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[发明专利]半导体装置-CN202180093025.9在审
发明人： 工藤智人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体基板(1)具有主区域(2)和与主区域(2)相比工作区域面积小的感测区域(3)。IGBT形成于主区域(2)。MOSFET是在感测区域(3)作为感测元件而形成的，具有与IGBT的栅极电极(15)连接的栅极电极(15)。表面电极(5)在主区域(2)形成于半导体基板(1)的表面。背面电极(20)在主区域(2)及感测区域(3)形成于半导体基板(1)的背面。电流检测用电极(6)在感测区域(3)形成于表面，与表面电极(5)分离。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880087913.8有效
发明人： 工藤智人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于，就具有栅极构造的半导体装置而言，不增加工序数就提高表面电极的平坦性。在本发明的半导体装置的制造方法中，在半导体衬底(1)的第1主面(1A)离散地形成多个栅极构造，离散地形成将半导体衬底(1)的多个栅极构造覆盖的多个栅极层间膜(5)，将比栅极层间膜(5)厚的第1表面电极(6)通过溅射而形成于多个栅极层间膜(5)之间的半导体衬底(1)的第1主面(1A)之上以及多个栅极层间膜(5)之上，将因栅极层间膜(5)与半导体衬底(1)的第1主面(1A)之间的台阶而产生的第1表面电极(6)的凹部及凸部中的凸部，通过使用了光刻的干蚀刻而去除，由此使第1表面电极(6)的上表面平坦化。
半导体装置制造方法

[发明专利]电力用半导体装置-CN202080104927.3在审
发明人：深泽俊树;工藤智人;春口秀树 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：硅基板(10)具有第1～第4半导体区域(11～14)。第3半导体区域(13)通过第2导电型的第2半导体区域(12)而与第1导电型的第1半导体区域(11)隔开。第2导电型的第4半导体区域(14)通过第3半导体区域(13)而与第2半导体区域(12)隔开。第1电极(60)设置于第1面(F1)之上。阻挡金属层(20)设置于第2面(F2)的第1部分(F2a)之上。第2电极(70)设置于第2面(F2)之上，通过阻挡金属层(20)而与第2面(F2)的第1部分(F2a)隔开。第2电极(70)包含与第2面(F2)的第2部分(F2b)接触的Al‑Si层(71)和通过Al‑Si层(71)而与第2面(F2)的第2部分(F2b)隔开的Al层(72)。
电力半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201580082520.4有效
发明人： 工藤智人;友松佳史;春口秀树;阿多保夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：第三伪沟槽(11)在衬底端部的伪单元区域与第一以及第二伪沟槽(9、10)正交。层间绝缘膜(13)使由第一以及第二伪沟槽(9、10)夹持的衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)与发射极电极(14)绝缘。第三伪沟槽(11)将衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)、和与发射极电极(14)连接的衬底端部的伪单元区域的p型扩散层(3、4、15)分离。p型阱层(15)在衬底端部设置为比第三伪沟槽(11)深。第三伪沟槽(11)与p型阱层(15)相比设置于衬底中央侧。
半导体装置