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[发明专利]管理系统及数据中心-CN201980054113.0在审
发明人：藤井康生;窪田雄彦;川崎雅司 -专利权人： NTT有限公司日本株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G07C9/20 文献下载
摘要：提供一种提高了安全等级的管理系统及数据中心。管理系统对数据中心的包括服务器机房在内的安全区域中的使用者的进入和/或退出进行管理，其中，所述管理系统包括：受理装置，其在进入所述安全区域之前受理使用者的个人信息以及来访信息的输入；受理终端机，其根据针对由所述受理装置受理了个人信息以及来访信息的使用者事先登记的生物体信息，发行表示所述使用者进入特定的服务器机房的进入权限的权限信息；以及门控制装置，其在读取到所述权限信息时，将与所述特定的服务器机房相连接的门设为能够打开的状态。
管理系统数据中心

[发明专利]电感元件以及包括该电感元件的器件-CN201980050902.7在审
发明人：永长直人;十仓好纪;横内智行;川崎雅司;大谷义近;M·A·赫希伯格 -专利权人：国立研究开发法人理化学研究所
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：为了得到有利于小型化的电感元件，本公开的实施方式的电感元件1具备金属介质2，金属介质2中有序自旋在空间中取向使得在向某一方向追踪时具有非共线自旋结构。在该电感元件中，电流I以具有该方向的投影分量的方式流动于金属介质。作为用于金属介质的非共线自旋结构而优选的结构包括螺旋结构、摆线结构。
电感元件以及包括器件

[发明专利]ZnO类半导体元件-CN200980114001.6无效
发明人：中原健;田村谦太郎;汤地洋行;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO类半导体元件，该元件的特征在于，在形成含有包含ZnO类半导体的受主掺杂层的层叠体时，能够在不使受主元素浓度降低的情况下，抑制受主掺杂层或在受主掺杂层之后形成的层的平坦性劣化及晶体缺陷增加，并且能够使膜的特性得以稳定化。其中，在ZnO基板1上依次层叠有n型MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)层2、非掺杂MgZnO层3、MQW活性层4、非掺杂MgXZn1-XO层5、受主掺杂MgYZn1-YO层6。受主掺杂MgYZn1-YO(0＜Y＜1)层6中包含至少1种受主元素，并且，在该层上相接触地形成有非掺杂的MgXZn1-XO(0＜X＜1)层5。由此，可以在向受主掺杂层中充分导入受主元素的同时，使受主掺杂层的表面平坦性得到改善。
zno 半导体元件

[发明专利]ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件-CN200980103866.2无效
发明人：中原健;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2009-01-30 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供适于晶体生长的具有品质良好的表面的ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件。为此，本发明的ZnO类基板具有下述构成：在该基板的进行晶体生长一侧的主面表面上基本上不存在羧基或碳酰二氧基。另外，为使其主面表面上存在的羧基或碳酰二氧基基本上为零，在晶体生长开始之前使ZnO类基板表面与氧自由基、氧等离子体、臭氧中的任意物质接触。由此，可提高ZnO类基板表面的清洁化，进而在基板上制作品质良好的ZnO类薄膜。
zno 类基板处理方法以及半导体元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法以及电子设备-CN201010239835.4有效
发明人：杉原利典;大野英男;川崎雅司 -专利权人：夏普株式会社;大野英男;川崎雅司
申请日： 2004-06-14 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在薄膜晶体管(1)中，在绝缘性基板(2)上的栅电极(3)上，经由栅极绝缘层(4)层叠半导体层(5)，在其上面形成源电极(5)和漏电极(7)，进而形成将其上面覆盖的保护层(8)，使半导体层(5)与气氛隔离。半导体层(5)(活性层)采用例如添加了V族元素的ZnO的多晶状态的半导体而形成。ZnO是，因保护层(8)而减少其表面能级，由于向内部的耗尽层扩展被消除，因此ZnO为表示原本的电阻值的n型半导体，处于自由电子过剩的状态。由于被添加的元素相对ZnO作为受主杂质发挥作用，因此减少了过剩的自由电子。这样，由于用于排除过剩的自由电子的栅电极电压降低了，因此阈值电压处于0V附近。这样，一种将氧化锌用于活性层，且具有使活性层与气氛隔离的保护层的半导体装置便能够得到实用了。
半导体装置及其制造方法以及电子设备

[发明专利]ZnO系半导体元件-CN200880119750.3无效
发明人：中原健;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO系半导体元件，能够在层叠侧主面具有C面的MgZnO基板上生长平坦的ZnO系半导体层。该ZnO系半导体元件采用主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板，并在以使所述主面的法线向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴与c轴所形成的Φm角满足0＜Φm≤3的方式形成的主面上，使ZnO系半导体层(2～5)外延生长。然后，在ZnO系半导体层(5)上形成p电极(8)，在MgxZn1-xO基板(1)的下侧形成n电极(9)。这样，通过在MgxZn1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向规则地排列的台阶，能够防止台阶积累现象，并且提高层叠在基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。
zno 半导体元件

[发明专利]ZnO系半导体元件-CN200880114737.9无效
发明人：中原健;汤地洋行;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO系半导体元件，其缓和自补偿效应、抑制施主杂质的混入，以容易进行p型化。使MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板的主面法线向基板晶轴的a轴c轴平面投影的投影轴向a轴方向倾斜Φa度、且向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴向m轴方向倾斜Φm度，角度Φa满足70≤{90-(180/π)arctan(tan(πΦa/180)/tan(πΦm/180))}≤110，且满足Φm≥1，由于被这样形成，所以在该主面上形成的ZnO系半导体层能够抑制施主杂质的混入、缓和自补偿效应而容易进行p型化，从而能够制作出所希望的ZnO系半导体元件。
zno 半导体元件

[发明专利]半导体元件以及半导体元件的制造方法-CN200880108746.7无效
发明人：中原健;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：具备以MgxZn1-xO(0≤x＜1)为主成分的半导体层，所述半导体层中包含的作为杂质的锰的浓度为1×1016cm-3以下。
半导体元件以及制造方法

[发明专利]基板温度测量装置及基板温度测量方法-CN200880106813.1无效
发明人：中原健;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板温度测量装置及基板温度测量方法。该基板温度测量装置具有加热基板的加热源、使不能透过基板的波长区域的红外线透过的透射窗、和温度测量器；该温度测量器的灵敏度范围包含不能透过基板的波长区域，对从被加热源加热了的基板放射出且透过透射窗的红外线进行分析来测量基板的基板温度。
温度测量装置测量方法

[发明专利]ZnO基板以及ZnO基板的处理方法-CN200880022544.0无效
发明人：中原健;汤地洋行;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO基板以及ZnO基板的处理方法。该ZnO基板具有适合晶体生长的表面。Mg_xZn_1-xO(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面中，OH基的存在大致为0。为此，基板处理方法为，在Mg_xZn_1-xO(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面上的最终处理是pH3以下的酸性湿蚀刻处理。由此，能够防止产生Zn的氢氧化物，能够使ZnO基板上的薄膜的结晶缺陷密度非常小。
zno 以及处理方法

[发明专利]ZnO系半导体元件-CN200880009854.9无效
发明人：中原健;汤地洋行;川崎雅司;大友明;塚崎敦;福村知昭;中野匡规 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO系半导体元件，使ZnO系半导体和有机物发挥能动的作用，且具有与现在不同的全新的功能。本发明是为解决上述课题而提案的。在ZnO系半导体(1)上形成有有机物电极(2)，在有机物电极(2)上形成有Au膜(3)。在ZnO系半导体(1)的背面以与有机物电极(2)相对的方式形成有由Ti膜(4)和Au膜(5)的多层金属膜构成的电极。有机物电极(2)与ZnO系半导体(1)的接合界面为pn结的状态，在它们之间产生整流作用。
zno 半导体元件

[发明专利]半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件-CN200880008220.1有效
发明人：浦山雅夫;川崎雅司;大野英男 -专利权人：夏普株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2008-04-01 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件。本发明的薄膜晶体管(1)，在绝缘性基板(2)上以规定的形状形成栅极电极(3)之后，依次叠层栅极绝缘膜(4)和在该栅极绝缘膜(4)上的作为多晶ZnO的半导体层(5)。通过将半导体层(5)浸渍在溶解有杂质的溶液中，在多晶ZnO膜的晶界部分有选择地掺杂杂质。此后，以规定的形状形成源极电极(6)和漏极电极(7)，进而叠层保护膜(8)。由此，能够实现亚阈值特性优异、并具有氧化锌膜作为活性层的基底的薄膜晶体管。
半导体元件及其制造方法以及包括电子器件

[发明专利]ZnO系半导体元件-CN200780021185.2无效
发明人：中原健;汤地洋行;田村谦太郎;赤坂俊辅;川崎雅司;塚崎敦;大友明 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的Mg_xZn_1-xO(0≤x＜1)基板(1)上外延生长。并且，在ZnO系半导体层(5)上形成有p电极(8)，在Mg_xZn_1-xO基板(1)的下侧形成有n电极(9)。这样，通过在Mg_xZn_1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向排列的规则的台阶，可以防止被称为台阶会聚的现象，提高层叠于基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。
zno 半导体元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法以及电子设备-CN200480016784.1无效
发明人：杉原利典;大野英男;川崎雅司 -专利权人：夏普株式会社;大野英男;川崎雅司
申请日： 2004-06-14 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在薄膜晶体管(1)中，在绝缘性基板(2)上的栅电极(3)上，经由栅极绝缘层(4)层叠半导体层(5)，在其上面形成源电极(5)和漏电极(7)，进而形成将其上面覆盖的保护层(8)，使半导体层(5)与气氛隔离。半导体层(5)(活性层)采用例如添加了V族元素的ZnO的多晶状态的半导体而形成。ZnO是，因保护层(8)而减少其表面能级，由于向内部的耗尽层扩展被消除，因此ZnO为表示原本的电阻值的n型半导体，处于自由电子过剩的状态。由于被添加的元素相对ZnO作为受主杂质发挥作用，因此减少了过剩的自由电子。这样，由于用于排除过剩的自由电子的栅电极电压降低了，因此阈值电压处于0V附近。这样，一种将氧化锌用于活性层，且具有使活性层与气氛隔离的保护层的半导体装置便能够得到实用了。
半导体装置及其制造方法以及电子设备

[发明专利]半导体装置及采用其的显示装置-CN03811609.X有效
发明人：吉冈宏人;藤田达也;越智久雄;杉原利典;原猛;川崎雅司;大野英男 -专利权人：夏普株式会社;川崎雅司;大野英男
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在逆参差型的MOSFET(1)中，用无定形的氧化铝形成相对于由氧化锌构成的作为上述半导体层的沟道层(5)的栅绝缘层(4)。通过形成如此的结构，在沟道层(5)和栅绝缘层(4)的界面的缺陷能级被降低，能够得到与用结晶性叠层膜制作全部叠层膜的半导体装置同等水平的性能。另外，如此的方法，也能够用于顺参差型的MOSFET等，通用性也高。
半导体装置采用显示装置

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