。通过在太阳能电池组件的四个角部安装该防磨划伤工装，从而可防止太阳能电池组件划伤，所述定位部的设置还可防止组件堆垛的滑落，从而避免产品损毁和人员伤亡。
一种划伤工装

[发明专利]一种硅片转载器-CN201110235659.1无效
发明人： 左云翔 -专利权人：苏州阿波罗光伏科技有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片转载器，其包括：底壁、安装于底壁两端的端壁及安装于底壁两侧的侧壁，上述五壁围绕形成收容硅片的收容空间，所述底壁向外凸设有数个第一凸部，所述端壁与侧壁的下方设有与上述第一凸部相卡扣的数个第一凹槽，所述端壁的两端向外凸设有数个第二凸部，所述侧壁的两端设有与第二凸部相卡扣的数个第二凹槽，所述端壁的中央设有轴杆，所述侧壁设有操作槽，该种硅片转载器不仅可防止金属污染，而且可防止硅片破碎。
一种硅片转载

[发明专利]一种用于光伏生产的石英件的清洗方法-CN201110105028.8无效
发明人： 左云翔 -专利权人：苏州阿波罗光伏科技有限公司
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光伏生产的石英件的清洗方法，其包括如下步骤：A）首先将炉内的温度调节到1150℃~1200℃；B）同时向扩散炉的炉腔内输入流量为25-50L/min的氮气、流量为0.5~2.5L/min的三氯氧磷及流量为0.8~3.4L/min的氧气，输入时间为120~300分钟，上述氮气、三氯氧磷、氧气从扩散炉的进口输入，途经石英件再从扩散炉的出口输出，该种清洗方法不但有利于安全生产，而且还可降低生产成本。
一种用于生产石英清洗方法

[实用新型]多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅膜烘烤装置-CN200820215103.X有效
发明人：任向东;鲍家兴;左云翔 -专利权人：江阴海润太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅膜烘烤装置，所述装置包括石英坩埚(1)、洁净烘箱(2)、真空泵(3)、真空计(4)、加热棒(5)、阀门(6)、管路(7)和Ar气站(8)，所述石英坩埚(1)置于密闭的洁净烘箱(2)内，所述洁净烘箱(2)与真空泵(3)相连，洁净烘箱(2)上安装真空计(4)，洁净烘箱(2)内设置有加热棒(5)，洁净烘箱(2)通过管路(7)与Ar气站(8)相连，管路(7)上设有阀门(6)。采用本实用新型装置烘烤石英坩埚的氮化硅膜合理、洁净和经济。
多晶太阳能电池铸锭石英坩埚氮化烘烤装置

[实用新型]硅太阳能电池双层减反射薄膜-CN200820215100.6有效
发明人：任向东;王敬蕊;左云翔 -专利权人：江阴海润太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅太阳能电池双层减反射薄膜，所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1)，在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2)，形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(2)。本实用新型薄膜比传统单层减反射薄膜具有更小的折射率，电池效率提高。
太阳能电池双层反射薄膜

[实用新型]多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂装置-CN200820215102.5有效
发明人：任向东;鲍家兴;左云翔 -专利权人：江阴海润太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于多晶硅太阳能电池铸锭用的石英坩埚的氮化硅喷涂装置。主要用于在石英坩埚内壁喷涂氮化硅薄膜。所述装置包括石英坩埚(1)、雾化头(2)、压缩空气站(3)、石墨加热板(4)、低压容器(5)、阀门(6)、搅拌器(8)和盛氮化硅浆容器(9)，所述低压容器(5)与压缩空气站(3)相连，所述石英坩埚(1)置于密闭的低压容器(5)内，石墨加热板(4)设置于石英坩埚(1)底部，雾化头(2)设置于石英坩埚(1)内，雾化头(2)通过管路(7)与盛氮化硅浆容器(9)相连，管路(7)上设有阀门(6)，盛氮化硅浆容器(9)内设置有搅拌器(8)。采用本实用新型装置在石英坩埚的内表面喷涂氮化硅合理、洁净和经济。
多晶太阳能电池铸锭石英坩埚氮化喷涂装置

[实用新型]晶体硅太阳能电池组件边框结构-CN200820215104.4有效
发明人：任向东;施黄建;左云翔 -专利权人：江阴海润太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池组件边框结构，主要用于安装晶体硅太阳能电池组件。它是在所述晶体硅太阳能电池组件边框的下边框(3)上开设有一个或一个以上泄流排气孔(1)。本实用新型晶体硅太阳能电池组件边框结构比传统结构增加了泄流排气口，泄流排气能力大大提高。比在减少组件边框及支架受力的同时也缓解了组件边缘受雨水浸泡的状况，并增加了组件背部抗风能力。提高了组件寿命。同时，所述边框结构的四个角部对角线位置处的四个小方孔同时还起到组装时的对齐识别作用。
晶体太阳能电池组件边框结构

[发明专利]硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法-CN200810243656.0有效
发明人：任向东;王敬蕊;左云翔 -专利权人：江阴海润太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法，所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1)，在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2)，形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(2)。所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、在制绒后的硅片衬底上，利用等离子体增强化学气相沉积法，SiH₄与NH₄反应，沉积一层氮化硅薄膜；步骤二、在氮化硅薄膜上，利用等离子体增强化学气相沉积法，SiH₄与N₂O反应，沉积一层二氧化硅薄膜。本发明薄膜比传统单层减反射薄膜具有更小的折射率，电池效率提高。本发明方法可以在同一台设备内完成，在工艺及设备上得到简化。
太阳能电池双层反射薄膜及其制备方法

[发明专利]低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置-CN200810243655.6有效
发明人：任向东;张衡;左云翔 -专利权人：江阴海润太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： B05D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置，所述方法包括工艺过程如下：将粒径5～200微米的氮化硅颗粒和去离子水搅拌成乳浆状溶液并保持在喷涂过程中不断搅拌，该溶液在内外压差作用下经雾化头形成氮化硅雾，在低压(10～100Pa)下该雾均匀连续的喷涂到石英坩埚内壁上，水份被烘干后即形成干燥的1～2mm氮化硅薄层，再将涂有在氮化硅涂层的石英坩埚在950～1050℃下进行烧结，形成结构更加致密的氮化硅层。本发明能制备厚度均匀、污染小、结构致密的氮化硅层，且能减少环境污染及减少对作业人员健康危害。
压下石英坩埚壁上喷涂氮化涂层方法装置

[发明专利]多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法-CN200810243657.5有效
发明人：任向东;鲍家兴;左云翔 -专利权人：江阴海润太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： B05D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多晶硅太阳能电池铸锭用的石英坩埚的氮化硅喷涂方法。是将一定粒度的超纯氮化硅粉末和去离子水(DI水)以一定量配比，搅拌均匀，然后在洁净腔室内用高压枪喷涂在预热过的石英坩埚内壁，经过烘箱在一定程序下烧结，在石英坩埚内壁形成了一层致密的氮化硅膜喷涂层，烘箱抽成真空后通入Ar气。这层膜能阻止高温熔融硅液与石英坩埚反应，避免出现粘埚现象；同时氮化硅膜的出现，替代了高纯石英坩埚的使用，节约了成本；还能最大程度阻止对成品电池片电性能不利的氧元素和杂质元素的混入，为电池片的质量提供了保障。
多晶太阳能电池铸锭石英坩埚氮化喷涂方法

[发明专利]一种制造太阳能电池的磷扩散方法-CN200710132841.8有效
发明人：章灵军;左云翔 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将待处理的单晶硅片在900～950℃氮气气氛下进行退火处理20～30分钟；(2)将上述处理后的硅片在850～1050℃氯化氢气氛下进行氧化处理，使其表面生成厚度为10至30纳米的氧化层；(3)再在850～900℃下通源磷扩散，使得表面方块电阻控制在40～50欧姆，结深0.2～1.0微米；(4)最后在700～750℃氮气气氛下退火处理30～60分钟，完成单晶硅片的磷扩散处理。本发明可以采用纯度为4、5N的单晶硅作为制造太阳能电池的材料，因而，可以利用冶金硅等纯度较低的材料，极大地降低了材料成本，有利于单晶硅太阳能电池的普及应用。
一种制造太阳能电池扩散方法

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